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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/09/25 不服
2011 -15880 
低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/09/12 不服
2011 -14942 
半導体集積回路装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/09/04 不服
2011 -13901 
耐欠陥性及び耐故障性回路相互接続 本件審判の請求は、成り立たない。 西山 清春 その他   ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.   原文 保存
該当なし  
2012/09/03 不服
2011 -25892 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 池田 憲保   株式会社 ビンテーシス   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2010 -4663 
高精度メモリ読み出しオペレーション用選択回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 堀井 豊 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/07/12 不服
2011 -7737 
欠陥のある位置のためのデータラッチに冗長データがバッファされる不揮発性メモリおよび方法 本件審判の請求は、成り立たない。   サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/04/27 不服
2010 -29226 
データアクセスタイムを測定するためのテストモードを有する半導体メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 長谷 照一   ハイニックス セミコンダクター インク   原文 保存
該当なし  
2012/04/18 不服
2010 -27604 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/09 不服
2010 -29127 
高速にデータアクセスをするための半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 長谷 照一   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2012/04/04 不服
2010 -735 
半導体集積回路およびそれを用いた画像処理システム 本件審判の請求は、成り立たない。 井上 学   株式会社日立製作所 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ   原文 保存
該当なし  
2012/03/23 不服
2010 -23815 
半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 荒船 良男   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2012/03/19 不服
2010 -23755 
半導体メモリ装置 本件審判の請求は,成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/02/20 不服
2010 -20849 
光誘導磁化反転を用いた高速不揮発性光メモリ素子およびその動作方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2012/02/13 不服
2011 -12986 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 弘一 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/10 不服
2010 -17042 
グローバルデータバス接続回路を備えるマルチポートメモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 長谷 照一   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/11/29 不服
2010 -4280 
磁気抵抗ラム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2011/11/29 不服
2010 -21676 
不揮発性強誘電体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 長谷 照一   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/10/24 不服
2010 -16670 
カラム欠陥復旧が可能なCAM及びカラム欠陥復旧方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/09/28 不服
2009 -10332 
少なくとも一つのメモリーセルにカップリングされたシングルビットラインを有する強誘電体メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2011/09/21 不服
2009 -12900 
半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。 深見 久郎 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/16 不服
2010 -14359 
相変化デバイスを用いた高密度コンテンツ・アドレス可能メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 太佐 種一 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 パリ条約  
2011/09/13 不服
2009 -9075 
リダンダンシー回路を備えた半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/08/08 不服
2010 -4106 
256Megダイナミックランダムアクセスメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 北住 公一 その他   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/08/03 不服
2009 -19863 
センスアンプを利用してテストを行うメモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/07/04 不服
2010 -10567 
メモリー素子、インターフェース・バッファ、メモリー・システム、コンピューター・システム、方法、機械アクセス可能な媒体 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠彦 その他   インテル コーポレイション   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/05/25 不服
2010 -2756 
汎用的にアクセス可能である十分にプログラム可能なメモリ組み込み自己テスト(MBIST)システムおよび方法 本件審判の請求は、成り立たない。 村山 靖彦 その他   アナログ デバイシーズ インク   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/05/10 不服
2010 -2590 
メモリにおけるソフト欠陥検出のための方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 本田 淳   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/03/02 不服
2008 -21710 
高密度メモリ用メモリ冗長回路 本件審判の請求は、成り立たない。 中村 稔 その他   旺宏電子股▼ふん▲有限公司   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/02/25 不服
2009 -2920 
自己修理回路を用い、且つ記憶位置を永久に不能としてメモリ動作を検査する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エルエスアイ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2011/02/07 不服
2009 -23793 
アレイセルのしきい値電圧を検出する方法およびメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  

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