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審決分類 審判 一部申し立て 2項進歩性  G03F
管理番号 1053373
異議申立番号 異議2000-74357  
総通号数 27 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許決定公報 
発行日 1994-09-22 
種別 異議の決定 
異議申立日 2000-12-05 
確定日 2002-02-18 
異議申立件数
事件の表示 特許第3048207号「還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法」の請求項1、2、4、6ないし13、15、17ないし40に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。 
結論 特許第3048207号の請求項1、2、4、15、6ないし13、17ないし40に係る特許を維持する。 
理由 I.手続の経緯
本件特許第3048207号は、平成5年7月9日(パリ条約による優先権主張1992年7月9日および1993年6月21日、アメリカ合衆国、)に出願され、平成12年3月24日にその発明について特許の設定登録がなされた。
本件特許公報は、平成12年6月5日に発行され、その特許に対して、東京応化工業株式会社より特許異議の申立がなされた。
II.特許異議申立について
1.本件発明
本件請求項1、2、4、6ないし13、15、17ないし40に係る発明は、特許請求の範囲の請求項1、2、4、6ないし13、15、17ないし40に記載された次のとおりのものである。
「【請求項1】 下記(a)、(b)及び(c)を含む、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するための組成物であって、
(a)化学式1を有する化合物、化学式2を有する化合物、化学式3を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸化および還元電位を有する1種又は2種以上の求核アミン化合物を約5〜約50重量%,
【化1】

[式中、R5 、R6 及びR7 は、それぞれ独立に,水素、ヒドロキシル基、置換されたC1 -C6 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩及びそれらの誘導体である]
【化2】


[式中、R8 、R9 及びR10は、それぞれ独立に、水素、置換されたC1 -C6 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のR8 、R9 及びR10の全部が水素であることはない]及び
【化3】



[式中、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたC1 -C6 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩である];
(b)前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の1種または2種以上の有機溶剤を約10〜約80重量%;
(c)化学式4を有する化合物、化学式5を有する化合物、化学式6を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び下記化学式7で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の1種または2種以上を約2.5〜約30重量%、
【化4】



[式中、R15及びR16は、水素、t-ブチル、OH又はCOOHのいずれかである]
【化5】



[式中、R17は、OH又はCOOHである]
【化6】


[式中、R18、R19、R20及びR21は、H又はNH4 のいずれかであり、又はこれらのアンモニウム塩である]
【化7】R1R2R3R4NOH
[式中、R1、R2、R3 又はR4 は、それぞれ独立に.水素、または炭素原子1から5を有する短鎖アルキル基である]及び
(d)水、
であって,前記求核アミン化合物、有機溶剤及び化合物(c)が、基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するのに十分な量で存在している組成物。
【請求項2】 前記求核アミン化合物がヒドロキシルアミンの誘導体である請求項1記載の組成物。
【請求項4】 前記1種または2種以上の化合物(c)がジヒドロキシベンゼン又はその誘導体である請求項1記載の組成物。
【請求項6】 前記有機溶剤がアルカノールアミンである請求項1記載の組成物。
【請求項7】 前記アルカノールアミンが炭素分子1から5個を有する少なくとも1種のアルカノール基を含有する請求項6記載の組成物。
【請求項8】 前記アルカノールアミンがモノアミンまたはジアミンである請求項6記載の組成物。
【請求項9】 前記アルカノールアミンが下記化学式;
R1R2-N-CH2CH2-O-CH2CH2OH
[式中R1及びR2は、H、CH3、CH3CH2、またはCH2CH2OHである]を有する請求項6記載の組成物。
【請求項10】 前記アルカノールアミンがアミノアルコキシアルカノールである請求項6記載の組成物。
【請求項11】 前記有機溶剤がモノエタノールアミンである請求項1記載の組成物。
【請求項12】 基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去する、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を有する基板に下記(a)、(b)、(c)及び(d)を含む組成物を接触させることを含む方法であって、
(a)化学式8を有する化合物、化学式9を有する化合物、化学式10を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸化及び還元電位を有する1種又は2種以上の求核アミン化合物を約5〜約50重量%、
【化8】

[式中、R5 、R6 及びR7 は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたC1 -C6 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩及びそれらの誘導体である。]
【化9】

[式中、R8 、R9 及びR10は,それぞれ独立に、水素、置換されたC1 -C6 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり,かつ式中のR8 、R9 及びR10の全部が水素であることはない]及び
【化10】

[式中、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたC1 -C6 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニル又はアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシ又は分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩である。];
(b)前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の1種または2種以上を約10〜約80重量%;及び
(c)化学式11を有する化合物、化学式12を有する化合物、化学式13を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び下記化学式14で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の1種または2種以上を約2.5〜約30重量%、
【化11】


[式中、R15及びR16は、水素、t-ブチル、OH又はCOOHのいずれかである]
【化12】



[式中、R17は、OH又はCOOHである]
【化13】

[式中、R18、R19、R20及びR21は、H又はNH4 のいずれかであり、又はこれらのアンモニウム塩である]
【化14】R1R2R3R4NOH
[式中、R1、R2、R3 又はR4 は、それぞれ独立に.水素、または炭素原子1から5を有する短鎖アルキル基である]及び
(d)水、
であって、前記組成物をレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を基板から除去するのに十分な温度及び時間で前記基板と接触させる方法。
【請求項13】 前記求核アミン化合物がヒドロキシルアミンまたはその誘導体である請求項12記載の方法。
【請求項15】 前記1種又は2種以上の化合物(c)がジヒドロキシベンゼンまたはその誘導体である請求項12記載の方法。
【請求項17】 前記有機溶剤がアルカノールアミンである請求項12記載の方法。
【請求項18】 前記アルカノールアミンがアミノアルコキシアルカノールである請求項17記載の方法。
【請求項19】 前記アルカノールアミンが炭素分子1から5を有するアルカノール基を少なくとも1種有する請求項17記載の方法。
【請求項20】 前記アルカノールアミンがモノアミン又はジアミンである請求項17記載の方法。
【請求項21】 前記アルカノールアミンが下記化学式;
R1R2-N-CH2CH2-O-CH2CH2OH
[式中、R1 及びR2 は、H、CH3 、CH3 CH2 、またはCH2 CH2 OHである]を有する請求項17記載の方法。
【請求項22】 前記溶剤がモノエタノールアミンだる請求項12記載の方法。
【請求項23】 前記基板が半導体ウエファーである請求項12記載の方法。
【請求項24】 前記温度が室温から約100℃の範囲である請求項12記載の方法。
【請求項25】 前記時間が約2分から約60分の範囲である請求項12記載の方法。
【請求項26】 ヒドロキシルアミンを約5〜約50重量%、前記ヒドロキシルアミンに混和可能な少なくとも1種の有機溶剤を約10〜約80重量%、化学式15で示す少なくとも1種の化合物を約2.5〜約30重量%、
【化15】



[式中、R15及びR16は、水素、t-ブチル、OH又はCOOHのいずれかである]及び水を含むレジスト及びエッチング残留物少なくとも一種を除去するための組成物であって、前記ヒドロキシルアミン、少なくとも1種の有機溶剤及び化学式15で示す少なくとも1種の化合物が、基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するのに十分な量で存在する組成物。
【請求項27】 前記有機溶剤はジグリコールアミンであり、化学式15で示す前記化合物がカテコールである請求項26の組成物。
【請求項28】 前記ヒドロキシルアミンと水とが約50:50の割合で存在する請求項26記載の組成物。
【請求項29】 前記ジグリコールアミンが約60重量%又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約2.5重量%又はそれ以上の量で存在する請求項27記載の組成物。
【請求項30】 前記ヒドロキシルアミンが約17.5重量%の量で存在し、前記ジグリコールアミンが約60重量%又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約2.5重量部又はそれ以上の量で存在し、及び前記水が約17.5重量%の量で存在する請求項28記載の組成物。
【請求項31】 前記有機溶剤はモノエタノールアミンである請求項26記載の組成物。
【請求項32】 前記有機溶剤はモノイソプロパノールアミンである請求項26記載の組成物。
【請求項33】 基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去する方法であって、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を有する基板に、ヒドロキシルアミンを約5〜約50重量%、前記ヒドロキシルアミンに混和可能な少なくとも1種の有機溶剤を約10〜約80重量%、化学式16で示す少なくとも1種の化合物を約2.5〜約30重量%、
【化16】



[式中、R15及びR16は、水素、t-ブチル、OH又はCOOHのいずれかである]及び水を含む組成物を接触させることを含み、前記組成物を基板からレジストまたはエッチング残留物の少なくとも一つを除去するのに十分な温度及び時間で基板と接触させる方法。
【請求項34】 前記ヒドロキシルアミンと水とが約50:50の割合で存在する請求項33記載の方法。
【請求項35】 前記有機溶剤がジグリコールアミンであり、化学式16で示す前記化合物がカテコールである請求項33記載の方法。
【請求項36】 前記ジグリコールアミンが約60重量%又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約2.5重量%又はそれ以上存在する請求項35記載の方法。
【請求項37】 前記ヒドロキシルアミンが約17.5重量%の量で存在し、前記ジグリコールアミンが約60重量%又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約2.5重量部又はそれ以上の量で存在し、及び前記水が約17.5重量%の量で存在する請求項35記載の方法。
【請求項38】 前記有機溶剤がモノエタノールアミンである請求項33記載の方法。
【請求項39】 前記有機溶剤がモノイソプロパノールアミンである請求項33記載の方法。
【請求項40】 下記(a)、(b)及び(c)を含む組成物。
(a)化学式17を有する化合物、化学式18を有する化合物、化学式19を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸化および還元電位を有する1種又は2種以上の求核アミン化合物を約5〜約50重量%,
【化17】

[式中、R5 、R6 及びR7 は、それぞれ独立に,水素、ヒドロキシル基、置換されたC1 -C6 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩及びそれらの誘導体である]
【化18】


[式中、R8 、R9 及びR10は、それぞれ独立に、水素、置換されたC1 -C6 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のR8 、R9 及びR10の全部が水素であることはない]及び
【化19】


[式中、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたC1 -C6 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩である];
(b)前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の1種または2種以上を約10〜約80重量%;及び
(c)化学式20を有する化合物、化学式21を有する化合物、化学式22を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び下記化学式23で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の1種または2種以上を約2.5〜約30重量%、
【化20】


[式中、R15及びR16は、水素、t-ブチル、OH又はCOOHのいずれかである]
【化21】


[式中、R17は、OH又はCOOHである]
【化22】


[式中、R18、R19、R20及びR21は、H又はNH4 のいずれかであり、又はこれらのアンモニウム塩である]
R1R2R3R4NOH
[式中、R1、R2、R3 又はR4 は、それぞれ独立に.水素、または炭素原子1から5を有する短鎖アルキル基である]及び
(d)水。 」
2.特許異議申立の理由の概要
特許異議申立人は、
甲第1号証 特開平4-289866号公報
甲第2号証 「化学大辞典 2 縮刷版」共立出版株式会社(昭和59年3月15日縮刷版第28刷発行)第875〜876頁
甲第3号証 東京化成工業株式会社編「取り扱い注意試薬ラボガイド」株式会社講談社(1988年12月20日第3刷発行)第100頁
甲第4号証 米国特許第4395348号明細書
を提出して、
請求項1、2、4、6〜13、15、17〜40に係る発明は、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項に規定する発明に該当するとして、各発明に係る特許は、拒絶しなければならない特許出願に対して特許されたものであるからその特許を取り消すべき旨主張する。
3.甲号各証の検討
甲第1号証には、
(1a)「【請求項1】 耐食膜を支持体から除去する組成物で、ヒドロキシルアミンと、前記ヒドロキシルアミンと混和性のある少なくとも1種のアルカノールアミンからなり、前記ヒドロキシルアミンと前記アルカノールアミンが耐食膜を支持体から除去するだけの十分な量で存在することを特徴とする組成物。
【請求項2】 前記ヒドロキシルアミンは、重量比で約5%乃至90%の量で存在することを特徴とする請求項1の組成物。
【請求項3】 前記少なくとも1つのアルカノールアミンは、重量比で約10%乃至95%の量で存在することを特徴とする請求項1の組成物。
【請求項4】 前記組成物が少なくとも1つの極性溶媒からさらになることを特徴とする請求項1の組成物。
【請求項5】 前記少なくとも1つの極性溶媒は、重量比で約5%乃至85%の量で存在することを特徴とする請求項4の組成物。
【請求項6】 前記少なくとも1 つの極性溶媒は、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、ブロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、N-置換ピロリドン、エチレンジアミンおよびエチレントリアミンから本質的になる群から選ばれることを特徴とする請求項4又は5の組成物。
【請求項7】 前記少なくとも1つのアルカノールアミンのアルカノール基には、1乃至5の炭素原子が含まれることを特徴とする請求項1の組成物。
【請求項8】 前記少なくとも1つのアルカノールアミンは、モノアミン類、ジアミン類およびトリアミン類から本質的になる群から選ばれることを特徴とする請求項1の組成物。
【請求項9】 前記少なくとも1つのアルカノールアミンは次式すなわち、R1R2-N-CH2CH2-O-R3 で示され式中のR1とR2は、H、CH3、CH3CH2もしくは、CH2CH2OHそしてR3はCH2CH2OHであることを特徴とする請求項1の組成物。
【請求項10】 食膜を支持体から除去する方法で、次掲の工程、すなわち、耐食膜がその上に覆われた支持体を、ヒドロキシルアミンと、前記ヒドロキシルアミンと、混和性のある少なくとも1つのアルカノールアミンからなる組成物と、前記耐食膜を前記支持体から除去するだけの十分な温度と時間で接触させる工程からなる耐食膜を支持体から除去する方法。。
【請求項11】 前記耐食膜が感光性耐食膜であることを特徴とする請求項10の方法。
【請求項12】 前記耐食膜がポリイミドコーチングであることを特徴とする請求項10の方法。
【請求項13】 前記ヒドロキシルアミンが重量比で約5%乃至90%の量で存在することを特徴とする請求項10の方法。
【請求項14】 前記少くとも1つのアルカノールアミンが重量比で約10%乃至95%の量で存在することを特徴とする請求項10の方法。
【請求項15】 前記ストリップ組成物が少くとも1つの極性溶媒からさらになることを特徴とする請求項10の方法。
【請求項16】 前記少くとも1つの極性溶媒が重量比で5%乃至85%の量で存在することを特徴とする請求項15の方法。
【請求項17】 前記少くとも1つの極性溶媒は、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、N-置換ピロリドン、エチレンジアミン及びエチレントリアミンから本質的になる群から選ばれることを特徴とする請求項15もしくは16の方法。
【請求項18】 前記少くとも1つのアルカノールアミンのアルコノール基には、1乃至5の炭素原子が含まれることを特徴とする請求項10の方法。
【請求項19】 前記少くとも1つのアルカノールアミンはモノアミン類、ジアミン類及びトリアミン類から本質的になる群より選ばれることを特徴とする請求項10の方法。
【請求項20】 前記少くとも1つのアルカノールアミンは次式すなわち、 R1R2-N-CH2CH2-0-R3で示され、式中、R1とR2はH、CH3.、CH4CH2もしくはCH2CH2OHそしてR3はCH2CH2OHであることを特徴とする請求項10の方法。
【請求項21】 前記支持体が半導体ウエファーであることを特徴とする請求項10の方法。
【請求項22】 前記温度は、50℃乃至150℃の範囲であることを特徴とする請求項10の方法。
【請求項23】 前記時間は、2乃至30分の範囲であることを特徴とする請求項10の方法。 」(特許請求の範囲)に関する発明が記載され、
(1b)「【0002】
【従来の技術】超小形回路の2次加工中、多数の適切にドープされた域を半導体の切片に正確に位置決定させるには、前記半導体の上に1つ以上の系統連系パターンの位置づけをその後に行う必要がある。ポジ型の耐食膜が支持体上のパターンの線引きに広く使用され、それによってパターンが支持体に実質的にエッチングされるか、別の方法で輪かくをつけることができるようになる。そこで、支持を準備する最終工程で、未露光耐食膜物質を支持体から除去する必要がある。しかし、ますます、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチングもしくはイオンミリングが、支持体に対するパターンの輪かくづけに用いられるが、耐食膜マスクが、1つ以上の次掲の溶媒を含むストリップ剤による除去も実質的に不可能にする。溶媒は、すなわち:ハロゲン化炭化水素、例えば、塩化メチレンもしくはテトラクロロエチレン;アミンとその誘導体例えば、ジエタノールアミン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ピロリドン、ジエタノールアミンとトリエタノールアミン;グリコールエーテル類例えばエチレングリコールモノエチルエーテル、2-ブトキシエタノールと2-(ブトキシエトキシ)エタノール;及びアルキルスルホン例えばジメチルスルホンのようなものである。
(1c)「【0003】そのうえ、前記エッチング加工中、有機金属化合物が側壁高分子物質として形成される。上述の溶媒も、この側壁有機金属重合体の除去には効果的でない。感光性耐食膜除去に効果的な最近開発された技術は、プラズマ灰化としても周知のプラズマ酸化である。しかし、この方法が感光性耐食膜の除去に有効であるが、エッチング工程中に形成された側壁有機金属重合体の除去には効果的でない。」
(1d)「【0008】本発明はさらに、支持体から、半導体集積回路の製造中、前記支持体に損傷を与えることなく、又後続の作業や作業工程に悪影響或いは妨害することなく感光性耐食膜を除去するストリップ組成物の提供を主目的とする。」
(1e)「【0015】
【作用】本発明のストリップ組成物には、ヒドロキシルアミン、少くとも1つのアルカノールアミンと、任意に少くとも1つの極性溶媒が含まれる。前記ストリップ組成物は、耐食膜例えばプラズマエッチング環境で処理されたものと、硬化重合体耐食膜例えばポリイミドコーチングを含む感光性耐食膜の除去に適当な相乗作用のあるストリップ組成物の性質を示す。そのうえ、ストリップ組成物はプラズマエッチング工程中に支持体上に形成された有機金属重合体の除去に適当である。」
(1f)「【0018】
本発明で使用する適当なアルカノールアミンは、前記ヒドロキシルアミンとの混和性を有し、好ましくは水溶性であることである。」と記載されている。
甲第2号証には、
(2a)極性溶媒の代表的なものは、水、アルコールであることが記載されている。
甲第3号証には、
(3a)ヒドロキシルアミンは、50%水溶液として市販されていることが記載されている。
甲第4号証には、
(4a)「1.基体からホトレジストを除去するのに十分な量の有機スルホン酸及び1,2-ジヒドロキシベンゼンから実質的になる、基板からホトレジストを除去するための組成物。
2.前記の組成物において、さらに非極性又は極性有機溶剤を含む請求項1の組成物。
3.非極性有機溶剤が6〜20個の炭素原子を含む芳香族又はアルキル芳香族溶剤である請求項2の組成物。
4.有機スルホン酸が約20〜約90重量%、1,2-ジヒドロキシベンゼンが約0.1〜約20重量%及び非極性有機溶剤が0〜約60重量%の量で存在する請求項1の組成物。
5.有機スルホン酸約30〜60重量%及び1,2-ジヒドロキシベンゼン約3〜15重量%を含む請求項4の組成物。
6.有機スルホン酸約15重量%、1,2-ジヒドロキシベンゼン約5重量%及び非極性有機溶剤約60重量%を含む請求項5の組成物。
7.非極性有機溶剤がキシレンである請求項6の組成物。
8.約20〜150℃の温度においてホトレジストに請求項1の組成物を接触させることを含む、基板からホトレジストをストリップする方法。
9.基板が金属被覆無機基板である請求項8の方法。
10.基板がアルミニウム被覆された二酸化ケイ素絶縁層をもつシリコンウエハである請求項9の方法。」(第6欄第4〜38行(特許請求の範囲))に関する発明が記載され、
(4b)従来技術の課題として、「現在、最も普通に用いられてきたホトレジストストリッパー、例えば本発明の譲渡人から市販されている712Dホトレジストストリッパー、インダストリーケムから市販されているJ-100ホトレジストストリッパー、アライドケミカルコーポレーションから市販されているA-20、A-30及びA-40ホトレジストストリッパーは、特定の有機スルホン酸、フェノール及び塩素化炭化水素溶剤の混合物である。」(第1欄第21〜28行)こと、
(4c)「塩素化炭化水素及びフェノールに伴う安全性及び環境汚染の問題の結果として、組成物中のこれらの成分を適当なものに置き換えることが望ましいこと、及び半導体工業において種々のホトレジストストリッパー組成物が提案されたが、上記の組成物は、いずれも実用的には適切ではないことが分った。」(第1欄第34〜41行)こと、
(4d)そのために、「この発明は、特に集積回路の構築に有用な新規なフェノールを含まないホトレジストストリッピング組成物及び方法に関するものであり、さらに詳しくは、ポジ型及びネガ型両方のホトレジストに有用で、従来のホトレジストストリッピング組成物及び方法に存在した安全性及び環境汚染に問題をもたらす化合物を含まないストリッピング組成物及び方法に関するものである。」(第1欄第7〜15行)こと、
(4e)具体的な目的として、「この発明の目的は、集積回路に慣用されている金属及び絶縁層と両立しうる、フェノール及び塩素化炭化水素溶剤を含まないホトレジストストリッピング組成物及び方法を提供することである。」(第1欄第59〜63行)、
(4f)「この発明のさらに別の目的は、市販品として入手しうる、フェノール又は塩素化炭化水素溶剤を含むホトレジストストリッピング組成物を用いて得られる結果に、少なくとも匹敵するストリッピング効果を与えるような組成物及び方法を提供することである。」(第1欄第67行〜第2欄第4行)
(4g)1,2-ジヒドロキシベンゼンの作用に関して、「この発明の組成物及び方法に使用する1,2-ジヒドロキシベンゼンは、アルミニウム、鉄、その他の金属の腐食抑制剤としての作用、および、集積回路からホトレジストをストリッピングするのに用いる高温処理の間に、金属上に重合体残査の沈積が形成するのを阻止する遅延剤としての作用の両方の作用を行っていると信じられる。」(第2欄第31〜38行)こと、
(4h)具体的な配合量として、「組成物中の1,2-ジヒドロキシベンゼンの量の好適範囲は、約3から約15重量%であり、特に約5重量%が好ましい。」(第2欄第61〜65行)こと、が記載されている。
4.判断
4.1 請求項1に係る発明について
甲第1号証に記載されたヒドロキシルアミンは、本件請求項1に係る発明(以下、「第1発明」という)における化学式1の化合物に該当し、ヒドロキシルアミンと混和性のあるアルカノールアミンは、第1発明における求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤に該当し、それらの配合割合も一致する範囲を有している。
そして、甲第3号証によれば、ヒドロキシルアミンは水溶液として取り扱われるのが常態であるものと認められるから、ヒドロキシルアミンを使用する甲第1号証に記載された組成物が、水を含有することは明らかである。
したがって、第1発明と、甲第1号証に記載された発明とを対比すると、両者は、「下記(a)、(b)及び(d)を含む、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するための組成物であって、
(a)化学式1に含まれるヒドラジンからなる酸化および還元電位を有する求核アミン化合物を約5〜約50重量%、
(b)前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の1種または2種以上の有機溶剤を約10〜約80重量%;
(d)水、
であって,前記求核アミン化合物、有機溶剤が基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するのに十分な量で存在している組成物。」である点で一致し、
第1発明が、(c)成分である、化学式4を有する化合物、化学式5を有する化合物、化学式6を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び化学式7で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の1種または2種以上を約2.5〜約30重量%含有することを規定するのに対して、甲第1号証に記載された発明にはこの点についての規定がない相違がある。
相違点について検討する。
甲第4号証には、基体からホトレジストを除去するための組成物、すなわち剥離剤に、1,2-ジヒドロキシルベンゼンを、約3〜15重量%添加することで、フェノールや塩素化炭化水素溶剤を使用することなく、フェノールや塩素化炭化水素溶剤を使用した剥離剤に匹敵する剥離剤が得られること、1,2-ジヒドロキシベンゼンは、集積回路からホトレジストを剥離するのに用いている高温処理の間に、金属上に重合体残査の沈積が形成するのを阻止する遅延剤としても作用することが記載されている。
ところで、甲第4号証の組成物は、有機スルホン酸を主要成分とするものであると記載されているところからみて、pHが極めて低い強酸性の剥離剤である。それに対して、甲第1号証のヒドロキシルアミンを使用する組成物は、pHが高い強塩基性の除去組成物である。
そのように、強酸性の剥離剤中に使用される場合に有効であった添加剤を、液性の全く異なる強塩基性の剥離剤中に添加することは、剥離剤と添加物との相互作用等の点を考慮すると当業者が通常行う技術事項とは認められない。
そして、1,2-ジヒドロキシベンゼンが、強酸性及び強塩基性の両者において同様の作用効果が奏されることを事前に予測できるものでもない。
また、第1発明は、プラズマエッチング工程中に形成される有機金属及び金属酸化物等のエッチング残留物の除去に適する(本件特許明細書段落【0011】、【0025】及び【0001】〜【0010】の従来の技術参照)という効果を奏するものであるのに対し、被申立人が取消理由通知に対応して提出した意見書に添付した乙第1号証の記載によれば、甲第4号証の出願時である1981年当時、ドライエッチング法は未開発であることが認められる。
そのため、甲第4号証には、ドライエッチングに起因する課題(エッチング残留物の生成)について認識しうる根拠がないから、甲第4号証に記載された金属成分の沈積形成物と第1発明のエッチング残留物とが同一の物質であるとはいい難いし、第1発明と甲第4号証に記載の発明とが同じエッチング法に関する技術であるとも認められない。
以上のとおり、甲第1号証に記載の「耐食膜をその支持体から除去する組成物」に対して、甲第4号証に記載された組成物に使用される1,2-ジヒドロキシルベンゼンを組み合わせるべき動機は存在しないし、組み合わせることによる第1発明の前述の効果が予測されるものでもない。
甲第2号証には、極性溶媒の代表的な例として水、アルコールが記載されているのみであり、レジスト剥離剤との関連を示す記載はない。
したがって、第1発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。

4.2 請求項2,4,6〜11に係る発明について
第1発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの(a)成分化合物について特定する請求項2,4,6〜11に係る発明は、第1発明についての判断と全く同じ理由により、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
4.3 請求項12に係る発明について
請求項12に係る発明は、第1発明の組成物を、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を基板と接触させる方法であり、その組成物そのものに主要な特徴を有するものであるから、第1発明と同様の理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
4.4 請求項13,15,17〜25に係る発明について
請求項12に係る発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの(a)成分化合物について特定する請求項13,15に係る発明、(b)成分の化合物を特定する請求項17〜22に係る発明、基板の材質について規定する請求項23に係る発明、接触させる条件について特定する請求項24,25に係る発明についても、請求項12に係る発明に対する判断と同じ理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
4.5 請求項26に係る発明について
請求項26に係る発明は、第1発明の構成のうちの(a)成分化合物について特定するものであり、その余の構成は変わらないものである。上記のとおり、第1発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない以上、その構成のうちの(a)成分についてさらに下位概念で表現したのみの、請求項26に係る発明は、第1発明についての判断と全く同じ理由により、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
4.6 請求項27〜32に係る発明について
請求項26に係る発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの(a)成分化合物について特定する請求項27〜32に係る発明は、請求項26に係る発明についての判断と全く同じ理由により、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
4.7 請求項33に係る発明について
請求項33に係る発明は、請求項26に係る発明の組成物を、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するために基板に接触させる方法であり、その組成物そのものに主要な特徴を有するものであるから、請求項26に係る発明と同様の理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
4.8 請求項34〜39に係る発明について
請求項33に係る発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの(b)成分化合物について特定する請求項21〜25に係る発明についても、請求項33に係る発明に対する判断と同じ理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
4.9 請求項40に係る発明について
さらに、請求項40に係る発明は、特に用途を限定しない、いわゆる、絶対組成物クレームになっているが、上記のとおり、レジストを洗浄、除去し、エッチング残留物を除去する分野において、その配合に係る組成物を容易に発明し得たとする根拠が無く、さらに、レジストを洗浄する分野とは異なる分野でも、本件発明の(a)〜(d)からなる特定物質を特定の配合比で用いる組成物と全く同一の組成物が存在していることも示されていないから、請求項40に係る発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
そして、本件各発明は、その構成によって、ウエットエッチングからドライエッチングに推移するにともないそれまでの剥離剤では剥離しにくくなったレジストを剥離できるようにするとともに、エッチング残留物というドライエッチングに伴う独特の課題を解決することができる組成物、除去方法を提供するうえに、除去組成物が経時的に劣化したものを、キレート剤すなわち(c)成分を添加することにより再生することができるという、格段の効果を奏するものである。
III.むすび
以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項1、2、4、6〜13、15、17〜40に係る発明の特許を取り消すことはできない。
また、他に本件請求項1、2、4、6〜13、15、17〜40に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
したがって、本件請求項1、2、4、6〜13、15、17〜40に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対して付与されたものと認めないから、特許法等の一部を改正する法律(平成6年法律第116号)附則第14条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令(平成7年政令第205号)第4条第2項の規定により、結論のとおり決定する。
 
異議決定日 2002-01-30 
出願番号 特願平5-193940
審決分類 P 1 652・ 121- Y (G03F)
最終処分 維持  
前審関与審査官 吉田 禎治  
特許庁審判長 城所 宏
特許庁審判官 阿久津 弘
植野 浩志
登録日 2000-03-24 
登録番号 特許第3048207号(P3048207)
権利者 イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレイテッド
発明の名称 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法  
代理人 片山 英二  
代理人 小林 純子  
代理人 阿形 明  

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