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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/08/29 不服
2011 -1419 
アライメントキーを有する半導体素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -13669 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 吉竹 英俊   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -7038 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/15 不服
2011 -11972 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2010 -9835 
熱電変換材料の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 須山 佐一   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/07 不服
2011 -14663 
III族窒化膜双方向スイッチ 本件審判の請求は、成り立たない。 杉村 憲司   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2012/07/31 不服
2010 -23960 
半導体装置及び強誘電体メモリ、半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 宮坂 一彦 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/30 不服
2010 -12175 
サーモパイルアレイの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本セラミック株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2011 -13646 
薄膜トランジスターの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   友達光電股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2012/07/17 不服
2010 -17347 
熱電変換材料 本件審判の請求は、成り立たない。   大日本印刷株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/13 不服
2010 -15372 
ホット・キャリアでプログラムされるワン・タイム・プログラマブル(OTP)メモリのための方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岡部 正夫 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/07/10 不服
2010 -23243 
バイポーラ集積回路のためのセル構造および方法 本件審判の請求は、成り立たない。 本城 雅則   セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2012/07/03 不服
2010 -24299 
レーザ走査装置および熱処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大渕 美千栄   ウルトラテック インク   原文 保存
該当なし  
2012/05/28 不服
2010 -2554 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 森田 俊雄 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/05/08 不服
2010 -18402 
静電放電から保護される薄膜共振器 本件審判の請求は、成り立たない。 古谷 聡 その他   アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2012/04/24 不服
2010 -21455 
エッチング停止層としてポリシリコン再酸化層を使用することによって、シリコン層の凹部を減少する窒化オフセットスペーサ 本件審判の請求は、成り立たない。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/04/23 不服
2010 -21728 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 来山 幹雄   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/10 不服
2010 -13469 
半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の調整方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/02/27 不服
2010 -7826 
ダイナミック型RAMと半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 緒方 雅昭 その他   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/23 不服
2010 -27174 
化合物半導体薄膜のp型への活性化方法 本件審判の請求は、成り立たない。 稲積 朋子   サムスン エルイーディー カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2012/01/20 不服
2010 -4593 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 佐々木 敬 その他   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/21 不服
2010 -3844 
構造基板の製造方法および半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森 幸一   ソニー株式会社 住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/29 不服
2009 -961 
半導体ダイにおける、電圧依存性が低減した高密度複合MIMキャパシタ 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2011/11/08 不服
2010 -12949 
化合物半導体エピタキシャル基板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   住友化学株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/17 不服
2010 -26174 
非均一イオン注入法を用いる半導体処理の補償 本件審判の請求は、成り立たない。 堀井 豊 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/09/14 不服
2010 -81 
トレンチショットキー整流器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊賀 誠司   ゼネラル セミコンダクター,インク.   原文 保存
 パリ条約  
2011/09/14 不服
2009 -24927 
半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2011/08/30 不服
2008 -22683 
半導体集積回路のレイアウト設計方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田村 恭生 その他   株式会社リコー   原文 保存
該当なし  
2011/08/19 不服
2008 -27546 
不揮発性半導体記憶装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 川合 誠 その他   OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/07/06 不服
2009 -21040 
動的閾値動作トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 光雄 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  

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