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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/01/09 不服
2011 -24134 
熱電素子及びその製造方法、並びに、熱電モジュール 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社小松製作所   原文 保存
該当なし  
2013/01/09 不服
2012 -465 
Si:CおよびSiGeエピタキシャル成長ソース/ドレインを用いた高性能で応力が向上されたMOSFETおよび製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/01/09 不服
2012 -1339 
同じ半導体チップ内のPMOSおよびNMOSトランジスタの薄いゲート誘電体を個々に最適化する方法、およびそれによって製造されたデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 太佐 種一 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/01/09 不服
2012 -5029 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/01/07 不服
2011 -23027 
クロック分配回路の設計方法,設計装置および設計プログラム並びに同プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/27 不服
2011 -25155 
半導体集積回路装置およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/25 不服
2011 -957 
イオン注入及び側方拡散による炭化シリコンパワーデバイスの自己整列的な製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大日方 和幸 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/12/21 不服
2011 -26792 
電荷捕捉型誘電体メモリデバイスにプログラミングを行う方法およびその方法でプログラムされた電荷捕捉型誘電体メモリデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/12/20 不服
2012 -5075 
コンデンサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石坂 泰紀 その他   TDK株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/20 不服
2012 -2847 
半導体装置とその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 柿本 恭成   ラピスセミコンダクタ株式会社 ラピスセミコンダクタ宮城株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/19 不服
2011 -23315 
整流素子およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/19 不服
2011 -6353 
電気メッキ法を利用して下部電極を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/14 不服
2011 -26233 
ブートストラップ回路並びにこれを用いたシフトレジスタ、走査回路及び表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NLTテクノロジー株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2012 -2970 
固体撮像装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 天城 聡   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -23827 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 荒川 伸夫 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -24740 
電子装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 赤岡 明 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -9416 
超伝導スイッチング素子 本件審判の請求は、成り立たない。   津久井 克幸   原文 保存
該当なし  
2012/12/11 不服
2011 -25331 
固体撮像素子及びカメラ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/07 不服
2011 -24258 
スピン注入磁気ランダムアクセスメモリとその書き込み方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河野 哲 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2011 -28064 
テスト性能が改善された半導体メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 長谷 照一 その他   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2011 -8910 
磁気メモリセルおよび磁気メモリアレイならびにそれらの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2011 -27577 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ミツミ電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2011 -24683 
記憶素子及びメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2010 -21445 
垂直トランジスタを有する集積回路構造及び垂直トランジスタを有する半導体デバイスを製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 朝日 伸光 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/11/29 不服
2011 -24981 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/29 不服
2011 -25616 
NANDフラッシュメモリ素子 本件審判の請求は、成り立たない。 藤田 考晴 その他   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/29 不服
2011 -26810 
熱電変換素子モジュール 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 金木 章郎   株式会社ユニバーサルエンターテインメント   原文 保存
該当なし  
2012/11/28 不服
2011 -7550 
圧電素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 二宮 浩康 その他   エプコス アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2012/11/28 不服
2011 -20413 
記憶素子及びメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 角田 芳末   グランディス インコーポレイテッド ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/28 不服
2011 -24103 
熱電変換材料及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 青木 篤 その他   トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし  

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