| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2021/11/12
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異議
2021
-700684
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半導体チップの製造方法、キット
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特許第6818037号の請求項1?36に係る特許を維持する。
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三橋 史生
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原文
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保存
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該当なし
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2021/03/30
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異議
2020
-700530
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半導体装置
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特許第6638823号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付さ……
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久野 淑己
その他
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原文
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保存
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該当なし
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2021/01/27
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不服
2019
-8099
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ケイ素含有膜の高温原子層堆積
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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胡田 尚則
その他
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バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー
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原文
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保存
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該当なし
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2020/07/01
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不服
2019
-12564
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エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2020/05/28
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不服
2019
-2829
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窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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インテグリス・インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2020/04/24
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不服
2018
-11669
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プラズマチャンバ部品用耐プラズマコーティング
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2019/12/26
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不服
2018
-16684
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反応性イオンエッチング方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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小林 博通
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アトランティック・イナーシャル・システムズ・リミテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2019/12/25
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不服
2018
-9404
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有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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三橋 真二
その他
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バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー
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原文
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保存
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該当なし
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2019/11/11
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不服
2018
-6346
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無塩素の共形SiN膜を蒸着させるための方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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ノベラス・システムズ・インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2019/09/18
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不服
2018
-4653
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炭化珪素半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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富士電機株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2019/08/20
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不服
2018
-10126
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炭化珪素半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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富士電機株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2019/08/05
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不服
2018
-6219
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半導体装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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酒井 昭徳
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国立研究開発法人産業技術総合研究所
富士電機株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2019/07/29
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不服
2018
-4709
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シリコン窒化膜の形成方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大陽日酸株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2019/07/29
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不服
2018
-14468
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有機半導体膜及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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パイクリスタル株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2019/07/08
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不服
2018
-10327
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プラズマエッチング方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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SPPテクノロジーズ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2019/06/18
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不服
2018
-7138
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半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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須藤 章
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2019/05/28
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不服
2018
-11504
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マルチ窪みのシャロートレンチアイソレーションを有する集積回路
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本件審判の請求は、成り立たない。
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台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
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原文
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保存
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該当なし
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2019/04/01
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不服
2018
-11590
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窒化物系電界効果トランジスタ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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高橋 英樹
その他
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三菱電機株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2019/03/20
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不服
2018
-7752
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半導体装置および半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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富士電機株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/11/27
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不服
2017
-14733
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非周期パルス逐次的横方向結晶化のためのシステムおよび方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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渡邊 誠
その他
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ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク
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原文
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保存
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該当なし
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2018/09/03
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不服
2017
-15382
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MOCVD反応炉の面状ヒータ用加熱エレメント
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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山口 巖
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ビーコ・インスツルメンツ・インコーポレーテッド
プランゼー エスエー
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原文
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保存
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該当なし
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2018/07/31
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不服
2015
-11596
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有機アミノシラン前駆体、並びにその製造方法及び使用方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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青木 篤
その他
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バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー
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原文
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保存
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該当なし
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2018/07/18
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判定
2017
-600044
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不揮発性半導体記憶装置
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イ号図面及びその説明書に示すフラッシュメモリは,特許第3660503……
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日野 真美
その他
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東芝メモリ 株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/09
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不服
2017
-1712
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高圧化学蒸着装置、方法、およびそれにより製造される組成物
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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稲葉 良幸
その他
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ジョージア ステート ユニバーシティ リサーチ ファウンデーション,インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2018/04/09
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不服
2016
-528
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膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および/または、蒸気内紫外線硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内紫外線硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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ノベラス・システムズ・インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/27
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不服
2017
-6958
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プラズマアニール方法及びその装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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宮崎 嘉夫
その他
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日産化学工業株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/19
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不服
2017
-2954
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パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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日立化成株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/05
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不服
2017
-2955
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パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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日立化成株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/02/05
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不服
2017
-4045
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半導体装置および半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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ラピスセミコンダクタ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/01/09
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不服
2016
-19712
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エピタキシャル構造、その形成方法、および、それを含むデバイス
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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シン フィルム エレクトロニクス エーエスエー
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原文
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保存
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該当なし
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