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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/07/18 不服
2012 -23042 
ナノ構造の超小型化法、ナノ構造、および、ナノ開口を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 ▲吉▼川 俊雄   チェン、チュン-チン リン,ミン-ヌン   原文 保存
該当なし  
2013/07/16 不服
2012 -12087 
半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/07/16 不服
2012 -21322 
医療用のカセッテ型放射線画像検出器 本件審判の請求は、成り立たない。   コニカミノルタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/07/16 不服
2012 -24697 
トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 平木 祐輔 その他   国立大学法人東北大学 株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2013/07/12 不服
2012 -21120 
窒化酸化物層を有する半導体デバイスおよびこのための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/07/11 不服
2013 -1031 
複層構造のゲート電極を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/07/10 不服
2012 -20345 
半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の設計装置 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠彦 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/07/10 不服
2012 -14280 
電圧等化ループを備えるパッシベーション構造 本件審判の請求は、成り立たない。 大倉 昭人   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/07/05 不服
2012 -21346 
ナノ構造のクロス構造の製造 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 稲葉 良幸 その他   ソウル大学校産学協力団   原文 保存
該当なし  
2013/07/05 不服
2012 -10895 
窒化物半導体電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2013/07/04 訂正
2013 -390086 
高耐圧半導体装置 特許第3400301号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付さ…… 中村 誠   株式会社 東芝   原文 保存
該当なし  
2013/07/03 不服
2012 -20771 
炭化ケイ素デバイス用のエッジ終端構造およびエッジ終端構造を含む炭化ケイ素デバイスの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/07/03 不服
2012 -125 
同期および非同期併用MRSを含むPSRAM 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/27 不服
2011 -26087 
半導体コンポーネントとウエハの製造を評価するための手法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 佐久間 剛   タウ-メトリックス インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/26 不服
2012 -21958 
抵抗変化メモリのフォーミング方法、抵抗変化メモリ、及び、抵抗変化メモリの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 林 恒徳 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/26 不服
2012 -1266 
高周波数用途向けの電界効果トランジスタを備えた電子デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 勝沼 宏仁 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -24638 
溝ゲート型SiC半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 亀松 宏 その他   トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -2862 
固体撮像用半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/19 不服
2012 -15835 
半導体磁気抵抗素子およびその設計方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人 谷・阿部特許事務所 その他   旭化成エレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/19 不服
2012 -20404 
SOI基板およびSOI基板の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大野 聖二 その他   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/19 不服
2012 -12445 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/13 不服
2012 -19450 
半導体デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日本製鋼所   原文 保存
該当なし  
2013/06/12 不服
2012 -22501 
互い違い画素配列を有するイメージングシステム及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/11 不服
2012 -10610 
埋め込みガードリング及び耐放射線性分離構造並びにその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シリコン・スペース・テクノロジー・コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/06/11 不服
2012 -3383 
炭化珪素においてビアを形成する方法、及び得られるデバイスと回路 本件審判の請求は、成り立たない。 上田 忠 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/06 不服
2013 -3396 
電界効果型トランジスタ、その製造方法及びスパッタリングターゲット 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   出光興産株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/05 不服
2012 -10863 
基板を熱処理する装置及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山崎 孝博   シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -21093 
トレンチ拡散領域を有する金属酸化物半導体デバイスおよびその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 臼井 伸一 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -14639 
電気的な多層構成部材及び層スタック 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上島 類 その他   エプコス アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2013/05/31 不服
2011 -27573 
3ポートコンテントアドレサブルメモリデバイスおよびそれを実現するための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大貫 敏史   コア・ネットワークス・リミテッド ライアビリティ カンパニー   原文 保存
該当なし  

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