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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2009/05/08 不服
2006 -11565 
半導体メモリ装置のアドレス入力バッファ 本件審判の請求は、成り立たない。 村山 靖彦 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/05/08 不服
2006 -19216 
固体電解コンデンサ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NECトーキン株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/04/30 不服
2006 -9103 
分子パターン複製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 紺野 昭男 その他   大日本印刷株式会社 藤平 正道   原文 保存
該当なし  
2009/04/28 不服
2006 -19910 
メモリ・システム、半導体メモリ装置およびシンクロナス・メモリ装置の動作方法 本件審判の請求は、成り立たない。 阿部 和夫 その他   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 新規事項の追加  
2009/04/27 不服
2006 -14987 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし  
2009/04/27 不服
2006 -7046 
膜体部改質装置及び膜体部改質方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/04/24 不服
2006 -12093 
プレート線がカラムデコーダにより選択される集積強誘電性メモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 安村 高明 その他   インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2009/04/23 不服
2006 -8563 
レーザ加工装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 井上 義雄   日本電気株式会社 住友重機械工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/04/06 不服
2006 -21082 
積層セラミック電子部品の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社村田製作所   原文 保存
 技術的範囲  
2009/03/25 不服
2006 -20495 
電気二重層キャパシタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日産ディーゼル工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/03/25 不服
2006 -22732 
電子部品の外部電極形成装置および外部電極形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし  
2009/03/02 不服
2006 -10128 
高耐圧ダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小林 茂   日産自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/02/23 不服
2006 -17784 
データストローブ信号制御方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2009/02/23 不服
2005 -24277 
半導体集積回路装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 市川 利光 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/02/16 不服
2006 -23679 
不揮発性半導体メモリの書換え方法 本件審判の請求は、成り立たない。 恩田 誠   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2009/02/12 不服
2006 -24278 
半導体装置の内部電源電圧生成回路の制御方法、半導体記憶装置の内部電源電圧生成回路の制御方法及び半導体記憶装置の内部電源電圧生成回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 恩田 誠   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/02/06 不服
2006 -5150 
調整可能出力ドライバ回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2009/02/03 不服
2006 -13741 
半導体メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山川 茂樹 その他   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2009/01/27 不服
2007 -11579 
高性能薄膜構造用ヒロック・フリー多層メタル線 本件審判の請求は、成り立たない。 宍戸 嘉一 その他   ゼロックス コーポレイション   原文 保存
 パリ条約  
2009/01/26 不服
2006 -24657 
磁器コンデンサの試験後処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし  
2009/01/23 不服
2007 -31844 
高い逆降伏電圧を有するツェナーダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中村 稔 その他   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド   原文 保存
該当なし  
2009/01/20 不服
2006 -11389 
半導体集積回路の多重ウエル形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/01/14 不服
2006 -7948 
強誘電体記憶装置、記憶内容の読出方法、スタンバイ方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 古谷 栄男   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/01/14 不服
2006 -1801 
JTAGによるSDRAM回路テスト方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/01/08 不服
2006 -5297 
ダイナミック型半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/01/06 不服
2006 -3475 
高温酸化を用いた半導体素子のキャパシタ形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 宇谷 勝幸 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2008/12/09 不服
2008 -15244 
ダイナミックランダムアクセスメモリ用の低電力自動リフレッシュ回路および方法 本件審判の請求は、成り立たない。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/12/08 不服
2006 -3935 
半導体記憶装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/01 不服
2006 -6640 
半導体装置を形成する方法 本件審判の請求は、成り立たない。   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2008/11/27 不服
2006 -11088 
リセット装置、半導体集積回路装置および半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塩 竹志 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  

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