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現在の検索キーワード: 川村 裕二

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/12/19 不服
2008 -30965 
圧電素子 本件審判の請求は,成り立たない。 布施 行夫 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/12/12 不服
2010 -23909 
バンド設計超格子を有する半導体装置を製作する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠重 その他   メアーズ テクノロジーズ, インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/12/12 不服
2010 -23912 
バンド設計超格子を有する半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 進介 その他   メアーズ テクノロジーズ, インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/12/02 不服
2009 -11560 
スピンバルブ構造の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/11/16 不服
2009 -9970 
スピンバルブ型磁気抵抗効果センサ素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/11/16 不服
2010 -11382 
非晶質CoFeSiB又は非晶質NiFeSiB自由層を備える磁気トンネル接合 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/02 不服
2009 -8095 
横型MOSトランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/01 不服
2009 -15016 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒瀬 泰之 その他   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/21 不服
2009 -18120 
低減された界面粗さ(界面ラフネス)を有するニッケルシリサイド 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 早川 裕司 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/09/13 不服
2009 -8300 
半導体装置およびその駆動方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/08/03 不服
2009 -17209 
磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヤマハ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/07/06 不服
2008 -29013 
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 本件審判の請求は、成り立たない。   TDK株式会社   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2011/06/29 不服
2008 -7866 
電力増幅用電界効果型半導体装置およびその製造方法、ならびにパワーモジュール 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/04/25 不服
2009 -10163 
高K誘電体膜及びその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 本田 淳   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/03/30 不服
2008 -2178 
強誘電体層を有する層構造体、および層構造体の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 二宮 浩康 その他   ピレオス リミテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/03/17 不服
2008 -2954 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2011/03/02 不服
2008 -21678 
半導体素子の電導性ライン形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 西山 修 その他   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/02/02 不服
2008 -15776 
原子状酸素促進酸化(atomicoxygenenhancedoxidation)を使ってゲート活性化を改良する方法 本件審判の請求は,成り立たない。 上野 剛史 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/01/11 不服
2008 -6276 
圧電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ 本件審判の請求は,成り立たない。 田中 克郎 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/28 不服
2008 -21117 
半導体素子のゲート酸化膜の形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 本田 淳 その他   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2010/12/22 不服
2008 -5980 
横形超接合半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大倉 昭人 その他   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2010/11/26 不服
2008 -8316 
電子部品 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒木 義樹 その他   TDK株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/11/02 不服
2007 -21045 
半導体素子及びその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/25 不服
2008 -12394 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 竹内 宏 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/21 不服
2008 -8075 
圧電体素子及びこれを用いた電気機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上柳 雅誉 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/20 不服
2008 -564 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/05 不服
2007 -29352 
エピタキシャル層を利用するトランジスター構造及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 新規性  新規事項の追加  パリ条約  
2010/10/05 不服
2007 -34984 
MOS型トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久原 健太郎 その他   セイコーインスツル株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/30 不服
2007 -25167 
磁気抵抗効果素子およびその製造装置並びに磁気メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 森 幸一 その他   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/28 不服
2007 -31776 
磁気トンネル接合素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヤマハ株式会社   原文 保存
該当なし  

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