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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/01/04 不服
2011 -26650 
低標準偏差の高抵抗値分割ポリp抵抗器 本件審判の請求は、成り立たない。 溝部 孝彦 その他   フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/01/04 不服
2012 -498 
化合物半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/28 不服
2012 -1994 
撮像素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塚 康弘 その他   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/28 不服
2012 -3788 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/27 不服
2011 -25155 
半導体集積回路装置およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/26 不服
2011 -24372 
一括リフローで実装された画像センサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒川 弘朗 その他   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2012/12/25 不服
2011 -957 
イオン注入及び側方拡散による炭化シリコンパワーデバイスの自己整列的な製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 浅村 肇 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/12/21 不服
2011 -26792 
電荷捕捉型誘電体メモリデバイスにプログラミングを行う方法およびその方法でプログラムされた電荷捕捉型誘電体メモリデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 稲葉 良幸 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/12/20 不服
2011 -14743 
多結晶シリコン層、多結晶シリコン層製造方法、および多結晶シリコン層を用いる平板表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星ディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし  
2012/12/20 不服
2012 -5075 
コンデンサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒木 義樹 その他   TDK株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/20 不服
2012 -1511 
パワー・スイッチの構造および方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 本城 雅則   セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2012/12/20 不服
2012 -2847 
半導体装置とその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 柿本 恭成   ラピスセミコンダクタ株式会社 ラピスセミコンダクタ宮城株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -24352 
半導体装置の製造方法、及び半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。   次世代半導体材料技術研究組合   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -26039 
電界効果トランジスタおよび製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2012 -2970 
固体撮像装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 天城 聡   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -23827 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 野田 久登 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -9416 
超伝導スイッチング素子 本件審判の請求は、成り立たない。   津久井 克幸   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -24740 
電子装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 関根 毅 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし  
2012/12/11 不服
2012 -3999 
逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/11 不服
2011 -25331 
固体撮像素子及びカメラ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/11 不服
2012 -4590 
電気経路およびメモリセルのフローティングゲートから電荷を消去する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 荒川 伸夫 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/12/11 不服
2011 -26791 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/07 不服
2011 -24736 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/06 不服
2011 -26370 
半導体集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河野 哲 その他   東芝デジタルメディアエンジニアリング株式会社 株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/12/05 不服
2011 -28289 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 川崎 実夫   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2010 -21445 
垂直トランジスタを有する集積回路構造及び垂直トランジスタを有する半導体デバイスを製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岡部 讓 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2011 -24683 
記憶素子及びメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2011 -24473 
ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアレイ、およびDRAMデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 篠 良一 その他   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
該当なし  
2012/12/03 不服
2011 -27577 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ミツミ電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/29 不服
2011 -25616 
NANDフラッシュメモリ素子 本件審判の請求は、成り立たない。 藤田 考晴 その他   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  

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