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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/08/21 不服
2011 -16674 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2011 -15784 
非晶質酸化物半導体材料、電界効果型トランジスタ及び表示装置 本件審判の請求は、成り立たない。 中島 淳 その他   富士フイルム株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -15723 
金属ゲート電極半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠重 その他   インテル コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -14740 
NAND型フラッシュメモリデバイスの形成方法 本件審判の請求は,成り立たない。 荒川 伸夫 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2010 -883 
熱処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/14 不服
2010 -26465 
磁気抵抗効果素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2010 -9835 
熱電変換材料の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人サクラ国際特許事務所   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2010 -16302 
半導体物質の表面改質方法、半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社イー・エム・ディー   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2010 -4663 
高精度メモリ読み出しオペレーション用選択回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/08/08 不服
2009 -14230 
単結晶シリコンウェーハの製造方法、この種のシリコンウェーハおよびその使用 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2012/08/07 不服
2011 -14663 
III族窒化膜双方向スイッチ 本件審判の請求は、成り立たない。 杉村 憲司   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2012/08/03 不服
2011 -3398 
固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/01 不服
2011 -18721 
連想記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山口 昭則   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/31 不服
2010 -16352 
バルク非晶質金属誘導デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 小野 新次郎 その他   メトグラス・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/07/30 不服
2010 -20498 
半導体素子の製造方法およびその方法により製造された半導体素子 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/30 不服
2011 -27650 
アクティブ・マトリクス・エレクトロルミネッセント・ディスプレイ・ピクセルとその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 有原 幸一 その他   トランスパシフィック・インフィニティ,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2012/07/26 不服
2010 -22269 
NANDフラッシュ・メモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 酒井 將行 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2011 -13646 
薄膜トランジスターの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   友達光電股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2010 -24699 
スピントルクを用いた不揮発性磁気メモリセルおよびこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2010 -27890 
誘電体の破壊によってプログラムすることが可能なリードオンリメモリアレイ 本件審判の請求は、成り立たない。 深見 久郎 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2010 -24065 
積層体の製造方法、半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 土井 健二   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2011 -7523 
SOI基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2010 -8403 
集積回路チップ構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 白根 俊郎 その他   メギカ・コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2011 -16720 
薄膜トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2010 -17714 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2009 -11859 
薄膜トランジスタ及びその製造方法と、薄膜トランジスタを含む平板表示装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 佐伯 義文 その他   三星モバイルディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし  
2012/07/13 不服
2010 -5261 
集積回路において光学的クロックを分散する方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山川 茂樹 その他   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2012/07/11 不服
2011 -15481 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2012/07/11 不服
2010 -12634 
被膜密着性に優れた超低鉄損方向性電磁鋼板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 来間 清志   JFEスチール株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/11 不服
2010 -9207 
半導体装置のための、SiまたはSiC上に厚い酸化物を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 澤田 達也   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  

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