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現在の検索キーワード: 滝谷 亮一

181 件のヒット

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2016/09/27 不服
2015 -12612 
不揮発性メモリ装置およびそのプログラム方法と、それを含むメモリシステム 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/09/21 不服
2014 -23238 
NAND型フラッシュメモリの読み込み方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   華邦電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2016/09/02 不服
2015 -6737 
処理ユニットのローカルメモリ読み出し 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 佐野 良太 その他   エーティーアイ・テクノロジーズ・ユーエルシー アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/08/10 不服
2015 -14283 
電力消費量を削減したMRAMベースのメモリ装置の書き込み方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 鍛冶澤 實 その他   クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム   原文 保存
該当なし  
2016/06/06 不服
2015 -1932 
センスアンプ制御回路及び制御方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒瀬 泰之 その他   ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル   原文 保存
該当なし  
2016/05/06 不服
2014 -25578 
プリセットオペレーションを必要とするメインメモリユニットおよび補助メモリユニットを備える半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。   ノヴァチップス カナダ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/04/21 不服
2014 -24046 
半導体記憶装置の出力回路、および半導体記憶装置の出力回路のデータ出力方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 緒方 和文 その他   ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル   原文 保存
該当なし  
2016/04/21 不服
2015 -4718 
漏洩電流を低減させるための不揮発性メモリ装置のプログラム禁止方法 本件審判の請求は、成り立たない。 杉村 憲司   力旺電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2016/04/21 不服
2014 -18437 
スピン転移トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリにおける読出し及び書込みのためのワードライン・トランジスタ強度制御 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 井上 正 その他   クゥアルコム・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/03/28 不服
2014 -22605 
メモリデバイスおよびシステム内のソフトデータの決定および使用 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大菅 義之   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2016/03/07 不服
2014 -23249 
分割された書込みおよび読取りビット線を含む不揮発性メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒田 晋平   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/02/29 不服
2014 -20465 
データストレージデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   グーグル インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/02/22 不服
2015 -2910 
仮想制御ステーション 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 園田 吉隆   ザ・ボーイング・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2016/01/18 不服
2015 -2930 
ストリームトランザクション情報に基づいてページ管理ポリシーを適用するためのメモリコントローラ、システム、および方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒田 晋平   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/01/13 不服
2014 -13443 
マルチレベルの行デコーディングを用いるNANDフラッシュアーキテクチャ 本件審判の請求は、成り立たない。 鷲頭 光宏 その他   コンバーサント・インテレクチュアル・プロパティ・マネジメント・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2015/12/14 不服
2015 -2471 
フラッシュメモリデバイスを指定する集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マーベル ワールド トレード リミテッド   原文 保存
該当なし  
2015/12/14 不服
2015 -3014 
構成可能な仮想ページサイズを有するブリッジデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒瀬 泰之 その他   コンバーサント・インテレクチュアル・プロパティ・マネジメント・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2015/12/08 不服
2014 -25087 
少なくとも1つのセキュアなメモリ領域と少なくとも1つの非セキュアなメモリ領域とを同時に提供するメモリモジュール 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2015/12/07 不服
2015 -2270 
電極基板、タッチパネル及びディスプレイ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エルジー イノテック カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2015/12/07 不服
2014 -25004 
シリアルで相互接続されたデバイス用にデバイス識別子を確立するための装置および方法 本件審判の請求は、成り立たない。 緒方 和文 その他   コンバーサント・インテレクチュアル・プロパティ・マネジメント・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2015/11/05 不服
2014 -22034 
半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/10/01 不服
2014 -18912 
NANDフラッシュメモリユニット、NANDフラッシュメモリ配列、およびそれらの動作方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   群聯電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2015/09/16 不服
2014 -13806 
固体メモリフォーマッティング 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2015/07/13 不服
2014 -16405 
論理アドレスオフセット 本件審判の請求は、成り立たない。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2015/06/02 不服
2013 -25429 
不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶装置からのデータ読み出し方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲葉 良幸   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2015/04/13 不服
2013 -16370 
不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリのデータ書込み方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/01/29 不服
2013 -17150 
複数の分離されたウェル領域上のローカルコントロールゲートを含む不揮発性メモリ装置及び関連する方法とシステム 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/11/20 不服
2013 -19562 
メモリコントローラ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上羽 秀敏 その他   株式会社メガチップス   原文 保存
該当なし  
2014/11/18 不服
2013 -25140 
3個のラッチを利用するメモリセル・プログラミング方法及び半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/07/07 訂正
2014 -390075 
半導体装置及びデータ処理システム 特許第5490239号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求…… 玉村 静世   ルネサスエレクトロニクス 株式会社   原文 保存
該当なし  

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