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| 審決分類 |
審判 全部申し立て 1項3号刊行物記載 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1048363 |
| 異議申立番号 | 異議2000-73959 |
| 総通号数 | 24 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 1992-02-25 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 2000-10-23 |
| 確定日 | 2001-07-18 |
| 異議申立件数 | 1 |
| 訂正明細書 | 有 |
| 事件の表示 | 特許第3050236号「ヒートシンク」の請求項1に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 訂正を認める。 特許第3050236号の請求項1に係る特許を維持する。 |
| 理由 |
I.手続の経緯 本件特許第3050236号(以下「本件特許」という。)は、平成2年6月27日に出願したものであって、特許権設定の登録後、特許異議申立人 株式会社トクヤマより、その請求項1に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、特許取消理由の通知がなされ、これに対し特許権者より訂正請求書が提出されたものである。 II.訂正について (II-1)訂正の内容 訂正事項a(特許請求の範囲の訂正) (a-1)特許請求の範囲を、以下のとおりに訂正する。 「上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなることを特徴とするヒートシンク。」 訂正事項b(特許請求の範囲以外の訂正) (b-1)明細書第2頁第16〜18行の「溶着用金属の・・・・ヒートシンク」を、「搭載する素子の位置決めを容易、かつ、正確に行なうことを可能とするとともに、溶着用金属の量を適当にすることができるヒートシンク」と訂正する。 (b-2)明細書第3頁第2〜3行の「その上に・・・・蒸着されている」を、「その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなる」と訂正する。 (b-3)明細書第3頁第7〜10行の「その上に・・・・行なうことができる。」を、「その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされている。溶着用金属は搭載する素子の大きさと同じ大きさであるので、その上に素子を載せるだけで容易、かつ、正確に位置決めを行なうことができる。すなわち、パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとして機能する。」と訂正する。 (b-4)明細書第第5頁第3〜5行の「発光素子7は・・・・光ファイバ8と」を、「次いで、発光素子7が溶着用金属層4上に搭載されるが、溶着用金属層4は該素子7と同じ大きさとされているので、溶着用金属層4はアライメントマークとして機能し、発光素子7を溶着用金属層4上に載せるだけで容易、かつ、正確に位置決めされ、光ファイバ8と」と訂正する。 (b-5)明細書第5頁第17〜18行の「溶着用金属がパターニングされているから、位置決めに利用でき」を、「搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされているから、素子の位置決めを容易、かつ、正確に行うことができ」と訂正する。 (b-6)明細書第4頁第17〜18行「同じメタルマスクを用いている。」と「蒸着工程が終了した」との間に、改行して、「したがって、メタルマスクのマスクサイズを溶着用金属の上に搭載される素子の大きさと同じ大きさとすることで、パターニングされて蒸着された溶着用金属の大きさを、搭載する素子の大きさと同じ大きさに形成できる。」を挿入する。 (II-2)訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について 訂正事項aは特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、訂正事項bは、発明の詳細な説明を上記訂正事項aと整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。そして、それらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正と認められ、かつ、当該訂正が実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとはいえない。 したがって、本訂正は、特許法第120条の4第2項及び同条第3項で準用する同法第126条第2項及び第3項の規定に適合するので当該訂正を認める。 III.本件発明 訂正後の請求項1に係る発明(以下「訂正発明」という。)は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項1に記載されたとおりの以下のものと認める。 「上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなることを特徴とするヒートシンク。」 IV.特許異議申立について (IV-1)特許異議申立人の主張 特許異議申立人 株式会社トクヤマは、本件出願前に頒布された刊行物として、甲第1号証(特開昭59-167038号公報)を提示して、訂正前の請求項1に係る発明は、甲第1号証に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号の規定に該当するので、その発明に係る特許は取り消すべきものであると主張している。 (IV-2)証拠の記載事実 甲第1号証 (1-1)「1.光半導体泰子のチップを実装するためのサブマウントにおいて、高熱伝導性電気絶縁材料でサブマウント基体を構成し、かつ、サブマウント基体の主面に部分的なメタライズパターンを一つ以上形成し、前記メタライズパターンの一つまたは複数個のパターン上に部分的にソルダーパターン層を設けたことを特徴とする光半導体素子用サブマウントの構造。」(特許請求の範囲1) (1-2)「従来、光半導体素子、特にレーザーダイオードなどにおいては、金属やSiなどから成るサブマウントと称する小片に半導体チップをボンディングしたのち、ステムに実装するという手法が一般に採用されている。また、サブマウントの材料として、熱伝導性が高く、かつ電気絶縁性の高い材料(II-A型ダイヤモンド、酸化べリリウム〔ベリリア〕、熱伝導性SiOセラミックなど)を使用した素子が提案されている。」(第2頁左上欄第19行〜右上欄第7行) (1-3)第1図とともに、「第1図は、高熱伝導性SiOセラミック・・・・をサブマウントに用いた半導体レーザ装置の構造の例を示す断面図である。サブマウント21上には、ソルダー層23を含むメタライズ層が設けられている。半導体レーザのチップ22を上記サブマウント21上にソルダー23により接合した後、ソルダーまたは熱伝導性接着剤25によりサブマウントがステム24に接合されている。」(第2頁第8〜18行) (1-4)第2、3図とともに、「本発明によるサブマウントの基本構造とその実装例を第2図(平面図)、第3図(断面図)に示す。まず、サブマウント31を構成する基板(例えば・・・高熱伝導性SiOセラミック基板)の主面に、配線層40、41を部分的にメタライズして形成する。・・・・ついで、上記のパターンニングのピッチにしたがって適当なサイズの小片に切断してサブマウント31を製作する。次に、配線層40上に半導体チップ32をボンディングし、ついで、チップの上部電極と他の配線層41とをAｕ線36で接続する。」(第2頁右下欄第3〜14行) (1-5)第4、5図とともに、「実施例1 ・・・・サブマウント用の熱伝導性SiOセラミック基板51の裏面に、基板を400〜500℃に加熱しながらNi層56を膜厚約4000Å真空蒸着し、ついで基板温度約200℃においてAｕ層57を約2000Å真空蒸着して裏面のメタライズ層を形成した。次に、基板を200〜300℃に加熱しながら、基板表面にTi層61・・・、Mｏ層62・・・、Aｕ層63・・・を順次連続して真空蒸着した。次に、通常のホトレジストを用いたリソグラフィ技術を用いて選択的にパターンエッチングを行ない、配線層52、53を形成した。次に、基板を150〜200℃に加熱しながら、再度表面全面にTi層64・・・、Mｏ層65・・・、Aｕ層66・・・を順次連続して真空蒸着した。ついで、ホトレジスト技術を用いて選択的にパターンエッチングを行ない、バリヤ層54を形成した。 次に、パターンニングを施したサブマウント主面全面に、厚さ3〜5μmのポジ型レジスト膜を塗布し、ホトレジスト技術によりソルダーバッド55に相当する形状・・・の窓をレジスト膜に設けた。ついで、上記のレジスト膜を被着した状態で、この面にPbとSnからなるソルダを厚さ2〜4μm真空蒸着した。ついで、レジストを溶解し得る有機溶剤・・・中に試料を浸漬し、超音波振動を溶剤に加えてレジスト膜とレジスト膜上のPb/Snソルダーを溶解・除去する、いわゆる「リフトオフ法」を用いることにより、ソルダ一バッド55を選択的に形成した。・・・・最後に、第4図に示すように、パターンニングのピッチにしたがって熱伝導性SiOセラック基板を切断して・・・サブマウントを製作した。」(第3頁左上欄第8行〜左下欄第12行) (1-6)「(3)サブマウント材料に高熱伝導性SiOセラミックを用いると、InP/InGaAｓP系の半導体レ-ザチップの実装に対して極めて有効である。高熱伝導性SiOセラミックは・・・・実装時の歪を最少限に抑えることができ、きわめて高信頼度のInP/InGaAｓP半導体レーザを得ることができる。」(第6頁左下欄第6〜15行) (IV-3)対比・判断 訂正発明と、甲第1号証に記載された発明とを対比すると、訂正発明におけるメタライズ及び溶着用金属はそれぞれ甲第1号証に記載されたメタライズパターン及びソルダーパターンに対応し、また、甲第1号証にはソルダを真空蒸着したことの記載がある(摘記1-5)。これらのことからすると、訂正発明は、甲第1号証に記載された発明と、上面がメタライズされ、その上に溶着用金属がパターニングされて蒸着されたものである点で一致し、そして、(A)訂正発明では、上記の溶着用金属について、搭載する素子の大きさと同じ大きさのものとしているのに対して、甲第1号証にはその記載がない点、(B)訂正発明では、上記のパターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなるとしているのに対して、甲第1号証にはその記載がない点、及び、(C)訂正発明が対象とする物品はヒートシンクであるのに対して、甲第1号証に記載の発明ではサブマウントであって、ヒートシンクとの記載がない点、の各点で両者の発明は一応相違している。 そこで、これら相違点A〜Cについて、以下検討する。 相違点A及びBについて まず、本件の訂正発明について検討すると、訂正発明は、従来のヒートシンクでは、位置決めのための方策を講ずる必要があり、素子の搭載に先立って溶着用金属を所定の位置に載せねばならず、また、載せる溶着用金属の量が多すぎると素子の周辺にはみ出したり、少ない場合には充分な接着が行なわないことになり、溶着用金属を適当にしなければならない問題があった、との従来技術における問題点の把握に基づき(訂正明細書の「発明が解決しようとする課題」の欄参照。)、上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属(即ち、相違点Aに係る構成。)がパターニングされて蒸着され、当該パターニングされた溶着用金属は、搭載する素子の大きさと同じ大きさであるのでアライメントマークとなり(即ち、相違点Bに係る構成。)、その上に素子を載せるだけで容易、かつ正確に位置決めを行なうことができるとしたものである(訂正明細書の「作用」の欄参照。)。 してみれば、訂正発明は、上記相違点A及びBに係る構成を含む前記認定のとおりの構成とすることにより、訂正明細書に記載され、そして甲第1号証に記載のない、前記の目的を達成し、また効果を奏したものということができる。したがって、上記相違点A及びBは、甲第1号証に記載された発明との、実質的な相違点を構成するものということができる。 以上のとおりであるから、上記相違点Cについてあらためて検討するまでもなく、訂正発明は、甲第1号証に記載された発明ということはできない。 V.むすび 以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠によっては、訂正発明に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に訂正発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。 |
| 発明の名称 |
(54)【発明の名称】 ヒートシンク (57)【特許請求の範囲】 上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなることを特徴とするヒートシンク。 【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、発光素子や受光素子等を搭載するためのヒートシンクに関するものである。 (従来の技術) 従来、光ファイバに結合する受発光素子等には、これら素子の動作時に発生した熱を速やかに冷却媒体(普通は、空気である。)に伝えるため、ヒートシンクが用いられる。また、ヒートシンクは、素子の組立搭載時の歪みと、その後の残留歪みの除去や緩和をも目的として用いられることもあり、シリコン、ベリリア、ダイヤモンド等が用いられる。 ヒートシンクの上面は、当該素子が載る部分、あるいは、全面がメタライズされており、素子の組立搭載時には、溶着用金属を該当部分に載せて、その上に素子を位置決めして重ね、昇温し、溶着していた。 しかしながら、このような従来のヒートシンクでは、位置決めのための方策を講ずる必要があり、素子の搭載に先立って溶着用金属を所定の位置に載せなければならなかった。また、載せる溶着用金属の量が、多すぎると素子の周辺にはみ出したり、少ない場合には充分な接着が行なわれないことになり、溶着用金属を適当にしなければならない問題があった。 (発明が解決しようとする課題) 本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、搭載する素子の位置決めを容易、かつ、正確に行なうことを可能にするとともに、溶着用金属の量を適当にすることができるヒートシンクを提供することを目的とするものである。 (課題を解決するための手段) 本発明は、ヒートシンクにおいて、上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなることを特徴とするものである。 (作 用) 本発明は、ヒートシンクにおいて、上面がメタライズされ、かつ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされている。溶着用金属は搭載する素子の大きさと同じ大きさであるので、その上に素子を載せるだけで容易、かつ、正確に位置決めを行なうことができる。すなわち、パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとして機能する。また、溶着用金属は、蒸着によって付着されているから、その量を蒸着工程で制御でき、また、素子の搭載時に溶着用金属を載せるという作業を不要にできるものである。 (実施例) 第1図乃至第5図は、本発明の一実施例を製造工程とともに説明するためのものであり、第1図は、シリコンウェハーの斜視図、第2図は、蒸着工程における断面図、第3図は、蒸着後のシリコンウェハーの側面図、第4図は、製造されたヒートシンクの斜視図、第5図は、発光素子を搭載した側面図である。図中、1はシリコンウェハー、2はメタルマスク、3はメタライズ層、4は溶着用金属層、5はヒートシンク、6はステム、7は発光素子、8は光ファイバである。 まず、第1図に示すシリコンウェハー1の上面に、メタライズ層を形成する。第2図に示すように、シリコンウェハー1の上面を下にして、メタルマスク2を介して金属を蒸着する。最初にTi,Pｔ,Aｕの順に蒸着し、Ti/Pｔ/Aｕのメタライズ層3を形成する。Tiは、シリコンウェハーとの接着性、Aｕは溶着用金属との接着性のために選択されたものであるが、これに限られるものではない。蒸着されたメタライズ層3の上に、溶着用金属として、AｕSnの共晶合金を用い、これを蒸着して溶着用金属層4を形成する。この実施例では、溶着用金属層の蒸着には、同じメタルマスクを用いている。 したがって、メタルマスクのマスクサイズを溶着用金属の上に搭載される素子の大きさと同じ大きさとすることで、パターニングされて蒸着された溶着用金属の大きさを、搭載する素子の大きさと同じ大きさに形成できる。 蒸着工程が終了したウェハーを第3図に示す矢印の位置でカットして、第4図に示すヒートシンク5が得られる。第5図は、このヒートシンクに発光素子を搭載したものである。ステム6の上面中央には、ヒートシンク5のサイズに相当する形が刻印されており、ヒートシンク5とステム6との位置決めが行なわれる。次いで、発光素子7が溶着用金属層4上に搭載されるが、溶着用金属層4は該素子7と同じ大きさとされているので、溶着用金属層4はアライメントマークとして機能し、発光素子7を溶着用金属層4上に載せだけで容易、かつ、正確に位置決めされ、光ファイバ8との光軸合わせが行なわれる。 なお、この実施例では、メタライズ層をパターニングしたが、メタライズ層は全面に蒸着し、溶着用金属層のみをパターニングするようにしてもよい。 また、メタライズ層と溶着用金属層とを別のパターンとなるようにしてもよい。 搭載される素子が、受光素子や発光素子に限られるものでないことはもちろんである。 (発明の効果) 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされているから、素子の位置決めを容易、かつ、正確に行うことができ、また、溶着用金属が付着される量を蒸着により正確に制御できるから、適量の溶着用金属をもったヒートシンクを提供できる効果がある。 【図面の簡単な説明】 第1図乃至第5図は、本発明の一実施例を製造工程とともに説明するためのものであり、第1図は、シリコンウェハーの斜視図、第2図は、蒸着工程における断面図、第3図は、蒸着後のシリコンウェハーの側面図、第4図は、製造されたヒートシンクの斜視図、第5図は、発光素子を搭載した側面図である。 1…シリコンウェハー、2…メタルマスク、3…メタライズ層、4…溶着用金属層、5…ヒートシンク、6…ステム、7…発光素子、8…光ファイバ |
| 訂正の要旨 |
(訂正の要旨) 訂正事項a(特許請求の範囲の訂正) (a‐1)特許請求の範囲を、以下のとおりに訂正する。 「上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなることを特徴とするヒートシンク。」 訂正事項b(特許請求の範囲以外の訂正) (b‐1)明細書第2頁第16〜18行の「溶着用金属の・・・・ヒートシンク」を、「搭載する素子の位置決めを容易、かつ、正確に行なうことを可能とするとともに、溶着用金属の量を適当にすることができるヒートシンク」と訂正する。 (b‐2)明細書第3頁第2〜3行の「その上に・・・・蒸着されている」を、「その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなる」と訂正する。 (b‐3)明細書第3頁第7〜10行の「その上に・・・・行なうことができる。」を、「その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされている。溶着用金属は搭載する素子の大きさと同じ大きさであるので、その上に素子を載せるだけで容易、かつ、正確に位置決めを行なうことができる。すなわち、パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとして機能する。」と訂正する。 (b‐4)明細書第第5頁第3〜5行の「発光素子7は・・・・光ファイバ8と」を、「次いで、発光素子7が溶着用金属層4上に搭載されるが、溶着用金属層4は該素子7と同じ大きさとされているので、溶着用金属層4はアライメントマークとして機能し、発光素子7を溶着用金属層4上に載せるだけで容易、かつ、正確に位置決めされ、光ファイバ8と」と訂正する。 (b‐5)明細書第5頁第17〜18行の「溶着用金属がパターニングされているから、位置決めに利用でき」を、「搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされているから、素子の位置決めを容易、かつ、正確に行うことができ」と訂正する。 (b‐6)明細書第4頁第17〜18行「同じメタルマスクを用いている。」と「蒸着工程が終了した」との間に、改行して、「したがって、メタルマスクのマスクサイズを溶着用金属の上に搭載される素子の大きさと同じ大きさとすることで、パターニングされて蒸着された溶着用金属の大きさを、搭載する素子の大きさと同じ大きさに形成できる。」を挿入する。 なお、訂正事項aは特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、訂正事項(b)は明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。 |
| 異議決定日 | 2001-06-26 |
| 出願番号 | 特願平2-168955 |
| 審決分類 |
P
1
651・
113-
YA
(H01L)
|
| 最終処分 | 維持 |
| 前審関与審査官 | 川真田 秀男 |
| 特許庁審判長 |
影山 秀一 |
| 特許庁審判官 |
池田 正人 大橋 賢一 |
| 登録日 | 2000-03-31 |
| 登録番号 | 特許第3050236号(P3050236) |
| 権利者 | 株式会社島津製作所 |
| 発明の名称 | ヒートシンク |
| 代理人 | 西岡 義明 |
| 代理人 | 西岡 義明 |
| 代理人 | 江口 裕之 |
| 代理人 | 江口 裕之 |
| 代理人 | 喜多 俊文 |
| 代理人 | 喜多 俊文 |