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現在の検索キーワード： 中川 裕幸

107 件のヒット

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2014/12/26 不服
2013 -11473  		モノリシックセンサ配置、およびそのモノリシックセンサ配置を制御する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マイクロナス ゲーエムベーハー   原文 保存
該当なし 　
2013/11/05 不服
2012 -10289  		NAND型フラッシュメモリ素子のリカバリ方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/10/07 不服
2012 -24913  		フラッシュメモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/09/30 不服
2012 -21818  		ナンド型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/09/19 不服
2012 -17877  		フラッシュメモリ素子およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/08/05 不服
2012 -8780  		NANDフラッシュメモリ素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/06/24 不服
2012 -11944  		向上した動作性能を有するフラッシュメモリ装置のページバッファ回路とその読み出し及びプログラム動作制御方法 本件審判の請求は,成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/06/24 不服
2012 -18736  		半導体素子のゲート形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/04/23 不服
2012 -9410  		NANDフラッシュメモリ素子 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/04/01 不服
2012 -12183  		NAND型フラッシュメモリ素子、その製造方法およびその駆動方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/26 不服
2011 -19171  		半導体素子の酸化膜形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/11/27 不服
2011 -26501  		不揮発性メモリ装置のホットエレクトロンプログラムディスターブ防止方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/11/02 不服
2011 -23195  		歯車駆動を備えた自動車のエンジン補機駆動装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中川 裕幸   アイエムエス ギアー ゲーエムベーハー マグナ パワートレイン アーゲーウントツェーオーカーゲー   原文 保存
該当なし 　
2012/10/09 不服
2011 -17162  		半導体素子の素子分離膜形成方法 本件審判の請求は,成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/08/28 不服
2009 -25838  		搬送ベルト又は駆動ベルト用押出形材 本件審判の請求は、成り立たない。   ベーハ イノベーション ゲーエムベーハー   原文 保存
該当なし 　
2012/08/21 不服
2010 -23472  		フラッシュメモリセルの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/24 不服
2010 -5730  		半導体素子の高電圧接合形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/05/29 不服
2011 -4943  		ページバッファおよびこれを用いたフラッシュメモリ素子の検証方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/05/16 不服
2011 -2394  		半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/05/10 不服
2011 -4679  		エレベイテッドソース及びドレイン領域を有するトランジスタ製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/02/22 不服
2010 -8496  		フラッシュメモリセルの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/12/27 不服
2009 -23913  		乱数発生器および乱数を発生する方法 本件審判の請求は、成り立たない。   マイクロナス ゲーエムベーハー   原文 保存
該当なし 　
2011/10/13 不服
2009 -9227  		高電圧素子のウェル構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約 　
2011/09/14 不服
2009 -24927  		半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約 　
2011/06/15 不服
2008 -11956  		半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/04/13 不服
2008 -17902  		半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/03/09 不服
2008 -7354  		不揮発性メモリセルの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/02/14 不服
2008 -22256  		テストパターン形成方法、それを用いたエッチング特性測定方法及び回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/01/13 不服
2008 -18495  		半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2010/12/13 不服
2009 -11393  		ワードラインデコーダ 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
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