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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/04/25 不服
2012 -10039 
メモリセル構造の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 敏史 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/04/25 不服
2011 -23391 
金属を堆積させる方法、金属を堆積させるツール、配線を形成する方法及びプラズマスパッタリアクタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 熊倉 禎男 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/23 不服
2012 -9410 
NANDフラッシュメモリ素子 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/23 不服
2012 -15917 
トランジスタ 本件審判の請求は,成り立たない。 高村 順   三菱重工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/23 不服
2011 -25013 
半導体ウェハ上に形成された構造の方位角走査 本件審判の請求は、成り立たない。 青木 篤 その他   ティンバー テクノロジーズ,インコーポレイティド   原文 保存
該当なし  
2013/04/23 不服
2012 -12599 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2013/04/18 不服
2012 -2191 
高垂直異方性及び面内平衡磁化を有する自由層を備えたスピン転移磁気素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 恩田 誠 その他   グランディス インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/15 不服
2012 -15664 
ポリシリコン膜の形成方法、その方法で形成されたポリシリコン膜を備える薄膜トランジスタおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/09 不服
2012 -12302 
シリサイド成長ドーパント雪かき効果の使用による、デバイス中に階段接合の形成 本件審判の請求は,成り立たない。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/09 不服
2012 -11215 
大容量性負荷のためのトレンチIGBT 本件審判の請求は、成り立たない。 大倉 昭人   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/04/09 不服
2012 -6653 
プログラマブル消去不要メモリの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 下地 健一   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2013/04/08 不服
2012 -8191 
磁気トンネル接合型メモリセルおよびその製造方法、磁気トンネル接合型メモリセルアレイ 本件審判の請求は、成り立たない。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/08 不服
2012 -6889 
炭化珪素半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/08 不服
2012 -213 
耐久性の高い低オン抵抗の改良された本体ダイオード逆方向回復特性を有する低電圧二重ウェルMOSデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。   フェアーチャイルド セミコンダクター コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/04/08 不服
2012 -14600 
電界効果トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/02 不服
2012 -10424 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲岡 耕作   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/01 不服
2012 -9445 
半導体装置のキャパシタおよびそれを備えるメモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/29 不服
2012 -10235 
集積回路技術における低応力の側壁スペーサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/03/28 不服
2012 -8905 
レーザによりポリシリコン薄膜をアニールする光学系 本件審判の請求は,成り立たない。 大貫 進介 その他   ティーシーズィー,エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/03/27 不服
2011 -23304 
ボトムスピンバルブ型センサおよび対称性デュアルスピンバルブ型センサならびにそれらの形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/03/26 不服
2012 -11488 
デュアルスペーサを形成するための方法およびその方法により製造される不揮発性メモリデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 大貫 敏史 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/03/26 不服
2012 -14679 
レーザ移動を用いて感熱基板上に移植した磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)デバイスおよびこれを製造する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 間山 進也 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/03/25 不服
2012 -6134 
半導体要素、これを備えた有機発光ディスプレイ装置及び該半導体要素の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   三星ディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし  
2013/03/25 不服
2012 -964 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/21 不服
2012 -12260 
半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/18 不服
2012 -7740 
コンバータダイオードおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/15 不服
2012 -2636 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/14 不服
2012 -8681 
イメージセンサー及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 有原 幸一 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2013/03/13 不服
2012 -4508 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河野 直樹 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2013/03/13 不服
2012 -9587 
半導体複合構造体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 坂口 博 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  

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