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小野田 誠
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2013/06/13
不服
2012 -22603
イメージセンサ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
松島 鉄男 その他
インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
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該当なし
2013/06/04
不服
2012 -14867
ベリード酸化膜を具備する半導体装置の製造方法及びこれを具備する半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
実広 信哉
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2013/06/04
不服
2012 -16913
CMOSイメージセンサの単位画素及びCMOSイメージセンサの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
河村 英文 その他
インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
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該当なし
2013/06/03
不服
2012 -16026
不揮発性メモリ素子の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2013/05/28
不服
2011 -26658
低いコンタクト抵抗を有する半導体素子及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
エスケーハイニックス株式会社
原文
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該当なし
2013/05/23
不服
2012 -11700
裏面照射型固体撮像装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
蔵田 昌俊 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2013/05/15
不服
2012 -3874
透明酸化物半導体薄膜トランジスタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星ディスプレイ株式會社
原文
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該当なし
2013/05/08
不服
2012 -19891
半導体装置およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
2013/04/24
不服
2012 -16133
Cu配線を有するCMOSイメージャ及びそれから高反射性界面を除去する方法
本件審判の請求は、成り立たない。
市位 嘉宏 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
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該当なし
2013/04/18
不服
2011 -27832
ボンドパッドを有する半導体装置およびそのための方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大貫 進介 その他
フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2013/04/01
不服
2012 -2289
固体撮像素子及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
ソニー株式会社
原文
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該当なし
2013/04/01
不服
2012 -12183
NAND型フラッシュメモリ素子、その製造方法およびその駆動方法
本件審判の請求は、成り立たない。
エスケーハイニックス株式会社
原文
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該当なし
2013/03/18
不服
2012 -7109
容量セル、および容量
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2013/03/18
不服
2012 -12088
半導体素子の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
エスケーハイニックス株式会社
原文
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該当なし
2013/03/12
不服
2012 -12520
イメージセンサ及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
有原 幸一 その他
インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
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該当なし
2013/03/05
不服
2012 -3664
電流注入磁壁移動素子
本件審判の請求は、成り立たない。
清水 守
国立大学法人東北大学 独立行政法人科学技術振興機構
原文
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該当なし
2013/02/28
無効
2012 -800119
半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
請求のとおり訂正を認める。 本件審判の請求は、成り立たない……
岩田 茂 その他
ピンク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクター ハフツング サーモシステム
原文
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該当なし
2013/02/22
不服
2012 -4710
固体撮像装置およびカメラ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
永川 行光 その他
キヤノン株式会社
原文
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該当なし
2013/02/20
不服
2012 -9233
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大塚 環 その他
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2013/02/20
不服
2012 -7688
多チップモジュール用ESD回路を含む集積回路及びその方法
本件審判の請求は、成り立たない。
吉澤 弘司 その他
アギア システムズ インコーポレーテッド
原文
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該当なし
2013/02/18
不服
2012 -9226
トリプルゲートトランジスタを有する半導体素子
本件審判の請求は、成り立たない。
実広 信哉
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2013/02/06
不服
2012 -4103
半導体デバイスのゲートのクリティカルディメンションを改善するためのゲート材料のプレーナ化
本件審判の請求は、成り立たない。
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2013/02/01
不服
2011 -22962
容量素子とその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通株式会社
原文
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該当なし
2013/01/29
不服
2012 -5786
III族窒化物パワー半導体デバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
杉村 憲司
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
原文
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該当なし
2013/01/09
不服
2011 -28102
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
中村 誠 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2012/12/19
不服
2012 -733
CMOSイメージセンサー及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
奥山 尚一 その他
インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
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該当なし
2012/12/06
不服
2011 -26370
半導体集積回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
村松 貞男 その他
株式会社東芝 東芝デジタルメディアエンジニアリング株式会社
原文
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該当なし
2012/12/03
不服
2011 -25928
集積回路装置及びその使用方法
本件審判の請求は、成り立たない。
国立大学法人 筑波大学
原文
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該当なし
2012/11/05
不服
2011 -25877
不揮発性半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
村松 貞男 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2012/10/18
不服
2011 -26234
イオン注入方法およびイオン注入装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
折居 章
株式会社アルバック
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該当なし
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