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| 審決分類 |
審判 全部申し立て 1項3号刊行物記載 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1003800 |
| 異議申立番号 | 異議1997-76004 |
| 総通号数 | 4 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 1992-01-14 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 1997-12-24 |
| 確定日 | 1999-07-05 |
| 異議申立件数 | 3 |
| 事件の表示 | 特許第2623464号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の請求項1ないし5に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 特許第2623464号の請求項1ないし5に係る特許を取り消す。 |
| 理由 |
1.手続の経緯 本件特許第2,623,464号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。 特許出願 平成2年4月27日 特許権設定登録 平成9年4月11日 特許公報発行 平成9年6月25日 特許異議の申立て(3件) 平成9年12月24日〜25日 取消理由通知 平成10年5月20日 異議意見書 平成10年8月7日 訂正請求 平成10年8月7日 訂正拒絶理由通知 平成10年10月26日 異議意見書 平成10年12月26日 2.訂正の適否について (2.1)訂正の目的等について (2.1.1)訂正事項1について 特許明細書の特許請求の範囲の請求項1における「少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層」を「少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)からなる発光層」とする訂正は、該半導体の構成元素を特定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に相当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。 (2.1.2)訂正事項2について 特許明細書の特許請求の範囲の請求項2における「少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体」を「少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)」とする訂正は、該半導体の構成元素を特定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に相当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。 (2.1.3)訂正事項3について 特許請求の範囲の請求項5を削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当する。 (2.1.4)訂正事項4について 特許明細書(平成8年11月15日付全文補正明細書、以下同じ)第2頁第11行における「窒化ガリウム系化合物半導体」を「窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)」とする訂正は、特許請求の範囲の訂正にに伴う訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。 (2.1.5)訂正事項5について 特許明細書第2頁第16行における「窒化ガリウム系化合物半導体」を「窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)」とする訂正は、特許請求の範囲の訂正にに伴う訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。 (2.1.6)訂正事項6について 特許明細書第2頁第21行〜第22行における「さらに、少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体、例えば、窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)である。」を削除する訂正は、特許請求の範囲の訂正にに伴う訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。 (2.1.7)訂正事項7について 特許明細書第6頁第6行における「GaNから成る発光層55を形成した。」を「i-GaNから成る発光層55を形成した。」とする訂正は、明細書の記載を図面の記載と整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。 (2.1.8)訂正事項8について 特許明細書第7頁第21行〜第27行における「又、発光層55における・・・・・これらの発光ダイオードの発光色は、赤色であった。」を削除する訂正は、明細書全体からみて技術的に矛盾する部分の削除であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。 (2,1.9)訂正事項9について 特許明細書第8頁第2行〜第3行における「第14図の曲線とほぼ同様な曲線となった。」を「第14図の曲線とほぼ同様な曲線となった。即ち、曲線Aに比べて、波長480nm(青色)のEL強度は減少し、波長550nm(緑色)のEL強度は同じ位に現れ、逆に、波長700nm(赤色)のEL強度は遥かに大きくなっている。」とする訂正は、明細書全体からみて技術的に矛盾する部分の訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。 (2.2)独立特許要件について (2.2.1)要旨変更について 本件特許出願の出願当初の明細書第1頁〜第3頁には以下の記載がある。 「【従来技術】 従来、青色の発光ダイオードとしてGaN系の化合物半導体を用いたものが知られている。そのGaN系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこと、光の3原色の1つである青色を発色光とすること等から注目されている。 このようなGaN系の化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイア基板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層を介在させて、n型GaN系の化合物半導体から成るn層を成長させ、そのn層の上にi型GaN系の化合物半導体から成るi層を成長させた構造をとっている(特開昭62-119196号公報、特開昭63-188977号公報)。 【発明が解決しようとする課題】 しかし、上記構造の発光ダイオードにおけるi層のドーピング元素には、亜鉛が用いられている。このため、発光色が青色に固定されてしまい他の例えば白色を発光させることは出来なかった。 そこで、本発明の目的は、GaN系の化合物半導体の発光ダイオードの発色光を変えることである。 【課題を解決するための手段】 本発明は、n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)からなるn層と、i型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)からなるi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記i層のドーピング元素は、亜鉛(Zn)とシリコン(Si)であることを特徴とする。 【発明の作用及び効果】 本発明は、i層のドーピング元素に亜鉛(Zn)とシリコン(Si)とを用いたために発色光が可変できた。 即ち、亜鉛に対してシリコンのドーピング割合を変化させることで、青色、白色、赤色と変化させることができた。」 以上の記載から明らかなことは、本件特許出願の出願当初の明細書に記載されている発明は、いわゆるMIS型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、そのi層に亜鉛(Zn)とシリコン(Si)とをドープして発光色を変えることができたというものである。 一方、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子としては上記MIS型とともにｐn接合型が存在するが、上記本願の出願当初の明細書には、ｐn接合型に関する記載は一切存在せず、当然ながらｐn接合型のものに亜鉛とシリコンをドープすることにより発光色を変化させるということも一切記載されていない。 しかるに、平成8年11月15日付け手続補正書により、出願当初の特許請求の範囲の請求項1において、 「n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;ｘ=ｏを含む)からなるn層と、i型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)からなるi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、 前記i層のドーピング元素は、亜鉛(Zn)とシリコン(Si)であることを特徴とする発光素子。」 とされていたものを 「有機金属化合物気相成長法により成長され、少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子において、 前記発光層のドーピング元素は、前記発光層の気相成長中においてドープされた亜鉛(Zn)とシリコン(Si)であることを特徴とする発光素子。」 と補正することにより、補正前にあっては、MIS構造におけるi層に亜鉛とシリコンをドープするとされていたものを、MIS構造におけるi層のみならず、窒化ガリウム系化合物半導体からなるいかなる発光層に亜鉛及びシリコンを含有しても本件発明の技術的範囲に包含されることとされた。しかしながら、出願当初の明細書に記載された発明は、あくまでもMIS型窒化ガリウム系半導体のi層に亜鉛及びシリコンを含有させることにより発光色を変化させることにその特徴を有するものであるから、例えば、ｐn接合窒化ガリウム系半導体の活性層に亜鉛及びシリコンを含有させたものをも包含するように変更することは、願書に添付した明細書及び図面の要旨を変更するものである。 よって、本件特許出願は、平成6年法律116号附則第6条1項及び平成5年法律26号附則第2条第2号の規定により、なお従前の例とされる平成5年改正前の特許法第40条の規定を適用して、上記手続補正書を提出した時にしたものとみなす。 この点に関し、特許権者は、平成10年12月26日付特許異議意見書の第9頁第10行〜第13行において、「以上のことをまとめると、MIS型といわゆるｐn接合型において、電子正孔対の再結合による発光機構に差はなく、MIS型とは、開発段階において、便宜上、付けられた名称に過ぎないと解釈するべきであり、発光素子を本質的に区別するための層構造とは成り得ない。」と主張しているが、ｐn接合素子による発光機構は、ｐn接合素子に順方向バイアスが印加されると、n領域には多数のホールが、また、ｐ領域には多数の電子が注入され、遷移領域から少数キャリア拡散長の範囲にわたってキャリア再結合が起こって発光するものであるのに対し、MIS型発光素子の発光機構は、一説として、「▲1▼トンネル効果で注入された電子が▲2▼発光中心を衝突励起し、▲3▼発光再結合することによる」(赤崎勇著「III-V族化合物半導体」1994年5月20日、培風館発行、第345頁第1〜2行)とされており、両者の発光メカニズムは全く異なっており、上記主張は採用できない。 (2.2.2)本件発明 平成10年8月7日付け訂正明細書の特許請求の範囲の請求項1〜4に係る発明(以下「訂正第1発明」乃至「訂正第4発明」という。)は、その明細書及び図面の記載からして特許請求の範囲の請求項1〜4に記載されている次のとおりのものである。 「1.有機金属化合物気相成長法により成長され、少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)からなる発光層を有する発光素子において、 前記発光層のドーピング元素は、前記発光層の気相成長中においてドープされた亜鉛(Zn)とシリコン(Si)であることを特徴とする発光素子。 2.前記発光素子は、サファイア基板、サファイア基板上に形成されたバッファ層、前記バッファ層上に形成された少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)からなるシリコンがドープされた層を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 3.前記発光層の亜鉛(Zn)濃度は5×1019〜3×1021/cm3であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 4.前記発光層のシリコン(Si)濃度は5×1016〜3×1019/cm3であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。」 (2.2.3)刊行物記載の発明について 平成4年1月14日に公開された特開平4-10665号公報(本件特許の公開公報、以下「刊行物」という。)には、有機金属化合物気相成長法により成長され、n型の窒化ガリウム系化合物半導体(A1ｘGal-ｘN;X=0を含む)からなるn層と、i型の窒化ガリウム系化合物半導体(A1ｘGal-ｘN:X=0を含む)からなるi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記i層のドーピング元素は、上記i層の気相成長中においてドープされた亜鉛(Zn)とシリコン(Si)であり、前記亜鉛濃度は、5×1019〜3×1021/cm3であり、前記シリコン濃度は、上記亜鉛濃度に対して1/100〜1/1000、すなわち5×1016〜3×1019/cm3とし、また、サファイア基板、該サファイア基板上に形成されたバッファ層及び該バッファ層上にシリコンがドープされたGaN層を設けた発光素子が記載されている。 (2.2.4)訂正第1発明について 訂正第1発明(以下、この項において「前者」という。)と上記公報に記載された発明(以下、この項において「後者」という。)とを比較すると、後者におけるi層は、前者における発光層に相当するので、前者は少なくとも窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子を前提にしているが、後者においては、窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の内、i型の窒化ガリウム系化合物半導体(A1ｘGa1-ｘN:X=0を含む)からなるi層を有する窒化ガリウム系化合物半導体である点において相違する。 しかしながら、後者における窒化ガリウム系化合物半導体(A1ｘGal-ｘN:X=0を含む)は、前者における少なくとも窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の中の一つの下位概念に属するものであるので、両者は、窒化ガリウム系化合物半導体(A1ｘGal-ｘN:X=0を含む)である点において重複しており、この点において同一の発明である。 したがって、訂正第1発明は、特許法第29条第1項第3号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。 (2.2.5)訂正第2発明乃至第4発明について 訂正第2発明乃至第4発明は、上記公報に記載された発明である。 したがって、訂正第2発明乃至第4発明は、特許法第29条第1項第3号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。 (2.2.6)この項のむすび 以上のとおりであるので、訂正第1発明乃至第4発明は、上記刊行物に記載された発明と同一であるので、特許法第29条第1項第3号の規定に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正は、特許法第120条の4第3項において準用する平成6年改正前の特許法第126条第3項の規定により認めることができない。 3.本件発明 本件発明は、以上のとおり訂正請求が認められないので、登録された明細書の特許請求の範囲請求項1乃至5に記載された事項により特定された以下のとおりのものである(以下「本件第1発明」乃至「本件第5発明」という。)。 「【請求項1】有機金属化合物気相成長法により成長され、少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子において、 前記発光層のドーピング元素は、前記発光層の気相成長中においてドープされた亜鉛(Zn)とシリコン(Si)であることを特徴とする発光素子。 【請求項2】前記発光素子は、サファイア基板、サファイア基板上に形成されたバッファ層、前記バッファ層上に形成された少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなるシリコンがドープされた層を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 【請求項3】前記発光層の亜鉛(Zn)濃度は5×1019〜3×1021/cm3であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 【請求項4】前船発光層のシリコン(Si)濃度は5×1016〜3×1019/cm3であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 【請求項5】前記少なくとも窒素(N)とガリウム(Ga)を含む窒化ガリウム系化合物半導体は窒化ガリウム系化合物半導体(AlｘGa1-ｘN;X=0を含む)であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の発光素子。」 4.刊行物記載の発明 本件特許出願は、上記(2.2.1)において述べた理由により、平成8年11月15日付け手続補正書を提出した時に出願されたものとみなされる。上記手続補正書を提出した日の前である平成4年1月14日に公開された特開平4-10665号公報(本件特許の公開公報、以下「刊行物」という。)には、有機金属化合物気相成長法により成長され、n型の窒化ガリウム系化合物半導体(A1ｘGal-ｘN;X=0を含む)からなるn層と、i型の窒化ガリウム系化合物半導体(A1ｘGal-ｘN:X=0を含む)からなるi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記i層のドーピング元素は、上記i層の気相成長中においてドープされた亜鉛(Zn)とシリコン(Si)であり、前記亜鉛濃度は、5×1019〜3×1021/cm3であり、前記シリコン濃度は、上記亜鉛濃度に対して1/100〜1/1000、すなわち5×1016〜3×1019/cm3とし、また、サファイア基板、該サファイア基板上に形成されたバッファ層及び該バッファ層上にシリコンがドープされたGaN層を設けだ発光素子が記載されている。 5.対比及び判断 (5.1)本件第1発明について 本件第1発明(以下、この項において「前者」という。)と上記公報に記載された発明(以下、この項において「後者」という。)とを比較すると、後者におけるi層は、前者における発光層に相当するので、前者は少なくとも窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子を前提にしているが、後者においては、窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の内、i型の窒化ガリウム系化合物半導体(A1ｘGal-ｘN:X=0を含む)からなるi層を有する窒化ガリウム系化合物半導体である点において相違する。 しかしながら、後者における窒化ガリウム系化合物半導体(A1ｘGal-ｘN:X=0を含む)は、前者における少なくとも窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の中の一つの下位概念に属するものであるので、両者は、窒化ガリウム系化合物半導体(A1ｘGal-ｘN:X=0を含む)である点において重複しており、この点において同一の発明である。 したがって、本件第1発明は、特許法第29条第l項第3号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。 (5.2)本件第2発明乃至第5発明について 本件第2発明乃至第5発明は、上記公報に記載された発明である。 したがって、本件第2発明乃至第5発明は、特許法第29条第1項第3号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。 (5.3)この項のむすび したがって、本件特許の請求項1乃至5記載の発明は、特許法第29条第1項第3号に規定する発明に該当するので、特許を受けることができないものである。 6.むすび 以上のとおり、本件特許明細書の請求項1乃至5に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律(平成6年法律第116号)附則第14条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令(平成7年政令第205号)第4条第1項及び第2項の規定により取り消すべきものである。 よって、結論のとおり決定する。 |
| 異議決定日 | 1999-05-21 |
| 出願番号 | 特願平2-114191 |
| 審決分類 |
P
1
651・
113-
ZB
(H01L)
|
| 最終処分 | 取消 |
| 前審関与審査官 | 後藤 時男 |
| 特許庁審判長 |
小林 邦雄 |
| 特許庁審判官 |
橋本 武 河口 雅英 |
| 登録日 | 1997-04-11 |
| 登録番号 | 特許第2623464号(P2623464) |
| 権利者 | 豊田合成株式会社 科学技術振興事業団 |
| 発明の名称 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| 代理人 | 藤谷 修 |