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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2007/05/31 不服
2006 -3927 
酸化物超電導体を用いた限流素子、限流器およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   新日本製鐵株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/04/19 不服
2004 -24453 
半導体装置のキャパシタ形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2007/04/11 不服
2005 -4187 
強誘電体メモリ装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 井関 勝守 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/01/24 不服
2005 -220 
LSIデバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 前田 実   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/11/15 不服
2004 -18536 
強誘電体薄膜被覆基板、キャパシタ構造素子、及び強誘電体薄膜被覆基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/11/15 不服
2004 -25242 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 青山 葆   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/11/15 不服
2004 -14235 
トレンチキャパシタの製造方法及び半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2006/08/28 不服
2004 -16790 
半導体メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし  
2006/08/01 不服
2004 -5340 
高温超伝導量子干渉素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 將行 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/07/10 不服
2004 -18677 
半導体記憶装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 井関 勝守 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/05/31 不服
2004 -15545 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/03/29 不服
2004 -8360 
高温超伝導固有ジョセフソン接合の臨界電流制御方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
該当なし  
2006/03/20 不服
2003 -15875 
半導体装置の製造工程におけるエッチング方法及び半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2006/03/02 不服
2004 -7818 
ジョセフソン接合及びその作製方法 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人情報通信研究機構   原文 保存
該当なし  
2006/02/23 不服
2004 -19900 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2006/02/06 不服
2003 -17405 
改良された平滑度を持つ窒化ニオブのグラウンドプレーンを有するように超伝導体集積回路の表面粗さを低減する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 細川 伸哉 その他   ノースロップ・グラマン・スペイス・アンド・ミッション・システムズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2005/12/27 不服
2004 -19075 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/11/14 不服
2003 -10995 
PZT,PLZT及び白金層からSiO▲2▼層を隔離するための改良された方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大塚 文昭 その他   ラディアント テクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2005/11/01 不服
2002 -17881 
抵抗性電流制限器 本件審判の請求は、成り立たない。 三原 恒男 その他   ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2005/10/19 不服
2004 -17497 
酸化ジルコニウム膜とPZT膜との積層体及びこれを備えた半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大賀 眞司 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/10/06 不服
2003 -22105 
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 橋本 良郎 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2005/09/21 不服
2004 -21474 
超伝導デバイス装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 正武 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/09/16 不服
2003 -14268 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2005/07/14 不服
2003 -8206 
半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2005/07/08 異議
2003 -72358 
超電導磁場発生素子 訂正を認める。 特許第3389094号の請求項1ないし7に係る特許を維…… 高橋 祥起 その他     原文 保存
 新規事項の追加  
2005/06/13 不服
2003 -1315 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/06/01 不服
2003 -555 
超伝導接合体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 須山 佐一   独立行政法人科学技術振興機構 株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2005/05/25 不服
2004 -785 
誘電体キャパシタおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 濱田 百合子 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/05/25 不服
2003 -19944 
誘電体キャパシタおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 市川 利光 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/05/25 不服
2004 -786 
誘電体キャパシタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 市川 利光 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  

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