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現在の検索キーワード：早川朋一

222 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2013/11/05	不服 2012 -10289	NAND型フラッシュメモリ素子のリカバリ方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エスケーハイニックス株式会社	原文	保存
該当なし
2013/10/28	不服 2013 -5187	相互接続構造体形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	太佐種一	インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション	原文	保存
該当なし
2013/10/21	不服 2012 -19358	プログラマブルな抵抗メモリ装置、およびそれを用いた系、ならびにそれを形成する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	野村泰久	マイクロンテクノロジー, インク.	原文	保存
該当なし
2013/10/08	不服 2012 -9553	周波数変化によってデータの出力タイミングを制御するための半導体メモリ装置	本件審判の請求は、成り立たない。	神谷牧	エスケーハイニックス株式会社	原文	保存
該当なし
2013/10/07	不服 2012 -24913	フラッシュメモリ素子及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エスケーハイニックス株式会社	原文	保存
該当なし
2013/09/30	無効 2012 -800203	炭化珪素半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。審判費用は、請求人の負担……	大野浩之その他	入子俊昭	原文	保存
該当なし
2013/09/30	不服 2012 -14780	LSI品種決定方法、LSI品種決定プログラムおよびLSI品種決定装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通株式会社	原文	保存
該当なし
2013/09/30	不服 2012 -21818	ナンド型フラッシュメモリ素子及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エスケーハイニックス株式会社	原文	保存
該当なし
2013/09/30	不服 2012 -18894	導電性側壁スペーサを有する不揮発性メモリ装置及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エスケーハイニックス株式会社	原文	保存
該当なし
2013/09/27	不服 2011 -26167	高速メモリシステムにおいて読出しタイミングを同期させる方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	濱中淳宏	マイクロンテクノロジー, インク.	原文	保存
該当なし
2013/09/17	不服 2012 -11646	温度に鈍感な飽和電流を有するMOSトランジスタ及びそれを用いた定電圧発生器	本件審判の請求は、成り立たない。		エスケーハイニックス株式会社	原文	保存
該当なし
2013/09/13	不服 2011 -28057	フィードバックエッチング制御を用いて臨界寸法を制御するための方法および装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	深見久郎その他	アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2013/09/05	不服 2013 -6961	薄膜トランジスター	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	影山秀一	三菱マテリアル株式会社株式会社アルバック	原文	保存
該当なし
2013/09/04	不服 2012 -20129	高誘電率のゲート絶縁膜を有する半導体装置及びそれの製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	渡邊隆	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2013/08/30	不服 2011 -24441	トレンチゲートMISデバイスの構造及び製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	勝見陽介その他	シリコニックス・インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2013/08/26	不服 2012 -2759	高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	実広信哉	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2013/08/21	不服 2013 -2570	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通株式会社	原文	保存
該当なし
2013/08/19	不服 2012 -17612	集積回路とメモリセルのトラップチャージ層のチャージ方法	本件審判の請求は、成り立たない。	岡部讓その他	アルカテル-ルーセントユーエスエーインコーポレーテッド	原文	保存
該当なし
2013/08/16	不服 2012 -11676	固体撮像装置	本件審判の請求は、成り立たない。		ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2013/08/13	不服 2012 -9945	不揮発性メモリーセルと動作方法	本件審判の請求は、成り立たない。	熊野剛その他	旺宏電子股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2013/08/07	不服 2012 -3644	メモリアレイの操作方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		マクロニクスインターナショナルカンパニーリミテッド	原文	保存
該当なし
2013/08/05	不服 2012 -8780	NANDフラッシュメモリ素子の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エスケーハイニックス株式会社	原文	保存
該当なし
2013/08/05	不服 2012 -13879	半導体素子の銅金属配線形成方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エスケーハイニックス株式会社	原文	保存
該当なし
2013/08/02	不服 2012 -11484	電荷トラッピング不揮発性メモリおよびそのゲートバイゲート消去のための方法	本件審判の請求は、成り立たない。	田中秀佳その他	旺宏電子股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2013/07/29	不服 2011 -27085	高速スイッチング絶縁ゲート型パワー半導体デバイス	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。	岡部讓その他	ノース-ウエストユニヴァーシティ	原文	保存
該当なし
2013/07/23	不服 2012 -22568	半導体装置およびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2013/07/10	不服 2012 -17003	検査方法及び半導体基板製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社SUMCO	原文	保存
該当なし
2013/07/01	不服 2012 -21557	半導体装置およびその製造方法と、積層型半導体集積回路	本件審判の請求は、成り立たない。	緒方雅昭その他	日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
2013/06/25	不服 2012 -14257	半導体素子のキャパシタ製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エスケーハイニックス株式会社	原文	保存
該当なし
2013/06/24	不服 2012 -16828	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	大前要	シャープ株式会社	原文	保存
該当なし

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