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現在の検索キーワード: 萩原 周治

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/03/25 不服
2008 -1528 
実質的に準安定なSiGe層とその形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 坂口 博 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2011/02/28 不服
2009 -6203 
シリコン半導体基板の熱処理方法とその装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2011/02/21 不服
2007 -28767 
2つの固体材料の分子接着界面における結晶欠陥および/または応力場の顕在化プロセス 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし  
2011/02/17 不服
2008 -10171 
アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  国内優先権  
2011/02/07 不服
2008 -16402 
アニールウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石原 進介   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/01/04 不服
2008 -16795 
貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  国内優先権  
2010/12/06 不服
2007 -21417 
半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 長谷部 政男 その他   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/03 不服
2008 -7193 
アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。 石原 詔二   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/01 不服
2008 -8332 
薄膜半導体装置および薄膜半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/01 不服
2008 -2988 
半導体結晶化方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人原謙三国際特許事務所   シャープ株式会社 株式会社日本レーザー   原文 保存
該当なし  
2010/11/24 不服
2008 -9473 
シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石原 進介   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/11/10 不服
2007 -34518 
薄膜半導体装置の製造方法および薄膜半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上柳 雅誉   三菱電機株式会社 セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/11/04 不服
2008 -10189 
窒素ドープアニールウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/13 不服
2007 -23591 
シリコンウェーハの熱処理方法 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2010/10/12 不服
2008 -10179 
アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/04 不服
2008 -3998 
貼り合せ基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/01 不服
2009 -4627 
支持体に接着される基板を有する半導体本体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 高梨 玲子 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし  
2010/09/27 不服
2007 -29875 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/27 不服
2008 -10176 
エピタキシャルウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/21 不服
2007 -4051 
レーザ照射装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 来山 幹雄   住友重機械工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/16 不服
2007 -2741 
張合わせウエハ-及びその製造方法、基板 本件審判の請求は、成り立たない。   宇部興産株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/14 不服
2009 -22935 
半導体膜の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2010/09/08 不服
2008 -7801 
アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石原 進介   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/02 不服
2007 -23634 
シリコンウエーハおよびシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/08/24 不服
2007 -22911 
薄膜トランジスタパネルの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 関根 宣夫 その他   インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティチュート   原文 保存
該当なし  
2010/07/15 不服
2007 -22125 
高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2010/07/02 不服
2007 -27133 
半導体素子の製造方法、および半導体素子製造用処理室 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 岡田 宏之   OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/06/15 不服
2008 -543 
SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/06/09 不服
2007 -8439 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/06/08 不服
2009 -11380 
シリコン半導体ウエハの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  

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