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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/02/14 不服
2008 -18301 
強誘電体又はエレクトレットメモリ回路 本件審判の請求は、成り立たない。 浅村 肇 その他   シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ   原文 保存
該当なし  
2011/02/10 不服
2007 -34339 
半導体装置および半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森 哲也 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/02/10 不服
2008 -26628 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/02/03 不服
2008 -2179 
シリコン・ゲルマニウム・バイポーラ・トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2011/02/02 不服
2008 -15776 
原子状酸素促進酸化(atomicoxygenenhancedoxidation)を使ってゲート活性化を改良する方法 本件審判の請求は,成り立たない。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/02/01 不服
2008 -8981 
配線の接続構造 本件審判の請求は,成り立たない。 福田 浩志 その他   OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/01/31 不服
2008 -16482 
薄膜トランジスタ基板と液晶表示装置および薄膜トランジスタ基板の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 園田 吉隆   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/01/28 不服
2008 -31704 
薄膜トランジスタ及びそれを備えた表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置並びに欠陥修正方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/01/20 不服
2008 -17180 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 佐々木 敬 その他   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/01/20 不服
2008 -10225 
改良二重ダマスク構造体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 二宮 浩康 その他   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
該当なし  
2011/01/20 不服
2009 -411 
強磁性トンネル接合素子およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村松 貞男 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2011/01/14 不服
2008 -14627 
電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   國立成功大學   原文 保存
該当なし  
2011/01/11 不服
2008 -24283 
注入ステップを使用して半導体デバイスを製造する方法およびこの方法により製造されるデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 吉田 裕 その他   クリー、インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/01/07 不服
2008 -8003 
半導体装置および電力変換装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/01/07 不服
2008 -16306 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 蔵田 昌俊 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2011/01/05 不服
2009 -11868 
制御された酸素析出物分布をもつシリコンウェーハ 本件審判の請求は,成り立たない。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/01/05 不服
2008 -69 
Ar/NH3急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法、これにより製造されたシリコンウェーハ 本件審判の請求は,成り立たない。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/28 不服
2008 -31910 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三洋電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/28 不服
2008 -7565 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士電機システムズ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/27 不服
2008 -11373 
四元系-三元系半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 小林 泰 その他   レイセオン カンパニー   原文 保存
該当なし  
2010/12/22 不服
2008 -15298 
層間金属接続のための自己整合金属キャップ 本件審判の請求は、成り立たない。 宮城 康史 その他   インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2010/12/21 不服
2008 -8459 
プロファイラー・ビジネス・モデル 本件審判の請求は、成り立たない。 島田 哲郎 その他   ティンバー テクノロジーズ,インコーポレイティド   原文 保存
該当なし  
2010/12/21 不服
2007 -21638 
シリコンウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/21 不服
2007 -34703 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/21 不服
2008 -18610 
入力保護回路、入力保護回路の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠彦   聯華電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/12/15 不服
2009 -24248 
リフレッシュトリガー付き半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2010/12/15 不服
2008 -6956 
表示装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/13 不服
2007 -33326 
半導体素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 井野 砂里 その他   ドンブアナム セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2010/12/07 不服
2008 -14303 
ゲート-ボディーコンタクト薄膜トランジスター 本件審判の請求は、成り立たない。   三星モバイルディスプレイ株式會社   原文 保存
 新規性  パリ条約  新規事項の追加  
2010/12/06 不服
2007 -31732 
半導体記憶装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 橋本 良郎 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  

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