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現在の検索キーワード: 鈴木 匡明

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2018/01/09 不服
2016 -19712 
エピタキシャル構造、その形成方法、および、それを含むデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   シン フィルム エレクトロニクス エーエスエー   原文 保存
該当なし  
2017/12/26 不服
2017 -6364 
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/26 不服
2017 -6363 
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福井 敏夫 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/18 不服
2016 -14509 
シリコン膜形成方法、およびシリコン膜形成装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 植木 久彦 その他   株式会社日本触媒   原文 保存
該当なし  
2017/12/18 不服
2016 -13564 
金属インターコネクトのために絶縁積層体を選択的にエッチングする方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 伊東 忠彦 その他   東京エレクトロン株式会社 ト-キョ-・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2017/12/18 不服
2017 -7268 
半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日立化成株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/12/06 不服
2017 -6362 
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 川原 敬祐 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/06 不服
2017 -2962 
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 川原 敬祐   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/04 不服
2016 -8946 
マルチ窪みのシャロートレンチアイソレーションを有する集積回路 本件審判の請求は、成り立たない。 河村 洌   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2017/12/04 不服
2017 -7324 
受光素子 本件審判の請求は,成り立たない。 磯江 悦子 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/12/04 不服
2017 -1051 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 昭徳   富士電機株式会社 国立研究開発法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2017/12/04 不服
2017 -1969 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/12/04 不服
2015 -20054 
プラズマチャンバ部品用耐プラズマコーティング 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/11/28 不服
2016 -18187 
近接場光を用いたエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構   原文 保存
該当なし  
2017/11/28 不服
2016 -8749 
SiC半導体デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/11/24 不服
2016 -18873 
基板乾燥方法及び基板処理装置 本件審判の請求は、成り立たない。 森 秀行 その他   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/11/24 不服
2016 -17781 
炭化珪素半導体装置のオーミック電極の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 内野 雅子 その他   国立研究開発法人産業技術総合研究所 富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/11/13 不服
2016 -18517 
電子部品の実装方法及び半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 机 昌彦   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/11/13 不服
2017 -4912 
集積回路の水素パッシベーション 本件審判の請求は、成り立たない。   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/11/13 不服
2017 -8491 
電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法、並びに電子デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 好宮 幹夫 その他   信越半導体株式会社 サンケン電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/11/08 不服
2017 -6253 
選択的な自己参照読出し 本件審判の請求は、成り立たない。 大菅 義之   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2017/10/31 不服
2015 -20276 
熱閉じ込めを最適化した磁気デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 清田 栄章 その他   クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム   原文 保存
該当なし  
2017/10/31 不服
2016 -8062 
基板処理構成部品からの残留物の除去 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 近藤 直樹 その他   クアンタム グローバル テクノロジーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー   原文 保存
該当なし  
2017/10/31 不服
2015 -18374 
薄膜トランジスタ用のハイブリッド誘電体材料 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦 その他   ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ   原文 保存
該当なし  
2017/10/23 不服
2017 -1366 
マイクロエレクトロニクスデバイスのためのワイヤボンディング可能な表面 本件審判の請求は,成り立たない。 上島 類 その他   アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング   原文 保存
該当なし  
2017/10/17 不服
2016 -18153 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   住友重機械工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/10/13 不服
2016 -13978 
半導体装置及び製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 北澤 一浩 その他   セレン フォトニクス リミテッド   原文 保存
該当なし  
2017/10/02 不服
2016 -18082 
熱処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 吉竹 英俊   株式会社SCREENホールディングス   原文 保存
該当なし  
2017/10/02 不服
2017 -7160 
エピタキシャルウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 好宮 幹夫   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/10/02 不服
2016 -15146 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  

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