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現在の検索キーワード: 好宮 幹夫

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2006/09/25 不服
2005 -12696 
引上げ室 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/09/06 不服
2005 -18759 
複層セラミックスヒータおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/06/14 不服
2004 -3236 
プラズマ装置用電極の製造方法及びプラズマ装置用電極 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/05/01 不服
2003 -13503 
シリコン基板の熱処理方法およびその基板を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/04/19 不服
2004 -9316 
プラズマ処理装置用シリコンリング 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/04/17 不服
2004 -21640 
ワイヤーソー及び円柱形ワークを切断する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 好宮 幹夫   信越半導体株式会社 三益半導体工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/04/17 不服
2004 -11673 
ワイヤーソーによるワークの切断方法およびワイヤーソー 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/03/20 不服
2004 -12255 
両面研磨機用キャリアおよびこれを用いて被加工物の両面を研磨する方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/03/01 不服
2004 -16726 
薄板の加工方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/02/13 不服
2005 -2199 
シリコンウエーハおよびその製造方法ならびにシリコンウエーハの評価方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/01/19 不服
2002 -15886 
シリコン単結晶ウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/12/14 不服
2003 -3020 
静電吸着装置 原査定を取り消す。 本願の請求項1〜7に係る発明は、特許すべき……   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/10/28 不服
2003 -3019 
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/10/20 不服
2003 -21535 
シリコン電極板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/10/19 不服
2003 -13502 
シリコンウエーハの熱処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/09/28 異議
2003 -72935 
エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 訂正を認める。 特許第3412531号の請求項1及び2に係る特許を維持…… 好宮 幹夫     原文 保存
 新規事項の追加  29条の2(拡大された先願の地位)  国内優先権  
2005/08/05 不服
2004 -3618 
リソグラフィー用ペリクル 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/07/20 異議
2003 -73677 
アンチモンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ並びにこれらの製造方法 訂正を認める。 特許第3433678号の訂正後の請求項1ないし9に係る…… 好宮 幹夫     原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  新規事項の追加  明確性  
2005/07/15 不服
2002 -21923 
シリコン基板の熱処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/07/12 不服
2004 -3617 
リソグラフィー用ペリクルの製造方法およびリソグラフィー用ペリクル 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/04/07 不服
2002 -17954 
シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/02/17 異議
2003 -73516 
ウェーハエッチングの前処理方法 訂正を認める。 特許第3449492号の請求項1に係る特許を維持する。 好宮 幹夫 その他     原文 保存
 新規事項の追加  
2005/02/03 異議
2003 -73659 
半導体ウェ-ハの製造方法 訂正を認める。 特許第3430499号の請求項1ないし2に係る特許を取…… 安倍 逸郎 その他     原文 保存
 新規事項の追加  
2005/01/05 異議
2003 -73178 
貼り合わせ半導体基板及びその製造方法 訂正を認める。 特許第3422225号の請求項1、2に係る特許を維持す…… 森 正澄 その他     原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  新規事項の追加  
2004/12/01 不服
2002 -9066 
単結晶製造装置および製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/11/25 異議
2003 -71457 
シリコンウエーハ及び結晶育成方法 訂正を認める。 特許第3353681号の請求項1ないし4に係る特許を維…… 村山 靖彦 その他     原文 保存
 進歩性(29条2項)  新規性  
2004/11/24 不服
2002 -16370 
両面研磨装置におけるワークの自動搬送装置 本件審判の請求は、成り立たない。 好宮 幹夫 その他   信越半導体株式会社 三益半導体工業株式会社 長野電子工業株式会社 直江津電子工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/11/12 不服
2002 -17956 
シリコンウエーハの熱処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/10/27 不服
2002 -3409 
エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/10/18 不服
2002 -3408 
パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  

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