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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2008/11/26 不服
2005 -21571 
シリコン単結晶の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/11/13 不服
2006 -7940 
結晶引き上げ装置および結晶引き上げ方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/01/31 不服
2006 -14184 
ワーク保持盤の製造方法及びワーク保持盤並びにそれを用いたワークの研磨方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2008/01/28 不服
2004 -10916 
単結晶の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/12/27 不服
2005 -3106 
同点測定方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/12/03 不服
2006 -6253 
シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ並びにSOIウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。 好宮 幹夫   長野電子工業株式会社 信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/11/27 不服
2003 -11135 
結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/11/12 不服
2005 -16123 
誘導結合プラズマ質量分析装置用プラズマコーン及び誘導結合プラズマ質量分析装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/10/15 不服
2005 -5348 
単結晶引上装置 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/08/22 不服
2003 -23813 
ウエーハ周辺部に結晶欠陥がないシリコン単結晶およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/08/20 不服
2003 -11082 
光ファイバ母材の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/05/08 不服
2005 -7529 
両面同時研削方法および両面同時研削盤並びに両面同時ラップ方法および両面同時ラップ盤 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/04/25 不服
2006 -2179 
半導体ウエーハの加工方法及びプラズマエッチング装置 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/04/11 不服
2005 -22994 
ワーク保持盤の洗浄方法並びに研磨装置と研磨方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 好宮 幹夫 その他   信越半導体株式会社 直江津電子工業株式会社 長野電子工業株式会社 三益半導体工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/04/09 不服
2003 -11133 
シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/03/30 不服
2005 -18107 
シリコンウエーハの評価方法および窒素ドープアニールウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/03/13 不服
2006 -6252 
複層セラミックスヒータ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/03/05 不服
2003 -11132 
シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/02/19 不服
2005 -5902 
ワークの研磨方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/02/19 不服
2003 -11727 
シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2007/02/13 不服
2005 -9767 
研磨用ワーク保持盤およびその製造方法ならびにワークの研磨方法および研磨装置 本件審判の請求は、成り立たない。 好宮 幹夫 その他   信越半導体株式会社 直江津電子工業株式会社 長野電子工業株式会社 三益半導体工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/02/07 不服
2003 -11134 
シリコン種結晶およびシリコン単結晶の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/01/11 不服
2003 -3018 
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法ならびにこの方法で製造されたシリコン単結晶およびシリコンウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/12/27 不服
2005 -6994 
静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/12/25 不服
2005 -4948 
半導体シリコン単結晶インゴットの工程管理方法および工程管理システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/12/20 不服
2005 -4551 
ワークの研磨方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 技術的範囲  
2006/11/30 不服
2005 -4554 
ワイヤーソー用砥粒の製造方法およびワイヤーソー用砥粒 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 好宮 幹夫   信越半導体株式会社 三益半導体工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/11/22 不服
2003 -3016 
単結晶の製造装置および製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/10/02 不服
2003 -16979 
シリコン単結晶の製造装置 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/09/26 不服
2004 -15127 
パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  

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