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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録 H01L 審判 査定不服 1項3号刊行物記載 取り消して特許、登録 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1054659 |
| 審判番号 | 審判1999-14223 |
| 総通号数 | 28 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 1993-11-05 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 1999-09-02 |
| 確定日 | 2002-03-16 |
| 事件の表示 | 平成4年特許願第267381号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成5年11月5日出願公開、特開平5-291212、請求項の数(5)〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 |
| 理由 |
本願の請求項1〜5に係る発明は、平成12年8月1日付けの当審拒絶理由通知に対する、平成12年10月10日付けの手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項1〜5に記載されたとおりの次のものと認める。 「【請求項1】被加工基板上に第1レジスト膜、レジスト膜に対して耐エッチング性を有する膜、及び第2レジスト膜を順次形成し、前記第1レジスト膜及び第2レジスト膜を所定の形状にパターニングするためのエッチングにおいて、前記第2レジスト膜が完全に除去された後にエッチング条件を変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 【請求項2】前記レジスト膜に対して耐エッチング性を有する膜として、SOG膜を用いることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 【請求項3】前記エッチング条件の変化は、O2ガスを減少させると同時にCO2又はCl2ガスを増加させることを特徴とする、請求項1又は請求項2記載の半導体装置の製造方法。 【請求項4】前記エッチング条件の変化は、高周波電力を増加させることを特徴とする、請求項1、2又は3記載の半導体装置の製造方法。 【請求項5】表面に段差部を有する被加工基板上に被エッチング膜を形成し、この上に所定のパターンのレジスト膜を形成し、前記レジスト膜の開口部が前記段差部の上方に位置し、前記レジスト膜をマスクとして前記被エッチング膜をエッチングする際において、 前記被エッチング膜の露出部の面積が減少するとO2ガスを減少させると同時にCO2又はCl2ガスを増加させることにより前記マスクとの寸法シフトが生じないことを特徴とする半導体装置の製造方法。」 そして、本願については、原査定の拒絶の理由を検討しても、その理由により拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審決日 | 2002-02-27 |
| 出願番号 | 特願平4-267381 |
| 審決分類 |
P
1
8・
113-
WY
(H01L)
P 1 8・ 121- WY (H01L) |
| 最終処分 | 成立 |
| 前審関与審査官 | 増山 剛、今井 淳一、宮崎 園子、▲高崎▼ 久子 |
| 特許庁審判長 |
影山 秀一 |
| 特許庁審判官 |
池田 正人 市川 裕司 |
| 発明の名称 | 半導体装置の製造方法 |
| 代理人 | 木下 雅晴 |
| 代理人 | 小池 隆彌 |