| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2012/01/20
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不服
2010
-4593
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半導体装置及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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福田 修一
その他
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エルピーダメモリ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/12/21
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不服
2010
-3844
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構造基板の製造方法および半導体素子の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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森 幸一
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ソニー株式会社
住友電気工業株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/20
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不服
2009
-20114
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単結晶シリコンウエハの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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鮫島 睦
その他
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エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/17
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不服
2010
-26174
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非均一イオン注入法を用いる半導体処理の補償
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本件審判の請求は、成り立たない。
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堀井 豊
その他
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アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/09/26
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不服
2009
-17205
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半導体処理装置用縦型電気ヒータ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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渡邊 彰
その他
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光洋サーモシステム株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/08/19
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不服
2008
-25526
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非平行なイオンビームで行う複モードのイオン注入
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本件審判の請求は,成り立たない。
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バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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新規事項の追加
パリ条約
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2011/08/15
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不服
2009
-20102
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薄膜トランジスタの製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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日本電気株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/08/03
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不服
2009
-11737
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ダイオード接続されたトランジスタの製造方法及びこれを用いた画像表示装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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三好 秀和
その他
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三星モバイルディスプレイ株式會社
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原文
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保存
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パリ条約
新規事項の追加
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2011/06/10
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不服
2007
-30535
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ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜トランジスタを製造する方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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國立交通大學
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原文
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保存
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該当なし
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2011/06/03
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不服
2009
-939
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連続的側面結晶化のための非晶質シリコン層の蒸着方法と非晶質シリコンの結晶化方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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園田 吉隆
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エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/04/28
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不服
2009
-7119
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シリコンウェーハの熱処理装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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高橋 詔男
その他
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株式会社SUMCO
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/04/12
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不服
2008
-23308
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半導体要素
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本件審判の請求は,成り立たない。
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吉田 裕
その他
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エクルンド、クラス - ハカン
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/03/29
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不服
2008
-24108
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基板熱管理の方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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稲葉 良幸
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エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ.
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/08
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不服
2008
-28801
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アニールウエーハの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/31
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不服
2008
-14183
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シリコン半導体基板の製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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株式会社SUMCO
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/20
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不服
2008
-14358
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シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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村山 靖彦
その他
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株式会社SUMCO
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/01/05
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不服
2008
-69
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Aｒ/NH3急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法、これにより製造されたシリコンウェーハ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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志賀 正武
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/05
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不服
2008
-21292
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単一ウエハアニーリングオーブン
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本件審判の請求は、成り立たない。
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ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド
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原文
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保存
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新規事項の追加
進歩性(29条2項)
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2010/12/24
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不服
2008
-30583
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ゲッタリング能力の評価方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/15
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不服
2007
-10454
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多結晶半導体膜の形成方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/02
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不服
2008
-17208
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電子デバイスの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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株式会社SUMCO
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/26
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不服
2008
-20658
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熱処理装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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有田 貴弘
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大日本スクリーン製造株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/24
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不服
2008
-4455
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半導体薄膜の製造装置およびその製造方法ならびに表示装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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森田 俊雄
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/22
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不服
2008
-19315
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結晶質薄膜の形成方法、結晶質薄膜の製造装置、薄膜トランジスタ、および光電変換素子
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本件審判の請求は、成り立たない。
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野田 久登
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2010/11/08
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不服
2008
-698
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窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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日立電線株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2010/11/01
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不服
2007
-6939
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半導体薄膜の結晶化方法、半導体薄膜、及び、薄膜半導体装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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渡邊 弘一
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/10/20
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不服
2008
-30
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シリコン基板の熱処理条件を設定する方法、およびシリコン基板を熱処理する方法、並びにシリコン基板の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/10/12
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不服
2007
-33165
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マスクを通過する横方向のオーバーグロースによる窒化ガリウム半導体層を製造する方法及びそれによって製造された窒化ガリウム半導体の構造体
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本件審判の請求は,成り立たない。
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奥山 尚一
その他
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ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
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原文
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保存
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29条の2(拡大された先願の地位)
パリ条約
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2010/09/27
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不服
2007
-33190
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フラッシュアニール
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本件審判の請求は,成り立たない。
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ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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29条1項3号
新規性
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2010/09/08
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不服
2007
-31053
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半導体装置及びその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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山本 秀策
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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