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現在の検索キーワード: 滝谷 亮一

181 件のヒット

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2018/06/04 不服
2017 -5543 
メモリデバイス群間でのチェックビットメモリデバイスの共有 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲葉 良幸 その他   ラムバス・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2018/05/28 不服
2017 -5289 
メモリ管理方法、コンピュータシステム、コンピュータプログラム及び記憶媒体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠彦 その他   マイクロソフト テクノロジー ライセンシング,エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2018/05/08 不服
2017 -11170 
不揮発性メモリ装置、メモリシステム、及びそれのプログラム方法 本件審判の請求は、成り立たない。 木内 敬二 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/04/23 不服
2017 -9561 
ソリッドステート記憶媒体に関する設定パラメーターを判定するための装置、システム、及び方法 本件審判の請求は,成り立たない。   サンディスク テクノロジーズ エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2018/03/19 不服
2017 -9975 
データ処理方法、装置、およびシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 木内 敬二   ▲ホア▼▲ウェイ▼技術有限公司   原文 保存
該当なし  
2018/03/19 不服
2017 -5406 
メモリセルのセンシング 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大菅 義之   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2018/02/19 不服
2017 -1905 
メモリセルの分散されたサブブロックにアクセスすることを伴う装置および方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 大菅 義之   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2018/01/30 不服
2017 -9558 
不揮発性半導体記憶装置、及びデータ書き込み方法 本件審判の請求は、成り立たない。   東芝メモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/01/10 不服
2016 -14830 
エラー訂正コードの制御方法および大容量ストレージ 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   シーゲイト テクノロジー エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2017/11/20 不服
2016 -16589 
メモリ・システムにおけるチャネル深さ調整 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2017/09/28 不服
2016 -13276 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 緒方 和文 その他   ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル   原文 保存
該当なし  
2017/08/02 不服
2016 -8664 
電子式計算機およびプログラム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   カシオ計算機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/07/20 不服
2016 -5508 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 緒方 和文 その他   ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル   原文 保存
該当なし  
2017/07/18 不服
2016 -14929 
3Dメモリにおけるサブブロックの無効化 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2017/07/07 不服
2016 -426 
メモリ要求を処理するためのシステム及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 早川 裕司 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/06/19 不服
2017 -2378 
共通の列マルチプレクサ及びセンスアンプハードウェアを有するランダムアクセスメモリコントローラ 本件審判の請求は,成り立たない。   マーベル・イスラエル・(エム・アイ・エス・エル)・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2017/05/31 不服
2016 -2504 
より高いレベルの冗長な情報の計算 本件審判の請求は,成り立たない。   シーゲイト テクノロジー エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2017/04/21 不服
2016 -12152 
磁気トンネル接合(MTJ)に基づくメモリセルをパルス読出電流に基づき読み出す方法及びシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 進介 その他   インテル コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2017/04/20 不服
2016 -1916 
不揮発性メモリ装置およびその動作方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/04/17 不服
2015 -8828 
複数の独立したシリアルリンクメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 黒瀬 泰之 その他   コンバーサント・インテレクチュアル・プロパティ・マネジメント・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/03/27 不服
2016 -1565 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2017/02/15 不服
2015 -20816 
不揮発性メモリデバイス及びかかるデバイスのプログラミング方法 本件審判の請求は、成り立たない。 西島 孝喜 その他   シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/02/02 不服
2015 -18246 
回転ゲートを有するMRAMベースのメモリデバイス 本件審判の請求は,成り立たない。 篠原 淳司 その他   クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム   原文 保存
該当なし  
2017/01/30 不服
2016 -2139 
フラッシュメモリブロックの適応的なプログラミングまたは消去 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲葉 良幸 その他   サイプレス セミコンダクター コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2017/01/30 判定
2016 -600011 
半導体装置 (イ)号図面及びその説明書に示す「半導体装置」は,特許第5726980…… 弁護士法人 ベリーベスト法律事務所 その他   株式会社 東芝   原文 保存
該当なし  
2017/01/30 不服
2015 -3039 
半導体記憶装置、およびデータ縮約テスト方法 本件審判の請求は、成り立たない。 緒方 和文 その他   ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル   原文 保存
該当なし  
2017/01/27 不服
2015 -8025 
メモリ用連続的ページ読み出し 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大菅 義之   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2016/12/12 不服
2015 -21642 
エラー訂正パリティビットによるMRAMスマートビット書き込みアルゴリズムの方法および装置 本件審判の請求は、成り立たない。   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2016/11/15 不服
2015 -7093 
スピン移動トルクランダムアクセスメモリのための階層状データ経路を提供する方法およびシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 崔 允辰 その他   サムスン セミコンダクター,インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2016/11/02 不服
2015 -20309 
有効化回路を含むデバイスおよびシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  

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