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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録 H01L 審判 査定不服 1項3号刊行物記載 取り消して特許、登録 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1017804 |
| 審判番号 | 審判1999-9593 |
| 総通号数 | 13 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 1996-11-22 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 1999-06-15 |
| 確定日 | 2000-08-07 |
| 事件の表示 | 平成 8年特許願第107271号「半導体メモリ素子のポリシリコンゲートとその製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成 8年11月22日出願公開、特開平 8-306922、請求項の数(5)〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 |
| 理由 |
本願は、平成 8年 4月26日(パリ条約による優先権主張 1995年 4月27日 (KR)大韓民国)の出願であって、その発明の要旨は、明細書と図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載されたとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審決日 | 2000-07-06 |
| 出願番号 | 特願平8-107271 |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
WY
(H01L)
P 1 8・ 113- WY (H01L) |
| 最終処分 | 成立 |
| 前審関与審査官 | 岡 和久、今井 拓也 |
| 特許庁審判長 |
今野 朗 |
| 特許庁審判官 |
加藤 浩一 橋本 武 |
| 発明の名称 | 半導体メモリ素子のポリシリコンゲートとその製造方法 |
| 代理人 | 大竹 正悟 |