| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2018/05/30
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判定
2017
-600045
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半導体記憶装置の製造方法
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判定請求書に示すイ号NANDフラッシュメモリ(半導体記憶装置)の製……
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日野 真美
その他
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東芝メモリ 株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/28
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不服
2018
-2614
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トレンチゲート型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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富士電機株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/21
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不服
2017
-8774
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高クロック速度での連続リードバーストサポート
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大貫 敏史
その他
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サイプレス セミコンダクター コーポレーション
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/21
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不服
2016
-18333
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一時的にボンディングされた製品ウェハの処理方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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アインゼル・フェリックス=ラインハルト
その他
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エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/09
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不服
2017
-1712
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高圧化学蒸着装置、方法、およびそれにより製造される組成物
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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稲葉 良幸
その他
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ジョージア ステート ユニバーシティ リサーチ ファウンデーション,インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/09
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不服
2017
-5849
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垂直相互接続を用いたハイブリッド積層画像センサのためのサブ列パラレルデジタイザのシステムおよび方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大島 孝文
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デピュー シンセス プロダクツ,インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/07
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不服
2017
-8868
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シリコンオンインシュレータ基板上に導波路の光分離を提供する方法および構造
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/07
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異議
2018
-700153
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高分子圧電フィルム
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特許第6184611号の請求項1?13に係る特許を維持する。
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中島 淳
その他
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/07
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不服
2017
-14703
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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▲高▼木 邦夫
その他
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日立化成株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/02
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異議
2017
-700960
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エッチング液およびそのキット、これらを用いたエッチング方法、半導体基板製品の製造方法および半導体素子の製造方法
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特許第6110814号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正……
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赤羽 修一
その他
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原文
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保存
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該当なし
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2018/04/23
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不服
2017
-10444
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積層半導体構造における縦方向の電気接続の形成方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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アヴェニ
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原文
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保存
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該当なし
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2018/04/23
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不服
2017
-8807
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半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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大塚 文昭
その他
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ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2018/04/17
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不服
2017
-11327
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電気接続箱
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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福田 康弘
その他
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矢崎総業株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/04/09
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不服
2016
-528
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膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および/または、蒸気内紫外線硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内紫外線硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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ノベラス・システムズ・インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2018/04/09
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不服
2017
-8700
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パッド構造
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本件審判の請求は、成り立たない。
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井上 和真
その他
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台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
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原文
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保存
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該当なし
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2018/04/09
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不服
2017
-8753
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半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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株式会社半導体エネルギー研究所
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原文
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保存
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該当なし
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2018/04/03
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訂正
2018
-390015
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撮像装置
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特許第6243498号の明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細……
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磯野 富彦
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采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司
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原文
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保存
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該当なし
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2018/04/02
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不服
2017
-5986
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半導体装置の製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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サンケン電気株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/29
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不服
2016
-17264
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スプリットゲート電界効果トランジスタ
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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ヴィシェイ-シリコニックス
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/29
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不服
2017
-5416
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イメージセンサおよびその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/26
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不服
2017
-8229
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金属ゲートとストレッサーを有するゲルマニウムフィンFET
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本件審判の請求は、成り立たない。
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田澤 英昭
その他
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台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/26
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不服
2017
-11199
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半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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大塚 文昭
その他
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ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/19
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不服
2017
-9552
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固体撮像装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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西川 孝
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ソニー株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/19
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不服
2017
-2167
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炭化ケイ素縦型MOSFET及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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酒井 昭徳
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富士電機株式会社
国立研究開発法人産業技術総合研究所
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/19
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不服
2017
-6316
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相変化メモリセル
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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水村 香穂里
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鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
ツィンファ ユニバーシティ
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/19
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不服
2017
-9976
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高圧急速熱処理のための装置および方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/16
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訂正
2018
-390018
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半導体装置
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特許第6242633号の明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に……
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日向寺 雅彦
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株式会社 東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/14
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不服
2017
-11407
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電子ラベルタグ及び電子ラベルタグシステム
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本件審判の請求は、成り立たない。
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吉澤 弘司
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マリセンス オーワイ
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/12
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不服
2017
-8169
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撮像素子
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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オリンパス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/12
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不服
2017
-9574
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高分子圧電材料、およびその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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福田 浩志
その他
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三井化学株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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