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現在の検索キーワード: 市川 武宜

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2021/06/02 不服
2020 -3600 
炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 田中 研二 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし  
2021/04/28 異議
2019 -700923 
半導体装置 特許第6515842号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付…… 特許業務法人明成国際特許事務所     原文 保存
該当なし  
2021/03/30 不服
2019 -10542 
ワイドバンドギャップ半導体材料用IGBT構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2020/06/08 不服
2019 -11053 
SNS型ジョセフソン接合素子の製造方法及びSNS型ジョセフソン接合素子製造装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒木 義樹 その他   住友重機械工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/06/02 不服
2019 -7150 
高耐圧ショットキーバリアダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人平田国際特許事務所 その他   国立研究開発法人情報通信研究機構 株式会社タムラ製作所 国立大学法人東京農工大学   原文 保存
該当なし  
2020/04/28 不服
2018 -16716 
エピタキシャル成長による半導体デバイスの製作 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2020/04/24 不服
2019 -3381 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/12/17 不服
2018 -3667 
薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人栄光特許事務所   三星ディスプレイ株式會社 株式会社神戸製鋼所   原文 保存
該当なし  
2019/12/09 不服
2018 -14285 
炭化珪素半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村上 加奈子 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/11/20 不服
2018 -5654 
ダミーゲートで分割された連続活性領域を有する金属酸化物半導体(MOS)分離方式および関連する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 黒田 晋平   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2019/11/12 不服
2018 -7922 
炭化ケイ素装置におけるオーミック接触のためのシステム及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 拓人 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし  
2019/09/30 不服
2018 -3239 
相補型バックエンドオブライン(BEOL)キャパシタ 本件審判の請求は、成り立たない。 村山 靖彦   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2019/03/25 不服
2018 -3247 
共用拡散標準セルの構造 本件審判の請求は、成り立たない。 蔵田 昌俊 その他   クゥアルコム・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2019/01/21 不服
2018 -4886 
公称最小ピッチの非整数倍であるセル高さを有するスタンダードセル 本件審判の請求は、成り立たない。   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2018/02/14 不服
2017 -691 
半導体装置、薄膜トランジスタアレイパネル及びこれを含む表示装置、並びに薄膜トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ   株式会社神戸製鋼所 三星ディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし  
2017/11/13 不服
2016 -11397 
高性能チャンネルを有する半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小野 新次郎 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/10/18 不服
2016 -18282 
パンチスルー抑制トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠重 その他   三重富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/10/12 不服
2016 -3909 
トランジスタデバイス及び製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2017/09/15 不服
2017 -5197 
薄膜トランジスタ、アレイ基板及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 実広 信哉   京東方科技集團股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2017/08/30 不服
2016 -19518 
キャパシタンスを高めた金属-酸化物-金属(MOM)キャパシタ 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 村山 靖彦   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/08/09 不服
2016 -8869 
集積フィンベースの電界効果トランジスタ(FinFET)およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 佐野 良太 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/07/11 異議
2016 -700719 
電子回路 特許第5865422号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正…… 京村 順二 その他     原文 保存
該当なし  
2017/06/19 不服
2016 -10204 
半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 上杉 浩 その他   ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド   原文 保存
該当なし  
2017/06/01 異議
2017 -700359 
トランジスタ及びその形成方法 特許第6005147号の請求項1ないし4,17,18,及び22ないし24に係る特許を…… 杉村 憲司     原文 保存
該当なし  
2017/05/22 不服
2016 -14733 
薄膜トランジスタパネル 本件審判の請求は、成り立たない。   三星ディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし  
2017/04/24 不服
2016 -13045 
炭化ケイ素半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 酒井 昭徳   富士電機株式会社 国立研究開発法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2017/03/10 不服
2016 -9221 
半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 西島 孝喜 その他   ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド   原文 保存
該当なし  
2017/01/30 不服
2016 -5380 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2017/01/24 不服
2015 -21110 
トランジスタ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 進介 その他   インテル コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2016/11/29 不服
2015 -10484 
ゲート酸化物の漏れを抑えたリプレースメントゲートトランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村雨 圭介 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  

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