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現在の検索キーワード: 川村 裕二

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/06/04 不服
2012 -14639 
電気的な多層構成部材及び層スタック 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久野 琢也 その他   エプコス アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2013/04/18 不服
2012 -2191 
高垂直異方性及び面内平衡磁化を有する自由層を備えたスピン転移磁気素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 本田 淳 その他   グランディス インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/08 不服
2012 -14600 
電界効果トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/27 不服
2011 -23304 
ボトムスピンバルブ型センサおよび対称性デュアルスピンバルブ型センサならびにそれらの形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/03/26 不服
2012 -8121 
半導体装置及びその作製方法並びに重水素処理装置 本件審判の請求は,成り立たない。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2013/03/11 不服
2011 -28135 
低飽和磁化自由層を有するスピン転移磁気素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 恩田 誠 その他   グランディス インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/03/05 不服
2012 -3664 
電流注入磁壁移動素子 本件審判の請求は、成り立たない。 清水 守   国立大学法人東北大学 独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
該当なし  
2012/12/07 不服
2011 -25139 
磁気トンネル接合、磁気ランダムアクセスメモリ、渦磁化状態の形成方法および渦磁化状態の切り換え方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/11/28 不服
2011 -7550 
圧電素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久野 琢也 その他   エプコス アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2012/11/20 不服
2011 -21891 
トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに製造装置 本件審判の請求は,成り立たない。 伊藤 高順 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2012/11/01 不服
2010 -10739 
磁気メモリ構造およびトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれらの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 三反崎 泰司   アプライド スピントロニクス インコーポレイテッド ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/10/22 不服
2011 -4516 
磁気抵抗センサ素子および磁気抵抗センサ素子の角度誤差を低減する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 星 公弘 その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2012/10/11 不服
2011 -14391 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 高橋 敬四郎   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/10/01 不服
2010 -28174 
磁気抵抗型積層構造体および該構造体を備えたグラジオメータ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 星 公弘 その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2012/09/28 不服
2011 -23948 
巨大磁気抵抗センサおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/09/24 不服
2011 -4590 
改良型MRAMトンネル接合のためのナノ結晶層 本件審判の請求は,成り立たない。   エバースピン テクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/08/22 不服
2010 -25956 
磁気センサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 正武   ヤマハ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/14 不服
2010 -26465 
磁気抵抗効果素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/07/17 不服
2010 -17768 
PチャネルパワーMIS電界効果トランジスタとその製造方法、およびスイッチング回路 本件審判の請求は,成り立たない。 山川 茂樹 その他   矢崎総業株式会社 大見 忠弘   原文 保存
該当なし  
2012/07/05 不服
2011 -9771 
小径ロッド及びチューブの作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小林 良平   ケンブリッジ・エンタープライズ・リミテッド サムコ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/26 不服
2010 -25479 
量子化コンダクタンス素子、これを用いた磁場変化検出方法及び磁気検出方法、並びに量子化コンダクタンス素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 克成 その他   学校法人早稲田大学   原文 保存
該当なし  
2012/06/18 不服
2010 -10314 
磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド 本件審判の請求は,成り立たない。 三反崎 泰司   アプライド スピントロニクス インコーポレイテッド ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/06/18 不服
2010 -24126 
表面スピンエレクトロニクスデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
該当なし  
2012/05/28 不服
2010 -12722 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/09 不服
2010 -24602 
磁電変換素子 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人 谷・阿部特許事務所   旭化成エレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/02 不服
2010 -14475 
スピンFET及び磁気抵抗効果素子 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 蔵田 昌俊 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/03/05 不服
2010 -8934 
磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気記録再生装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/02/10 不服
2010 -8422 
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 星宮 勝美   TDK株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/02/03 不服
2010 -22552 
高電気比抵抗磁気抵抗膜 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   公益財団法人電磁材料研究所   原文 保存
該当なし  
2012/01/19 不服
2010 -29083 
MTJ素子、MTJ素子アレイ、ならびにMTJ素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  

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