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審決検索結果一覧を表示しています。
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市川 武宜
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2021/06/02
不服
2020 -3600
炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
関口 一哉 その他
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
原文
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該当なし
2021/04/28
異議
2019 -700923
半導体装置
特許第6515842号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付……
特許業務法人明成国際特許事務所
原文
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該当なし
2021/03/30
不服
2019 -10542
ワイドバンドギャップ半導体材料用IGBT構造
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
クリー インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2020/06/08
不服
2019 -11053
SNS型ジョセフソン接合素子の製造方法及びSNS型ジョセフソン接合素子製造装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
柳 康樹 その他
住友重機械工業株式会社
原文
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該当なし
2020/06/02
不服
2019 -7150
高耐圧ショットキーバリアダイオード
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
特許業務法人平田国際特許事務所 その他
国立研究開発法人情報通信研究機構 株式会社タムラ製作所 国立大学法人東京農工大学
原文
保存
該当なし
2020/04/28
不服
2018 -16716
エピタキシャル成長による半導体デバイスの製作
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
原文
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該当なし
2020/04/24
不服
2019 -3381
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士電機株式会社
原文
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該当なし
2019/12/17
不服
2018 -3667
薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
特許業務法人栄光特許事務所
株式会社神戸製鋼所 三星ディスプレイ株式會社
原文
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該当なし
2019/12/09
不服
2018 -14285
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
松井 重明 その他
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
2019/11/20
不服
2018 -5654
ダミーゲートで分割された連続活性領域を有する金属酸化物半導体(MOS)分離方式および関連する方法
本件審判の請求は、成り立たない。
黒田 晋平
クアルコム,インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2019/11/12
不服
2018 -7922
炭化ケイ素装置におけるオーミック接触のためのシステム及び方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
小倉 博 その他
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
原文
保存
該当なし
2019/09/30
不服
2018 -3239
相補型バックエンドオブライン(BEOL)キャパシタ
本件審判の請求は、成り立たない。
村山 靖彦
クアルコム,インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2019/03/25
不服
2018 -3247
共用拡散標準セルの構造
本件審判の請求は、成り立たない。
岡田 貴志 その他
クゥアルコム・インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2019/01/21
不服
2018 -4886
公称最小ピッチの非整数倍であるセル高さを有するスタンダードセル
本件審判の請求は、成り立たない。
台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
原文
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該当なし
2018/02/14
不服
2017 -691
半導体装置、薄膜トランジスタアレイパネル及びこれを含む表示装置、並びに薄膜トランジスタの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
三星ディスプレイ株式會社 株式会社神戸製鋼所
原文
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該当なし
2017/11/13
不服
2016 -11397
高性能チャンネルを有する半導体デバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
山本 修 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2017/10/18
不服
2016 -18282
パンチスルー抑制トランジスタ
本件審判の請求は、成り立たない。
加藤 隆夫 その他
三重富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2017/10/12
不服
2016 -3909
トランジスタデバイス及び製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
インテル・コーポレーション
原文
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該当なし
2017/09/15
不服
2017 -5197
薄膜トランジスタ、アレイ基板及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
実広 信哉
京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
原文
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該当なし
2017/08/30
不服
2016 -19518
キャパシタンスを高めた金属-酸化物-金属(MOM)キャパシタ
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
村山 靖彦
クアルコム,インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2017/08/09
不服
2016 -8869
集積フィンベースの電界効果トランジスタ(FinFET)およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
早川 裕司 その他
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2017/07/11
異議
2016 -700719
電子回路
特許第5865422号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正……
豊岡 静男 その他
原文
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該当なし
2017/06/19
不服
2016 -10204
半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
上杉 浩 その他
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド
原文
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該当なし
2017/06/01
異議
2017 -700359
トランジスタ及びその形成方法
特許第6005147号の請求項1ないし4,17,18,及び22ないし24に係る特許を……
杉村 憲司
原文
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該当なし
2017/05/22
不服
2016 -14733
薄膜トランジスタパネル
本件審判の請求は、成り立たない。
三星ディスプレイ株式會社
原文
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該当なし
2017/04/24
不服
2016 -13045
炭化ケイ素半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
酒井 昭徳
国立研究開発法人産業技術総合研究所 富士電機株式会社
原文
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該当なし
2017/03/10
不服
2016 -9221
半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大塚 文昭 その他
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド
原文
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該当なし
2017/01/30
不服
2016 -5380
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
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該当なし
2017/01/24
不服
2015 -21110
トランジスタ及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大貫 進介 その他
インテル コーポレイション
原文
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該当なし
2016/11/29
不服
2015 -10484
ゲート酸化物の漏れを抑えたリプレースメントゲートトランジスタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
早川 裕司 その他
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
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