| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2011/12/07
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不服
2009
-20014
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積層コンデンサ及び電子機器
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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石坂 泰紀
その他
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TDK株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/12/06
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不服
2009
-25731
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III族窒化物一体化ショットキおよび電力素子
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本件審判の請求は、成り立たない。
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杉村 憲司
その他
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インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
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原文
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保存
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該当なし
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2011/11/24
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不服
2009
-16852
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電解コンデンサ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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浜田 治雄
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日本ケミコン株式会社
三菱化学株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/11/21
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不服
2009
-11814
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半導体素子の金属配線層形成方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/11/18
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不服
2010
-15050
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半導体記憶装置、半導体装置及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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天城 聡
その他
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/11/16
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不服
2009
-9970
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スピンバルブ型磁気抵抗効果センサ素子の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/11/16
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不服
2009
-8551
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多層体を作製するための方法及び組成物
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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恩田 博宣
その他
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アメリカン スーパーコンダクター コーポレイション
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/11/15
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不服
2009
-26059
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電気的にプログラム可能な抵抗特性を有するクロスポイントメモリ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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安村 高明
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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パリ条約
進歩性(29条2項)
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2011/11/02
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不服
2009
-14919
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半導体強誘電体記憶デバイス
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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独立行政法人産業技術総合研究所
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/31
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不服
2009
-24924
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配線の接触構造及びその製造方法とこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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小野 由己男
その他
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サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/26
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不服
2008
-26110
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データ解析方法、データ解析プログラムおよびデータ解析装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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富士通セミコンダクター株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/20
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不服
2009
-20114
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単結晶シリコンウエハの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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新免 勝利
その他
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エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/13
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不服
2009
-9227
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高電圧素子のウェル構造
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/07
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不服
2009
-2606
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ナノスケールワイヤ及び関連デバイス
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本件審判の請求は、成り立たない。
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野矢 宏彰
その他
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プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/05
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不服
2009
-11420
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短絡チャネルを有する炭化ケイ素パワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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林 鉐三
その他
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クリー インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/03
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不服
2008
-30501
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積層基板及び半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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金本 哲男
その他
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三星モバイルディスプレイ株式會社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/03
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不服
2008
-30366
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ソレノイド駆動装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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サンケン電気株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/03
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不服
2010
-13037
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低電力マルチチップ半導体メモリ装置及びそれのチップイネーブル方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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志賀 正武
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/09/29
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不服
2009
-26027
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不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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株式会社東芝
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/09/28
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不服
2010
-13938
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半導体装置およびその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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荒川 伸夫
その他
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/09/28
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不服
2009
-20688
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半導体記憶装置及び半導体装置並びに表示装置、液晶表示装置及び受像機
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/09/14
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不服
2008
-26865
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絶縁体上に歪み結晶層を製造する方法、前記方法による半導体構造及び製造された半導体構造
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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池田 成人
その他
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エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/09/13
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不服
2009
-7592
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NMR用超電導磁石装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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梶 良之
その他
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ジャパンスーパーコンダクタテクノロジー株式会社
株式会社神戸製鋼所
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原文
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保存
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該当なし
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2011/09/13
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不服
2008
-20913
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パワーICデバイス及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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特許業務法人原謙三国際特許事務所
その他
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矢崎総業株式会社
国立大学法人東北大学
シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/09/06
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不服
2009
-23364
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電子デバイスの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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平木 祐輔
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国立大学法人東京工業大学
シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/08/25
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不服
2009
-26063
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電気的にプログラム可能な抵抗特性を有する、クロストークが低いクロスポイントメモリ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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大塩 竹志
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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パリ条約
新規事項の追加
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2011/08/22
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不服
2008
-27953
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共有リセット信号の行選択のあるフォトダイオードアクティブピクセルセンサ
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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伊東 忠彦
その他
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オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/08/19
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不服
2008
-27546
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不揮発性半導体記憶装置の製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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清水 守
その他
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OKIセミコンダクタ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/08/19
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不服
2008
-25526
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非平行なイオンビームで行う複モードのイオン注入
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本件審判の請求は,成り立たない。
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バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
新規事項の追加
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2011/08/05
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不服
2008
-6658
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圧電抵抗作用を使用する歪みゲージセンサおよびその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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本多 弘徳
その他
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コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
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原文
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保存
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パリ条約
新規事項の追加
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