| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
|
|
|
2013/09/18
|
不服
2012
-23071
|
トレンチ構造の素子分離膜を有する半導体素子及びその製造方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
|
エスケーハイニックス株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2013/06/25
|
不服
2012
-24802
|
半導体デバイスにおける厚い酸化物領域およびその形成方法
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
臼井 伸一
その他
|
アギア システムズ インコーポレーテッド
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2013/06/24
|
不服
2012
-13988
|
半導体装置の製造方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
速水 進治
|
ルネサスエレクトロニクス株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2013/06/18
|
不服
2012
-14911
|
改良した集積回路分離構成体及びその製造方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
|
エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2013/05/08
|
不服
2011
-21764
|
浅いトレンチ絶縁のための自己平坦化誘電層を形成する方法
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
園田 吉隆
|
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2013/04/26
|
不服
2012
-16025
|
フリー磁性膜を具備する磁気トンネリング接合セル及びそれを含む磁気RAM
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
渡邊 隆
|
三星電子株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2013/03/26
|
不服
2012
-14679
|
レーザ移動を用いて感熱基板上に移植した磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)デバイスおよびこれを製造する方法
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
上野 剛史
その他
|
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2013/03/25
|
不服
2012
-921
|
トレンチ絶縁部を有する半導体素子およびその製造方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
|
インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2013/01/10
|
不服
2011
-19961
|
半導体装置及びその製造方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
|
ルネサスエレクトロニクス株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2013/01/09
|
不服
2011
-28102
|
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
高倉 成男
その他
|
株式会社東芝
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/12/07
|
不服
2011
-24258
|
スピン注入磁気ランダムアクセスメモリとその書き込み方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
蔵田 昌俊
その他
|
株式会社東芝
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/12/03
|
不服
2011
-24683
|
記憶素子及びメモリ
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
|
ソニー株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/11/28
|
不服
2011
-20413
|
記憶素子及びメモリ
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
角田 芳末
|
グランディス インコーポレイテッド
ソニー株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/11/08
|
不服
2011
-19926
|
メモリ
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
|
ソニー株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/10/15
|
不服
2011
-6726
|
強磁性/反強磁性検知要素を備えた磁気抵抗センサー
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
|
エヌテエヌ-エス.エヌ.エール.ルルモン
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/10/09
|
不服
2011
-17162
|
半導体素子の素子分離膜形成方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
|
エスケーハイニックス株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/07/24
|
不服
2010
-24699
|
スピントルクを用いた不揮発性磁気メモリセルおよびこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
|
株式会社日立製作所
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/04/03
|
不服
2010
-5892
|
高密度MRAM用途用の合成フェリ磁性体センス層
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
杉村 憲司
|
マイクロン テクノロジー, インク.
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/01/13
|
不服
2010
-21202
|
磁気メモリ
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
関根 毅
その他
|
株式会社東芝
日本電気株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/01/05
|
不服
2010
-24964
|
磁気トンネル接合構造体及びその製造方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
渡邊 隆
|
三星電子株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/09/20
|
不服
2009
-19118
|
半導体装置の素子分離構造
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
永井 聡
その他
|
株式会社デンソー
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/09/05
|
不服
2008
-32010
|
MTJセンサ及びディスク・ドライブ・システム
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
太佐 種一
その他
|
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/07/07
|
不服
2008
-24744
|
磁気ランダムアクセスメモリ
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
村松 貞男
その他
|
株式会社東芝
|
原文
|
保存
|
|
新規事項の追加
|
|
2011/03/29
|
不服
2008
-2217
|
二重トンネル接合を有する磁気抵抗記憶デバイス
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
奈良 泰男
その他
|
三星電子株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/02/21
|
不服
2008
-19918
|
集積回路にトレンチアイソレーションを形成する方法
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
村山 靖彦
その他
|
三星電子株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/02/21
|
不服
2008
-20636
|
狭いチャンネル効果を最小化するトランジスター及び浅いトレンチ隔離に埋設される電界透過遮断膜を有するトランジスター形成方法
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
村山 靖彦
その他
|
三星電子株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/02/17
|
不服
2008
-14453
|
書込み選択性増大のためのMRAMアーキテクチャ
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
大菅 義之
|
マイクロン テクノロジー, インク.
|
原文
|
保存
|
|
新規事項の追加
|
|
2011/01/20
|
不服
2009
-411
|
強磁性トンネル接合素子およびその製造方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
河野 哲
その他
|
株式会社東芝
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/01/20
|
不服
2008
-17180
|
半導体装置の製造方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
佐々木 敬
その他
|
エルピーダメモリ株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2010/09/16
|
不服
2008
-10028
|
磁気メモリデバイス
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
奈良 泰男
その他
|
三星電子株式会社
|
原文
|
保存
|
|
進歩性(29条2項)
技術的範囲
29条の2(拡大された先願の地位)
|
