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現在の検索キーワード： 萩原 周治

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/03/25 不服
2008 -1528  		実質的に準安定なSiGe層とその形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 坂口 博 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2011/02/28 不服
2009 -6203  		シリコン半導体基板の熱処理方法とその装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位) 　
2011/02/21 不服
2007 -28767  		2つの固体材料の分子接着界面における結晶欠陥および/または応力場の顕在化プロセス 本件審判の請求は、成り立たない。 村山 靖彦 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし 　
2011/02/17 不服
2008 -10171  		アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  国内優先権 　
2011/02/07 不服
2008 -16402  		アニールウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石原 進介   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/01/04 不服
2008 -16795  		貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  国内優先権 　
2010/12/06 不服
2007 -21417  		半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田名網 孝昭 その他   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/12/03 不服
2008 -7193  		アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。 石原 進介   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/12/01 不服
2008 -8332  		薄膜半導体装置および薄膜半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/12/01 不服
2008 -2988  		半導体結晶化方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人原謙三国際特許事務所   株式会社日本レーザー シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/24 不服
2008 -9473  		シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石原 詔二   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/10 不服
2007 -34518  		薄膜半導体装置の製造方法および薄膜半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上柳 雅誉   セイコーエプソン株式会社 三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/04 不服
2008 -10189  		窒素ドープアニールウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/10/13 不服
2007 -23591  		シリコンウェーハの熱処理方法 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし 　
2010/10/12 不服
2008 -10179  		アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/10/04 不服
2008 -3998  		貼り合せ基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/10/01 不服
2009 -4627  		支持体に接着される基板を有する半導体本体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし 　
2010/09/27 不服
2007 -29875  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/27 不服
2008 -10176  		エピタキシャルウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/21 不服
2007 -4051  		レーザ照射装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 来山 幹雄   住友重機械工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/16 不服
2007 -2741  		張合わせウエハ-及びその製造方法、基板 本件審判の請求は、成り立たない。   宇部興産株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/14 不服
2009 -22935  		半導体膜の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2010/09/08 不服
2008 -7801  		アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石原 進介   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/02 不服
2007 -23634  		シリコンウエーハおよびシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/08/24 不服
2007 -22911  		薄膜トランジスタパネルの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 古賀 哲次 その他   インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティチュート   原文 保存
該当なし 　
2010/07/15 不服
2007 -22125  		高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2010/07/02 不服
2007 -27133  		半導体素子の製造方法、および半導体素子製造用処理室 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 大垣 孝   OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/06/15 不服
2008 -543  		SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/06/09 不服
2007 -8439  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/06/08 不服
2009 -11380  		シリコン半導体ウエハの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし 　

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