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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/02/04 不服
2009 -7763 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠彦   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/20 不服
2008 -20635 
マルチロウアドレステスト可能な半導体メモリ装置及びそのテスト方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/20 不服
2008 -26353 
テータの検査及び処理のためのメモリエンジン 本件審判の請求は、成り立たない。 小池 晃   ブライトスケール インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2010/12/15 不服
2009 -24248 
リフレッシュトリガー付き半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2010/12/13 不服
2009 -11393 
ワードラインデコーダ 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/11/30 不服
2009 -19864 
内容アドレスメモリシステム 本件審判の請求は、成り立たない。 谷 義一   インディペンデンス・マンザナール・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/11/04 不服
2008 -27385 
半導体メモリ装置のビットラインプリチャージ回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/04 不服
2008 -3585 
ターナリ内容検索メモリ装置 本件審判の請求は,成り立たない。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/04 不服
2008 -6003 
半導体メモリ装置およびそのセル電流測定方法 本件審判の請求は,成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/27 不服
2010 -345 
不揮発性メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/08/30 不服
2006 -15336 
プロセッサメモリでデータを入出力する方法及びこの方法を実施する装置 本件審判の請求は、成り立たない。 鍛冶澤 實   ジステモニック・アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
該当なし  
2010/08/23 不服
2007 -30683 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 光雄 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/08/23 不服
2007 -34636 
パワーアップ信号発生回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2010/08/10 不服
2008 -930 
内容照合(連想)記憶装置に関する改良 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 一   アスペックス・セミコンダクター・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2010/08/02 不服
2007 -31015 
不揮発性半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/08/02 不服
2008 -24490 
半導体記憶装置及びそのテスト方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鷲頭 光宏   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/07/28 不服
2008 -12049 
シフトレジスタとその駆動方法及び液晶表示パネルの駆動装置 本件審判の請求は、成り立たない。 加藤 伸晃 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2010/07/23 不服
2007 -31790 
データ圧縮を備えたメモリ・テスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 社本 一夫 その他   テラダイン・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2010/07/22 不服
2008 -14214 
半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。 萩原 康司 その他   OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/07/12 不服
2008 -7934 
半導体記憶装置、およびその制御方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/07/06 不服
2008 -6002 
外部ピンを通じてワードライン電圧を出力する半導体メモリ装置及びその電圧測定方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/06/30 不服
2007 -27354 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 恩田 誠   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/06/25 不服
2008 -6534 
メモリ素子のための高速テストシステム 本件審判の請求は、成り立たない。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2010/06/10 不服
2007 -13135 
ブロック書き込み時電力節減 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中村 稔 その他   ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2010/04/28 不服
2007 -31272 
分離素子を不要としたMRAM 本件審判の請求は、成り立たない。 池上 美穂   エバースピン テクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2010/04/26 不服
2007 -15618 
不揮発性メモリ回路 本件審判の請求は、成り立たない。   スパンション エルエルシー   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/04/21 不服
2007 -8052 
内容アドレス先入れ先出しデ-タ記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2010/04/21 不服
2007 -32033 
強誘電体メモリおよびその動作方法 本件審判の請求は、成り立たない。 安村 高明 その他   パトレネラ キャピタル リミテッド, エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2010/04/20 不服
2008 -14957 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/04/09 不服
2008 -27092 
半導体集積回路装置 本件審判の請求は、成り立たない。 伊丹 勝   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  

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