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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/01/23 不服
2009 -12609 
自動車用エバポレーター用温度センサの熱応答性改善方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社大泉製作所   原文 保存
該当なし  
2012/01/20 不服
2009 -17789 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/20 不服
2008 -17899 
CMOSを有する半導体素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2012/01/16 不服
2009 -18036 
減じられたマスキングステップでNMOSおよびPMOS装置を製造する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/01/13 不服
2010 -15101 
アナログディジタル変換器、およびアナログディジタル変換器の設計方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 原田 智雄 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/13 不服
2010 -8445 
オン・ダイ型のデカップリング・キャパシタンスを有する半導体ダイ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小林 泰 その他   エルエスアイ コーポレーション   原文 保存
 パリ条約  
2012/01/12 不服
2009 -21631 
電界効果トランジスタ、その使用、およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 安村 高明 その他   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
 パリ条約  
2012/01/11 不服
2010 -6567 
SOI基板およびSOI基板を用いた半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 池田 憲保   国立大学法人東北大学   原文 保存
 新規事項の追加  技術的範囲  
2012/01/06 不服
2009 -12470 
磁石粉末の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人サクラ国際特許事務所   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/01/06 不服
2011 -4086 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2012/01/06 不服
2010 -13780 
半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2012/01/06 不服
2010 -7849 
固体撮像素子および電子情報機器 本件審判の請求は、成り立たない。 大塩 竹志 その他   シャープ株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2012/01/06 不服
2009 -17315 
固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 有吉 修一朗   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/04 不服
2009 -17484 
マグネットロール及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   戸田工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/28 不服
2010 -11065 
半導体集積回路および半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 大垣 孝   ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/28 不服
2010 -13834 
固体撮像装置、その製造方法およびカメラ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/27 不服
2010 -5276 
集積回路装置のコンタクト及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/12/27 不服
2010 -1012 
ソレノイド 本件審判の請求は、成り立たない。   新電元メカトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/26 不服
2010 -13568 
強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上柳 雅誉 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/22 不服
2009 -23158 
高誘電体ゲート絶縁膜及び金属ゲート電極を有する電界効果トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岡部 讓 その他   キヤノンアネルバ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/22 不服
2009 -17685 
チップ型NTC素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石坂 泰紀 その他   TDK株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/22 不服
2010 -23239 
オートリフレッシュ動作時に安定した高電圧を提供する半導体メモリ素子及びその方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 神谷 牧   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2011/12/21 不服
2011 -9267 
ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 桑原 薫   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/20 不服
2009 -9566 
バリスター特性を有する非線形抵抗及びこの抵抗の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 住吉 秀一 その他   エー ビー ビー リサーチ リミテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/12/13 不服
2009 -25561 
CMOSデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。   ミツミ電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/12 不服
2009 -23047 
電気二重層キャパシタ及びその製造方法とこれを用いた電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 永野 大介 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/08 不服
2009 -17095 
窪み付きゲート構造を有するメモリデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 加藤 信之 その他   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 パリ条約  
2011/12/08 不服
2010 -3003 
CMOS型イメージセンサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田村 敬二郎   マグナチップセミコンダクター有限会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/02 不服
2008 -23788 
電解コンデンサ陰極用アルミニウム箔 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱アルミニウム株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/30 不服
2010 -1592 
SOIウェーハの作製方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  

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