審決検索結果一覧を表示しています。

現在の検索キーワード: 齋藤 恭一

200 件のヒット

  • ポートフォリオ機能
  • 絞り込み検索機能

チェックした審決を…
  ポートフォリオ名を入力して新規に保存 → 

 既存のポートフォリオを選択して保存 → 
絞り込み検索ワード: or or  → 
審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/04/17 不服
2011 -3531 
電気二重層キャパシタ 本件審判の請求は,成り立たない。   ダイキン工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/03 不服
2010 -5892 
高密度MRAM用途用の合成フェリ磁性体センス層 本件審判の請求は,成り立たない。 杉村 憲司   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2012/03/22 不服
2010 -14230 
電気二重層コンデンサとその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 藤井 兼太郎 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/19 不服
2010 -23755 
半導体メモリ装置 本件審判の請求は,成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/06 不服
2008 -32935 
SOI電解効果トランジスタを製造する方法および対応する電界効果トランジスタ 本件審判の請求は,成り立たない。 安村 高明 その他   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2012/03/05 不服
2010 -8934 
磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気記録再生装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/02/22 不服
2010 -8496 
フラッシュメモリセルの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2012/02/06 不服
2010 -10607 
固体撮像装置および撮像装置 本件審判の請求は,成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  新規事項の追加  
2012/02/06 不服
2010 -8132 
固体電解コンデンサ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 木内 光春 その他   株式会社アルバック 日本ケミコン株式会社 ハリマ化成株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/25 不服
2011 -2709 
銅相互接続の電気移動耐性が改善されるように調整されたバリヤー層 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 大塚 文昭 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/01/23 不服
2009 -23447 
電気二重層キャパシタの製造方法および製造装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 須藤 淳 その他   UDトラックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/23 不服
2009 -15817 
エネルギ貯蔵装置用電解質 本件審判の請求は,成り立たない。 野田 久登 その他   キャップ-エックス・エックス・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2011/12/19 不服
2008 -30965 
圧電素子 本件審判の請求は,成り立たない。 布施 行夫 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/11/21 不服
2009 -11814 
半導体素子の金属配線層形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2011/11/16 不服
2009 -9970 
スピンバルブ型磁気抵抗効果センサ素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/31 不服
2009 -24924 
配線の接触構造及びその製造方法とこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 小野 由己男 その他   サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/26 不服
2008 -26110 
データ解析方法、データ解析プログラムおよびデータ解析装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/20 不服
2009 -20114 
単結晶シリコンウエハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 言上 惠一 その他   エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/03 不服
2008 -30501 
積層基板及び半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。 アイ・ピー・ディー国際特許業務法人 その他   三星モバイルディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし  
2011/10/03 不服
2010 -13037 
低電力マルチチップ半導体メモリ装置及びそれのチップイネーブル方法 本件審判の請求は,成り立たない。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/03 不服
2008 -30366 
ソレノイド駆動装置 本件審判の請求は,成り立たない。   サンケン電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/28 不服
2009 -20688 
半導体記憶装置及び半導体装置並びに表示装置、液晶表示装置及び受像機 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/13 不服
2008 -20913 
パワーICデバイス及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 特許業務法人原謙三国際特許事務所 その他   国立大学法人東北大学 矢崎総業株式会社 シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/08/22 不服
2008 -27953 
共有リセット信号の行選択のあるフォトダイオードアクティブピクセルセンサ 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 伊東 忠彦 その他   オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/08/19 不服
2008 -27546 
不揮発性半導体記憶装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 清水 守 その他   OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/08/19 不服
2008 -25526 
非平行なイオンビームで行う複モードのイオン注入 本件審判の請求は,成り立たない。   バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2011/08/05 不服
2008 -6658 
圧電抵抗作用を使用する歪みゲージセンサおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 本多 弘徳 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2011/08/04 不服
2008 -24308 
ライン・レベル・エア・ギャップ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2011/07/11 不服
2008 -22370 
SOI半導体集積回路及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/07/06 不服
2008 -26280 
半導体集積回路デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 朝日 伸光 その他   アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ