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現在の検索キーワード: 正山 旭

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2015/07/03 不服
2014 -5684 
増大された高磁場特性を有する超電導体、それを製造する方法、及びそれを含むMRI装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 清水 初志 その他   キム ヨン ジン   原文 保存
該当なし  
2015/03/18 不服
2014 -4363 
組み込まれたPN接合を有するショットキダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 光雄 その他   クレー・スウェーデン・アクチボラゲット   原文 保存
該当なし  
2014/12/26 不服
2013 -25685 
多孔状基板上にパターン電極をコンタクトさせる方法とその素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 恩田 誠 その他   ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド   原文 保存
該当なし  
2014/10/16 不服
2013 -18350 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 池田 憲保 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/05/01 不服
2013 -23391 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/03/31 不服
2013 -11093 
クライオスタットの内槽の製法 本件審判の請求は、成り立たない。 鈴木 三義 その他   大陽日酸株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/10/21 不服
2012 -22194 
相変化記憶セル及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/08/26 不服
2012 -2759 
高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/08/02 不服
2012 -11484 
電荷トラッピング不揮発性メモリおよびそのゲートバイゲート消去のための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 熊野 剛 その他   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -10650 
拡散バリアー層及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/10 不服
2012 -11797 
半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。 伊東 忠重 その他   インタレクチュアル ヴェンチャーズ ファースト エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/05/17 不服
2012 -6799 
垂直ナノチューブを利用した不揮発性メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/05/13 不服
2012 -15510 
トンネル障壁の上に電界分布層を有する電荷捕獲装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大倉 昭人   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2013/04/26 不服
2012 -9872 
超電導接合素子および超電導接合回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠重 その他   公益財団法人国際超電導産業技術研究センター 株式会社日立製作所 富士通株式会社 中国電力株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/08 不服
2012 -8191 
磁気トンネル接合型メモリセルおよびその製造方法、磁気トンネル接合型メモリセルアレイ 本件審判の請求は、成り立たない。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/01 不服
2012 -9445 
半導体装置のキャパシタおよびそれを備えるメモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/28 不服
2012 -8833 
磁気メモリセルおよびその製造方法ならびに磁気メモリセルアレイ 本件審判の請求は、成り立たない。 三反崎 泰司   アプライド スピントロニクス インコーポレイテッド ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/03/26 不服
2010 -23697 
極低温冷却システム 本件審判の請求は、成り立たない。 黒川 俊久 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし  
2013/03/04 不服
2011 -23361 
半導体集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2013/02/19 不服
2011 -23255 
フラッシュメモリ装置のワード線を保護するための方法および装置 本件審判の請求は、成り立たない。 大貫 敏史 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/02/19 不服
2012 -3088 
仮想接地メモリアレイのビット線間スペーサ 本件審判の請求は、成り立たない。 野田 久登 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/01/22 不服
2011 -13001 
超音波センサー 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
該当なし  
2013/01/22 不服
2011 -18291 
フラッシュメモリのためのパッシベーション構造およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 川端 純市 その他   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -9416 
超伝導スイッチング素子 本件審判の請求は、成り立たない。   津久井 克幸   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2011 -8910 
磁気メモリセルおよび磁気メモリアレイならびにそれらの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2011 -24473 
ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアレイ、およびDRAMデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 二宮 浩康 その他   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
該当なし  
2012/11/27 不服
2011 -2338 
メモリーデバイスを操作する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2012/11/20 不服
2011 -22308 
炭素ナノチューブを用いるメモリ素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/14 不服
2011 -1383 
RAM及びROM機能を有するトランジスタを含むメモリ素子及びその動作方法並びに製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/10/31 不服
2011 -15475 
光-磁束変換型入力インターフェース回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
該当なし  

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