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現在の検索キーワード: 中川 裕幸

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2014/12/26 不服
2013 -11473 
モノリシックセンサ配置、およびそのモノリシックセンサ配置を制御する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マイクロナス ゲーエムベーハー   原文 保存
該当なし  
2013/11/05 不服
2012 -10289 
NAND型フラッシュメモリ素子のリカバリ方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/10/07 不服
2012 -24913 
フラッシュメモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/09/30 不服
2012 -21818 
ナンド型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/09/19 不服
2012 -17877 
フラッシュメモリ素子およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/08/05 不服
2012 -8780 
NANDフラッシュメモリ素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -11944 
向上した動作性能を有するフラッシュメモリ装置のページバッファ回路とその読み出し及びプログラム動作制御方法 本件審判の請求は,成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -18736 
半導体素子のゲート形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/23 不服
2012 -9410 
NANDフラッシュメモリ素子 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/01 不服
2012 -12183 
NAND型フラッシュメモリ素子、その製造方法およびその駆動方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/02/26 不服
2011 -19171 
半導体素子の酸化膜形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/27 不服
2011 -26501 
不揮発性メモリ装置のホットエレクトロンプログラムディスターブ防止方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/02 不服
2011 -23195 
歯車駆動を備えた自動車のエンジン補機駆動装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中川 裕幸   マグナ パワートレイン アーゲーウントツェーオーカーゲー アイエムエス ギアー ゲーエムベーハー   原文 保存
該当なし  
2012/10/09 不服
2011 -17162 
半導体素子の素子分離膜形成方法 本件審判の請求は,成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/28 不服
2009 -25838 
搬送ベルト又は駆動ベルト用押出形材 本件審判の請求は、成り立たない。   ベーハ イノベーション ゲーエムベーハー   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2010 -23472 
フラッシュメモリセルの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2010 -5730 
半導体素子の高電圧接合形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/29 不服
2011 -4943 
ページバッファおよびこれを用いたフラッシュメモリ素子の検証方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/16 不服
2011 -2394 
半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/10 不服
2011 -4679 
エレベイテッドソース及びドレイン領域を有するトランジスタ製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/02/22 不服
2010 -8496 
フラッシュメモリセルの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/12/27 不服
2009 -23913 
乱数発生器および乱数を発生する方法 本件審判の請求は、成り立たない。   マイクロナス ゲーエムベーハー   原文 保存
該当なし  
2011/10/13 不服
2009 -9227 
高電圧素子のウェル構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2011/09/14 不服
2009 -24927 
半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2011/06/15 不服
2008 -11956 
半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/04/13 不服
2008 -17902 
半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/03/09 不服
2008 -7354 
不揮発性メモリセルの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/02/14 不服
2008 -22256 
テストパターン形成方法、それを用いたエッチング特性測定方法及び回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/01/13 不服
2008 -18495 
半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2010/12/13 不服
2009 -11393 
ワードラインデコーダ 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
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