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現在の検索キーワード： 滝谷 亮一

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2014/02/14 不服
2012 -22419  		パターン評価方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 平木 祐輔 その他   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし 　
2013/12/19 不服
2013 -13640  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠重 その他   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/11/07 不服
2012 -21062  		マルチレベルセルフラッシュメモリのアクセス方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/10/07 不服
2011 -22840  		記憶されたデータの使用に対する強制的な制限 本件審判の請求は、成り立たない。 古谷 聡 その他   ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.   原文 保存
該当なし 　
2013/09/30 不服
2012 -14780  		LSI品種決定方法、LSI品種決定プログラムおよびLSI品種決定装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/09/10 不服
2012 -6810  		半導体メモリのコラム選択信号制御装置及び方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/08/21 不服
2012 -17531  		プログラミング中にベリファイするために隣接するワード線をバイアスするための不揮発性メモリおよびその方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/05/15 不服
2011 -27181  		アドレス依存条件を使用するメモリオペレーション用の装置及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   サンディスク スリーディー エルエルシー.   原文 保存
該当なし 　
2013/05/08 不服
2012 -5249  		バンクおよびセクタに配置されるメモリアレイならびに関連の復号器 本件審判の請求は、成り立たない。 野田 久登 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/05/02 不服
2012 -4900  		半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   658868 エヌ ビー インク   原文 保存
該当なし 　
2013/03/25 不服
2011 -4382  		データ処理デバイスと方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 義教   テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル)   原文 保存
該当なし 　
2013/03/25 不服
2011 -25401  		同期式半導体装置用のレイテンシ制御装置及びレイテンシ制御方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/03/14 不服
2012 -9227  		半導体装置の不良分析のための分析構造体及びこれを用いた不良分析方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/23 不服
2011 -21293  		シリコンウェーハ表面品質の評価方法 本件審判の請求は、成り立たない。 石原 進介   三益半導体工業株式会社 信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/01 不服
2011 -18489  		不揮発性メモリおよび改善された部分的ページプログラミング機能を備えた制御処理 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/08/13 不服
2010 -4663  		高精度メモリ読み出しオペレーション用選択回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/06/25 不服
2011 -9234  		不揮発性記憶内の結合の補償 本件審判の請求は、成り立たない。   サンディスク コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2012/05/29 不服
2011 -4943  		ページバッファおよびこれを用いたフラッシュメモリ素子の検証方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/02/24 不服
2011 -7560  		情報再生方法及び情報再生装置 本件審判の請求は、成り立たない。 幸長 保次郎 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2011/11/29 不服
2010 -4280  		磁気抵抗ラム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約 　
2011/11/07 不服
2008 -23695  		磁気ランダムアクセスメモリ及びその作動方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約 　
2011/10/21 不服
2010 -25882  		データ転送システム 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/09/21 不服
2009 -12900  		半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。 仲村 義平 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/07/11 不服
2009 -9240  		プログラム検証動作の実施方法、消去検証動作の実施方法、検出時間制御回路、およびフラッシュメモリデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 青木 篤 その他   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/03/30 不服
2010 -27998  		データ管理装置およびデータ管理システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 吉竹 英俊   コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/02/22 不服
2008 -16728  		メモリデバイスの電圧しきい値設定システムおよび方法 本件審判の請求は、成り立たない。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/02/07 不服
2009 -23793  		アレイセルのしきい値電圧を検出する方法およびメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 野田 久登 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2010/12/20 不服
2008 -28684  		不揮発性多値半導体メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2010/12/20 不服
2008 -17403  		フラッシュメモリ装置及びそれの消去方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/12/15 不服
2009 -24248  		リフレッシュトリガー付き半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　

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