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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/05/10 不服
2010 -2590 
メモリにおけるソフト欠陥検出のための方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 本田 淳   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/04/26 不服
2008 -11307 
コモンモードチョークコイルアレイ 本件審判の請求は、成り立たない。 若林 邦彦 その他   TDK株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/04/26 不服
2009 -6990 
横型MOSトランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。   パナソニック株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/04/26 不服
2009 -488 
メモリ装置及びメモリ回路 本件審判の請求は、成り立たない。 英 貢 その他   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 パリ条約  
2011/04/25 不服
2008 -16178 
積層セラミック電子部品 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし  
2011/04/22 不服
2008 -10937 
積層セラミックコンデンサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし  
2011/04/22 不服
2008 -1286 
MRAMメモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィニオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2011/04/22 不服
2008 -23779 
横型接合型電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 深見 久郎 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/04/20 不服
2009 -5788 
半導体の形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 泰 その他   レイセオン カンパニー   原文 保存
該当なし  
2011/04/19 不服
2008 -9707 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2011/04/18 不服
2007 -34214 
半導体記憶装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 野本 可奈 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/04/14 不服
2008 -10615 
パターン形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   NEC液晶テクノロジー株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/04/13 不服
2008 -12535 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河野 哲 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2011/04/13 不服
2008 -12531 
薄型パンチスルー型パワーデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 橋本 良郎 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2011/04/11 不服
2009 -5023 
配線材料及びそれを用いた配線基板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   出光興産株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/04/05 不服
2009 -3266 
配線の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/04/05 不服
2008 -20920 
絶縁ゲート型半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/03/29 不服
2008 -30884 
不揮発性メモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 市川 利光 その他   ローム株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/03/29 不服
2008 -2217 
二重トンネル接合を有する磁気抵抗記憶デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 宇谷 勝幸 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/03/22 不服
2008 -13502 
固体電解コンデンサ 本件審判の請求は、成り立たない。 ▲角▼谷 浩   三洋電機株式会社 佐賀三洋工業株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/03/09 不服
2010 -22882 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塩 竹志 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/02/23 不服
2008 -14940 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 皆川 祐一 その他   ローム株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/02/21 不服
2007 -28767 
2つの固体材料の分子接着界面における結晶欠陥および/または応力場の顕在化プロセス 本件審判の請求は、成り立たない。 志賀 正武 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし  
2011/02/21 不服
2008 -20636 
狭いチャンネル効果を最小化するトランジスター及び浅いトレンチ隔離に埋設される電界透過遮断膜を有するトランジスター形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 村山 靖彦 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/02/21 不服
2008 -19918 
集積回路にトレンチアイソレーションを形成する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/02/17 不服
2008 -14453 
書込み選択性増大のためのMRAMアーキテクチャ 本件審判の請求は,成り立たない。 大菅 義之   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/02/17 不服
2009 -303 
電圧駆動型バイポーラ半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山崎 宏   関西電力株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/02/17 不服
2008 -16642 
半導体装置製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 弟子丸 健 その他   アナム セミコンダクター リミテッド   原文 保存
該当なし  
2011/02/17 不服
2008 -3221 
薄いガリウム砒素アンチモン層をベースに用いた利得向上型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 奥山 尚一 その他   アジレント・テクノロジーズ・インク   原文 保存
該当なし  
2011/02/14 不服
2008 -18350 
過電圧保護を備えた集積回路及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 橘谷 英俊 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし  

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