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現在の検索キーワード： 須原 宏光

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/09/25 不服
2011 -15880  		低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/12 不服
2011 -14942  		半導体集積回路装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/04 不服
2011 -13901  		耐欠陥性及び耐故障性回路相互接続 本件審判の請求は、成り立たない。 西山 清春 その他   ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.   原文 保存
該当なし 　
2012/09/03 不服
2011 -25892  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 修一   株式会社 ビンテーシス   原文 保存
該当なし 　
2012/08/13 不服
2010 -4663  		高精度メモリ読み出しオペレーション用選択回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 將行 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/07/12 不服
2011 -7737  		欠陥のある位置のためのデータラッチに冗長データがバッファされる不揮発性メモリおよび方法 本件審判の請求は、成り立たない。   サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/04/27 不服
2010 -29226  		データアクセスタイムを測定するためのテストモードを有する半導体メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 神谷 牧   ハイニックス セミコンダクター インク   原文 保存
該当なし 　
2012/04/18 不服
2010 -27604  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/04/09 不服
2010 -29127  		高速にデータアクセスをするための半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 神谷 牧   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2012/04/04 不服
2010 -735  		半導体集積回路およびそれを用いた画像処理システム 本件審判の請求は、成り立たない。 井上 学   株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ 株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし 　
2012/03/23 不服
2010 -23815  		半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 荒船 博司   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2012/03/19 不服
2010 -23755  		半導体メモリ装置 本件審判の請求は,成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/02/20 不服
2010 -20849  		光誘導磁化反転を用いた高速不揮発性光メモリ素子およびその動作方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2012/02/13 不服
2011 -12986  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 林 恒徳 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/01/10 不服
2010 -17042  		グローバルデータバス接続回路を備えるマルチポートメモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 神谷 牧   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/11/29 不服
2010 -4280  		磁気抵抗ラム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約 　
2011/11/29 不服
2010 -21676  		不揮発性強誘電体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 神谷 牧   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/10/24 不服
2010 -16670  		カラム欠陥復旧が可能なCAM及びカラム欠陥復旧方法 本件審判の請求は、成り立たない。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/09/28 不服
2009 -10332  		少なくとも一つのメモリーセルにカップリングされたシングルビットラインを有する強誘電体メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約 　
2011/09/21 不服
2009 -12900  		半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。 酒井 將行 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/09/16 不服
2010 -14359  		相変化デバイスを用いた高密度コンテンツ・アドレス可能メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 パリ条約 　
2011/09/13 不服
2009 -9075  		リダンダンシー回路を備えた半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/08/08 不服
2010 -4106  		256Megダイナミックランダムアクセスメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 丸山 敏之 その他   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/08/03 不服
2009 -19863  		センスアンプを利用してテストを行うメモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/07/04 不服
2010 -10567  		メモリー素子、インターフェース・バッファ、メモリー・システム、コンピューター・システム、方法、機械アクセス可能な媒体 本件審判の請求は、成り立たない。 大貫 進介 その他   インテル コーポレイション   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/05/25 不服
2010 -2756  		汎用的にアクセス可能である十分にプログラム可能なメモリ組み込み自己テスト(MBIST)システムおよび方法 本件審判の請求は、成り立たない。 村山 靖彦 その他   アナログ デバイシーズ インク   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/05/10 不服
2010 -2590  		メモリにおけるソフト欠陥検出のための方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 本田 淳   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約 　
2011/03/02 不服
2008 -21710  		高密度メモリ用メモリ冗長回路 本件審判の請求は、成り立たない。 小川 信夫 その他   旺宏電子股▼ふん▲有限公司   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2011/02/25 不服
2009 -2920  		自己修理回路を用い、且つ記憶位置を永久に不能としてメモリ動作を検査する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エルエスアイ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2011/02/07 不服
2009 -23793  		アレイセルのしきい値電圧を検出する方法およびメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 荒川 伸夫 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　

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