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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/11/29 不服
2009 -17751 
電解コンデンサとその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   日本ケミコン株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/29 不服
2009 -961 
半導体ダイにおける、電圧依存性が低減した高密度複合MIMキャパシタ 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2011/11/25 不服
2009 -15077 
配線構造およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2011/11/24 不服
2009 -14863 
近接して離間した金属線の間に低誘電率材料を有する集積回路構造を形成する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 増井 忠弐 その他   エルエスアイ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2011/11/18 不服
2010 -15050 
半導体記憶装置、半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 天城 聡 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/16 不服
2009 -1747 
特にスタッド溶接装置用パワー・スイッチング・レギュレータのパワー・トランス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ネルソン スタッド ウエルディング インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/11/14 不服
2009 -7661 
基板を熱処理するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久野 琢也   ステアーグ ハマテヒ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
 パリ条約  
2011/11/11 不服
2009 -10993 
浮遊トラップ型不揮発性メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2011/11/09 不服
2009 -12554 
電子部品の処理方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 藤井 兼太郎 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/08 不服
2011 -1414 
インアクティブウィークプリチャージング及びイコライジングスキームを採用したプリチャージ回路、それを含むメモリ装置及びそのプリチャージ方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/11/08 不服
2009 -3639 
基板内蔵用コンデンサ素子 本件審判の請求は,成り立たない。   京セラ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/02 不服
2009 -14919 
半導体強誘電体記憶デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2011/11/02 不服
2010 -2520 
半導体装置及び電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2011/11/02 不服
2009 -23390 
SOI基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2011/11/02 不服
2010 -4172 
浮遊トラップ型セルを有する不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/11/01 不服
2010 -2922 
化合物半導体ウェーハの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   住友化学株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/01 不服
2009 -15016 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鷲頭 光宏 その他   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/26 不服
2008 -31687 
集積回路に相互接続ラインを形成する方法と装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 朝日 伸光 その他   アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2011/10/25 不服
2009 -12450 
防磁型薄型トランス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   スミダコーポレーション株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/24 不服
2009 -6137 
磁気回路の製造方法及びその磁気回路 本件審判の請求は,成り立たない。 村山 靖彦 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
 実施可能要件  
2011/10/21 不服
2009 -18120 
低減された界面粗さ(界面ラフネス)を有するニッケルシリサイド 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 早川 裕司 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/20 不服
2008 -29000 
GaN系電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/20 不服
2009 -24603 
送受信用受動素子、その集積モジュール及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/19 不服
2009 -1868 
MOSFETデバイス及び該デバイスを備える電子システム 本件審判の請求は、成り立たない。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2011/10/19 不服
2009 -8209 
反転型FinFET薄膜トランジスタを用いたFinFETSRAMセル 本件審判の請求は、成り立たない。 上野 剛史 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/10/17 不服
2010 -1833 
有機薄膜トランジスタ及び液晶表示装置用基板並びにそれらの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 古川 秀利 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/10/17 不服
2008 -32487 
ターゲット基板に結合される少なくとも一の薄層を備えた積層構造の作製方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし  
2011/10/17 不服
2009 -8841 
フィールドプレートを有するワイドバンドギャップトランジスタデバイス 本件審判の請求は,成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/10/13 不服
2009 -9227 
高電圧素子のウェル構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/11 不服
2008 -27974 
磁石製品 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社マグナ   原文 保存
該当なし  

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