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現在の検索キーワード: 北島 健次

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/08/13 不服
2010 -4663 
高精度メモリ読み出しオペレーション用選択回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2010 -21941 
貫通電極付き半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 志賀 正武 その他   オリンパス株式会社 株式会社フジクラ   原文 保存
該当なし  
2012/08/10 不服
2010 -22116 
基板を熱処理するための方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久野 琢也   シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2012/08/10 不服
2011 -195 
有機薄膜トランジスタ、その製造方法、及びそれを備えた有機発光ディスプレイ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星モバイルディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし  
2012/08/08 不服
2009 -14230 
単結晶シリコンウェーハの製造方法、この種のシリコンウェーハおよびその使用 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2012/08/07 不服
2011 -14663 
III族窒化膜双方向スイッチ 本件審判の請求は、成り立たない。 山口 雄輔   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2012/08/02 不服
2011 -8583 
ゲート電荷が低いトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタデバイス及びその製造方法。 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小池 晃 その他   ゼネラル セミコンダクター,インク.   原文 保存
該当なし  
2012/07/31 不服
2010 -16352 
バルク非晶質金属誘導デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 千葉 昭男 その他   メトグラス・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/07/31 不服
2010 -5960 
半導体素子の自己整合コンタクト形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/30 不服
2011 -27650 
アクティブ・マトリクス・エレクトロルミネッセント・ディスプレイ・ピクセルとその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 松島 鉄男 その他   トランスパシフィック・インフィニティ,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2012/07/30 不服
2010 -12175 
サーモパイルアレイの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本セラミック株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/30 不服
2010 -20498 
半導体素子の製造方法およびその方法により製造された半導体素子 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2011 -13646 
薄膜トランジスターの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   友達光電股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2010 -24699 
スピントルクを用いた不揮発性磁気メモリセルおよびこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2011 -10577 
高出力ダイヤモンド半導体素子 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2010 -14712 
モジュール設計方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 鈴木 正剛   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2010 -5730 
半導体素子の高電圧接合形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2010 -24065 
積層体の製造方法、半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 林 恒徳   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2011 -16720 
薄膜トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2010 -27890 
誘電体の破壊によってプログラムすることが可能なリードオンリメモリアレイ 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2010 -8403 
集積回路チップ構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野河 信久 その他   メギカ・コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2012/07/20 不服
2010 -15802 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 浩志 その他   ラピスセミコンダクタ株式会社 ラピスセミコンダクタ宮城株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/20 不服
2011 -19070 
GaN単結晶基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 城戸 博兒 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/20 不服
2010 -12592 
SOI基板に形成されるSRAMデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/18 不服
2010 -27946 
半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 龍華国際特許業務法人   サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド.   原文 保存
該当なし  
2012/07/17 不服
2010 -17768 
PチャネルパワーMIS電界効果トランジスタとその製造方法、およびスイッチング回路 本件審判の請求は,成り立たない。 黒川 弘朗 その他   大見 忠弘 矢崎総業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/17 不服
2010 -25722 
電荷貯蔵絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/13 不服
2010 -5261 
集積回路において光学的クロックを分散する方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山川 政樹 その他   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2012/07/13 不服
2010 -15372 
ホット・キャリアでプログラムされるワン・タイム・プログラマブル(OTP)メモリのための方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 加藤 伸晃 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/07/12 不服
2011 -7737 
欠陥のある位置のためのデータラッチに冗長データがバッファされる不揮発性メモリおよび方法 本件審判の請求は、成り立たない。   サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  

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