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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録 H01S
管理番号 1051301
審判番号 不服2000-13823  
総通号数 26 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 1997-04-15 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2000-08-31 
確定日 2002-01-21 
事件の表示 平成 7年特許願第256019号「半導体光素子接合部の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成 9年 4月15日出願公開、特開平 9-102649、請求項の数(1)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 1.本願発明
本願は平成7年10月3日の出願であって、その請求項1に係る発明は、補正された明細書および図面の記載からみてその特許請求の範囲の請求項1に記載されたとおりのものと認める。(以下「本願発明」という。)
「【請求項1】 2つの導波型半導体光素子を光学的に接続する突き合わせ結合部の製造方法において、
半導体基板上に半導体積層構造を形成すると共に該半導体積層構造と接する上部半導体層を形成して半導体レーザからなる第1の導波型半導体素子を形成する工程と、
前記上部半導体層の一部に絶縁膜を形成する工程と、
前記上部半導体層の前記絶縁膜で覆われていない部分をエッチングする第1のエッチング工程と、
前記上部半導体層に対して前記半導体積層構造のみを選択にエッチングするエッチング液を用いて、前記上部半導体層が一部エッチングされた前記第1の導波型半導体素子をエッチングする第2のエッチング工程と、
前記第2のエッチング工程によりエッチングされた第1の導波型半導体素子が形成されている基板上面側及び前記上部半導体層の裏面側に多重量子井戸構造を有する光変調器からなる第2の導波型半導体素子を成長する工程と、が順次遂行されることを特徴とする半導体光素子接合部の製造方法。」

2.刊行物記載の発明
原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物;特開平5-259568号公報(以下「引用例1」という。)には、
「(1) 半導体基板上に形成した多重量子井戸活性層表面の所定領域に設けた絶縁層をマスクとして化学エッチング(エッチング液 硫酸:過酸化水素:水)によって上記多重量子井戸活性層を基板表面までエッチングし、さらに量子井戸活性層をやや多目にサイドエッチングすることによって凹みを形成する工程、
(2) 上記工程により得られた基板を硫化アンモニウムを含む水溶液中に所定時間浸漬する工程、
(3) 次いで、上記多重量子井戸活性層とは異なる半導体導波路層を上記多重量子井戸活性層と光学的に軸を一致させて気相エピタキシャル成長法により接合させる工程、
とからなる変調器付分布帰還型レーザの突き合わせ接合方法。」
の発明が記載されている。(【請求項1】、【0009】〜【0014】参照。)

同じく、特開昭63-108305号公報(以下「引用例2」という。)には、
「半導体レーザと光導波路を結合する突き合わせ結合部の製造方法において、 基板上に、導波層,活性層,クラッド層,キャップ層からなるレーザ用多層構造を形成する工程、
前記キャップ層上の一部にSiO2マスクを付ける工程、
エッチャント1で前記キャップ層をエッチングし、次にエッチャント2で前記クラッド層をエッチングする工程、
再びエッチャント1で、前記導波層および活性層を、レーザのキャビティ方向に、クラッド層よりも深くエッチングする工程、
最後のエッチングによりエッチングされた半導体レーザが形成されている基板上に導波層を有する光導波路を成長する工程、
からなる半導体レーザと光導波路結合部の製造方法。」
の発明が記載されている。(実施例1及び第1図から第5図参照。)

3.対比・判断
本願発明と引用例1及び引用例2に記載された発明とを対比するに、両引用例は、少なくとも、「2つの導波型半導体光素子を光学的に接続する突き合わせ結合部の製造方法において、半導体基板上に半導体積層構造を形成すると共に該半導体積層構造と接する上部半導体層を形成して半導体レーザからなる第1の導波型半導体素子を形成する工程と、前記上部半導体層の一部に絶縁膜を形成する工程と、前記上部半導体層の前記絶縁膜で覆われていない部分をエッチングする工程と、前記エッチング工程によりエッチングされた第1の導波型半導体素子が形成されている基板上面側に第2の導波型半導体素子を成長する工程と、が順次遂行される半導体光素子接合部の製造方法。」で本願発明と共通する。しかし、両引用例には、本願発明の構成要件である「第2のエッチング工程によりエッチングされた第1の導波型半導体素子が形成されている基板上面側及び前記上部半導体層の裏面側に多重量子井戸構造を有する光変調器からなる第2の導波型半導体素子を成長する工程」が記載されておらず、示唆もされていない。
そして、本願発明は、上記構成を有することにより、審判請求書の請求の理由に記載された格別の効果を奏するものと認められる。

4.したがって、多重量子井戸構造を有する光変調器が従来周知であるとしても、本願発明は、上記引用例1及び2に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
よって結論のとおり審決する。
 
審決日 2001-12-20 
出願番号 特願平7-256019
審決分類 P 1 8・ 121- WY (H01S)
最終処分 成立  
前審関与審査官 原 光明杉山 輝和金高 敏康  
特許庁審判長 青山 待子
特許庁審判官 東森 秀朋
稲積 義登
発明の名称 半導体光素子接合部の製造方法  
代理人 澤井 敬史  
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