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現在の検索キーワード: 和瀬田 芳正

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2010/08/23 不服
2007 -23481 
基板熱管理の方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大賀 眞司 その他   エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ.   原文 保存
該当なし  
2010/08/02 不服
2007 -32194 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 杉浦 靖也 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  新規事項の追加  
2010/07/21 不服
2007 -4359 
半導体装置の製造方法及び半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。 宮坂 一彦   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2010/07/06 不服
2007 -14451 
半導体薄膜の形成方法およびパルスレーザ照射装置 本件審判の請求は、成り立たない。 緒方 雅昭 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/05/17 不服
2007 -9687 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2010/03/23 不服
2007 -14471 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2010/03/23 不服
2006 -23541 
ゲート絶縁膜、半導体素子、電子デバイスおよび電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 国内優先権  
2010/01/19 不服
2007 -2587 
結晶化方法及び液晶表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/10/08 不服
2007 -16916 
窒化ガリウム半導体層の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ノースカロライナ ステート ユニバーシティー   原文 保存
該当なし  
2009/09/28 不服
2007 -7981 
結晶性誘電体薄膜を製作する方法およびそれを使用して形成するデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 上野 剛史 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2009/09/09 無効
2009 -800042 
電子ユニット 本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担…… 堀口 浩 その他   三菱電機 株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/07/16 不服
2006 -22581 
ヒートシンク 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 吉竹 英俊   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/07/13 不服
2006 -27918 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/05/11 不服
2007 -2045 
半導体装置の製造方法及び製造装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2009/04/07 不服
2006 -26671 
IC放熱構造 本件審判の請求は、成り立たない。   エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド   原文 保存
 パリ条約  
2009/02/19 不服
2006 -27138 
半導体素子搭載用基板材の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野田 久登 その他   住友電気工業株式会社 株式会社アライドマテリアル   原文 保存
該当なし  
2009/02/12 不服
2007 -12576 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 西川 惠清 その他   パナソニック電工株式会社 財団法人工業技術研究院   原文 保存
該当なし  
2009/02/12 不服
2006 -24101 
半導体素子のレベル内またはレベル間誘電体としての超低誘電率材料、その製造方法、およびそれを含む電子デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上野 剛史 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2009/01/23 不服
2006 -21903 
電子機器ユニット 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社安川電機   原文 保存
該当なし  
2009/01/21 不服
2007 -110 
III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜製造用サファイア単結晶基板、及びエピタキシャル成長用基板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 箱守 英史 その他   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/26 不服
2003 -11675 
多孔性シリコン・オキシカーバイドの集積回路絶縁体 本件審判の請求は、成り立たない。   マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2008/09/04 不服
2006 -6373 
半導体装置、およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 古澤 寛 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/06/03 不服
2006 -17867 
半導体装置の製造方法および半導体製造装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立国際電気   原文 保存
該当なし  
2008/03/31 不服
2005 -3060 
可撓性パワー装置 本件審判の請求は、成り立たない。 川端 純市 その他   インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション   原文 保存
 パリ条約  
2007/08/22 不服
2005 -22464 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三洋電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/08/14 不服
2004 -23710 
シリコンウェーハの表面処理方法及び半導体ウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。 高橋 詔男 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2007/07/04 不服
2005 -20700 
樹脂パッケージ型半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 吉田 稔 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/05/14 不服
2005 -18080 
半導体装置及びMIS型半導体装置並びにその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   日本電気株式会社   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2007/05/11 不服
2005 -2568 
リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置および方法 本件審判の請求は、成り立たない。 長谷川 芳樹   エーケーティー アメリカ, インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2007/04/02 不服
2006 -22890 
薄膜トランジスタ用シングルチャンバCVDプロセス 本件審判の請求は、成り立たない。 山田 行一   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  

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