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| 審決分類 |
審判 一部申し立て 2項進歩性 C01G 審判 一部申し立て ４項（５項） 請求の範囲の記載不備 C01G 審判 一部申し立て 特36 条４項詳細な説明の記載不備 C01G |
|---|---|
| 管理番号 | 1094695 |
| 異議申立番号 | 異議2002-71246 |
| 総通号数 | 53 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 1993-02-02 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 2002-05-17 |
| 確定日 | 2004-03-15 |
| 異議申立件数 | 1 |
| 事件の表示 | 特許第3229620号「半導体超微粒子の製造方法および組成物」の請求項1、3に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 特許第3229620号の請求項3に係る特許を取り消す。 同請求項1に係る特許を維持する。 |
| 理由 |
1.手続の経緯 特許第3229620号の請求項1及び3に係る発明についての出願は、平成3年7月22日に特許出願されたものであり、平成13年9月7日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人 松田珠希より特許異議の申立てがなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内に意見書が提出されたものである。 2.特許異議申立てについて 2-1.本件発明 特許第3229620号の請求項1及び3に係る発明(以下、「本件発明1」及び「本件発明3」という。)は、それそれ、明細書の特許請求の範囲の請求項1及び3に記載された次のとおりのものである。 「【請求項1】 非水溶媒中に、カルコゲン化物半導体超微粒子原料と製造されるカルコゲン化物半導体超微粒子の安定化剤を共存させ、反応温度を制御することによって、製造されるカルコゲン化物半導体超微粒子の粒径の粒径分布を任意に制御する半導体超粒子の製造方法。」 「【請求項3】 非水溶媒中に、カルコゲン化物半導体超微粒子原料と製造されるカルコゲン化物半導体超微粒子の安定化剤を共存させ、反応温度を制御することによって製造されるカルコゲン化物半導体超微粒子の分散溶液より、溶媒を除去することにより得られる粒径分布が制御された超微粒子が分散された分散ポリマー組成物。」 2-2.申立ての理由の概要 特許異議申立人 松田珠希は、下記の甲第1号証乃至甲第4号証及び参考資料を提出し、本件発明1は、甲第1号証乃至甲第4号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであり、本件発明3は、甲第3号証に記載された発明であるか、甲第1号証乃至甲第4号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第29条第1項第3号又は同条第2項の規定により特許を受けることができないものであるから、また、本件の出願は明細書及び図面の記載が特許法第36条第4項及び第5項に規定する要件を満たしていないものであるから、本件発明1及び3の特許は、取り消されるべきものである旨主張している。 甲第1号証:Langmuir,Vol.5,1355-1358(1989) 甲第2号証:J.Soc.Photogr.Sci.Technol.Japan,Vol.53,No.4,p.329-334(1990) 甲第3号証:J.Chem.Phys.,Vol.80,4464-4469(1984) 甲第4号証:J.Chem.Phys.,Vol.82,552-559(1985) 参考資料:「改訂3版 化学工学辞典」昭和61年3月20日、丸善株式会社発行、第580頁 2-3.本件発明1について 2-3-1.特許法第29条第2項違反について [I]甲第1号証乃至甲第4号証に記載された事項 (1)当審が取消理由で引用した刊行物1である甲第1号証には、「アセトニトリル溶液中で調製したCdSQ粒子の走査型トンネル電子顕微鏡画像」との表題の下、下記の記載がある。 (1-ア)「高温で調製し、高い秩序性を有する熱分解グラファイト上に塗布したCdSコロイドのSTM画像は、個々の粒子サイズは15〜40Å(低温で調製したサンプルとほぼ同じ)であるが、低温で調製したCdSコロイドの画像よりも凝集程度が大きいことを示した。」(第1355頁表題の下、要旨の第5〜9行) (1-イ)「Q粒子の安定化及びサイズの決定は、屡々因難である。微細粒子は凝集し、オストワルド熟成により成長する傾向があるので、安定化剤(例:メタホスフェート又は有機界面活性剤)が粒子合成の間に屡々添加される。・・・ここに報告する仕事の一つのゴールは安定化剤の添加なしでのCdSの量子効果粒子(Q-CdS)の調製である。」(第1355頁右欄第6〜16行) (1-ウ)「コロイド粒子の調製。 2×10-4MのCd(SCN)2のアセトニトリル(MeCN)溶液を真空下調製した。この溶液の125-mLを250-mLの反応容器に入れ、真空下脱気(アスピレーター)した。溶液を所望の温度に保持し、マグネチックスターラで撹拌しながら該溶液上の反応容器内にH2Sを導入してCdS分散液を生成させた。サンプルを室温で調製した場合、急速に黄色になりCdSが形成したことを示した。同様な手順を用いて、25、-5及び-42℃でCdS溶液を調製した。溶液の色は調製温度が低くなるにつれ、より薄くなった。」(第1356頁左欄第17〜28行) (1-エ)「Q-CdSコロイド分散液は通常安定化剤(例えば、へキサメタホスフェート、ポリ(ビニルアルコール))を溶液に加えて調製される。この様なコロイドは粒子上に吸着した添加剤の存在下、凝集及び沈殿に対し安定化される。しかし、我々は添加剤なしでコロイド化Q-CdSを調製したい。」(第1356頁右欄第8〜14行) (1-オ)「CdSコロイドの他の安定化方法は、直接対イオンを強く吸着させることである。例えば、Weiser及びDurhamは、CdS粒子上にCl-を吸着させることを示した。当該研究及び他の研究は、ハライド又はチオシアナートアニオン(X-)のCdS粒子上への吸着が負に帯電した表面を形成し、静電的反発力により凝集を阻害することを示す。」(第1356頁右欄第31〜38行) (1-カ)「CdSコロイド粒子をアセトニトリル中でCd(NO3)2とH2Sとの反応によりハロゲン化カリウム存在下に直接合成した場合、X-の安定化効果はX-のCdS粒子表面への吸収強度に明白に依存した。CdS分散液の与えられた濃度(例えば、0.2mM)での同1条件下での異なるハロゲン化物の安定化効果は、大きい方からSCN-＞Bｒ-＞I-＞Cl-の順番であった。」(第1356頁右欄下から第3行〜第1357頁左欄第5行) (1-キ)「この報告結果では、CdSコロイドを調製するための出発原料としてCd(SCN)2を用いた。アセトニトリル中でCd(SCN)2とH2Sを直接反応させることにより非常に安定なCdSの微細粒子コロイドが調製された。この分散液は、調製後4月以上安定であった。異なる温度で調製されたCdSコロイド結晶の吸収スペクトル(図1)が示すように、粒子サイズは反応温度に依存した。-42℃で調製したコロイドは安定で、可視領域で透明であったが、その分散夜を室温に暖めると黄色に変わった。」(第1357頁左欄第15行〜同頁右欄第9行)として、第1356頁左欄には図1が記載されている。 (1-ク)「STM及びTEMの両者をCdS粒子の画像観察に用いた。これらのサンプルは、基板上のアセトニトリル分散液の夜滴を蒸発させることにより調製した。サンプル調製手法に付随する問題は、蒸発でCdS粒子が固まり、分光測定に用いる溶液には存在しない、より大きな凝集体となることである。分散液調製に用いた温度より高温で蒸発すると、CdS粒子を大きくする。」(第1357頁右欄第13行〜第1358頁左欄第5行) (2)当審が取消理由で引用した刊行物2である甲第2号証には、「量子半導体結晶の構造、表面化学及び電子特性」との表題の下、下記の記載がある。 (2-ア)「代表的なII-VI結晶は、ホスフィン或いはピリジンのような金属配位溶媒に溶解する。逆ミセル(石鹸-水-炭化水素)溶液は、無機及び有機金属試薬の両方を用いて、粒子径を制御した”キャップ”結晶を製造し得る簡便な反応媒体を提供する。」(第330頁右欄下から第3行〜第331頁左欄第6行) (2-イ)「もう一つの価値ある合成手法は、ホスフィン類及びホスフィンオキシド類の混合物中での微結晶(20オンクストローム以下)の高温での加熱還流を含むものである。一般に、高温プロセスは結晶性を向上させ、粒径分布を狭くする傾向がある。結晶はより大きく成長し、キャップされたCdSeの場合、粒径分布は特に狭く、良く分離された光学スペクトルを示すことが観察された。」(第331頁左欄下から第14〜5行) (3)当審が取消理由で引用した刊行物3である甲第3号証には、「微細コロイドCdS結晶の励起電子状態におけるサイズ効果」との表題の下、下記の記載がある。 (3-ア)「II.実験 アセトニトリル及び水のコロイドのいずれもが、凝固や凝集を防ぐのに使用される安定化剤であるスチレン/無水マレイン酸共重合体を0.1重量%含有する。共重合体の役割は十分解明されていないが、溶解した共重合体が陰イオンのカルボキシレート基を有し、これがCdS結晶上のCd++表面イオンと錯体化しているらしい。」(第4464頁右欄第26〜33行) (3-イ)「アセトニトリルコロイドは、同様に、濃度1.86×10-3MのCd(NO3)2・4H2Oアセトニトリル溶液20ccを・・・2.5×10-3M(NH4)2Sの共重合体含有アセトニトリル溶液100cc中に射出して調製した。」(第4465頁左欄第4〜7行) (3-ウ)「コロイドは、細かいメッシュの銅グリッド上に形成された公称50Å厚さの非晶性炭素膜の上に蒸発又は噴霧された。」(第4465頁左欄第18〜20行) (3-エ)「共重合体の役割についての幾つかのアイディアが、低倍率でのTEMの明視像から得られる。該TEM像は小さなCdS結晶で、これらは互いに独立し、灰色の領域に囲まれている。これらの灰色の領域は結晶を囲む共重合体であると見られる。」(第4467頁右欄第12〜16行) (4)当審が取消理由で引用した刊行物4である甲第4号証には、「サイズが・・・15〜50ÅのZnS及びCdS結晶の励起電子状態及び可視スペクトル:分子から固体半導体特性への展開」との表題の下、下記の記載がある。 (4-ア)「タイプAコロイドは、23℃において濃度6.6×10-3MのNa2Sメタノール溶液5ccを、急速に撹拌されている濃度3×10-3MのCd(ClO4)2メタノール溶液100cc中にシリンジで射出することにより調製された。タイプBコロイドは、両メタノール溶液を-77℃で射出した他は、同様にして調製した。」(第552頁右欄第26〜31行) (4-イ)「図1はタイプA及びタイプBのCdSコロイドのスペクトルを示す。これらの曲線はIのCdSデータを遠紫外域へ拡大しており、合成における温度の影響を表す。コロイドA(表1:#1)のTEM分析は、平均粒径が58Åの互いに良く分離したCdS結晶を示す。」(第553頁右欄第4行〜9行)として、第553頁右欄には図1が、第554頁左欄には表1が記載されている。 (4-ウ)「コロイドBは、メタノール中-77℃での合成である。このコロイドは、-77℃において安定で光学的に透明であるが、室温にまで暖めると沈殿を生ずる。該コロイドのTEM像は、明らかにTEMサンプル作成中に形成された微細結晶の凝集物を示している。凝集物の内部で格子面を示す結晶の直接測定から得られるサイズ分布は、平均粒径が29Å(表1:#2)であることを示す。われわれは、このサイスが-77℃溶液中に存在する代表的な単離されたコロイド粒子であると考える。」(第553頁右欄第18行〜27行) (4-エ)「低温でのメタノールコロイドは、先に報告した室温下、有機重合体で安定化したアセトニトリルでのCdSコロイドの平均粒径34Åに極めて近い加重平均粒径のCdS結晶である。」(第553頁右欄第31〜末行) (4-オ)「コロイド#2の結果は、スペクトルのシフトは、アセトニトリルコロイドにおける表面有機物の存在と言うようなある特殊な化学効果を反映しないという先の我々の結論を確認する。」(第554頁左欄第5行〜9行) (4-カ)「我々は、先にCdSを-77℃で合成すると、室温で合成するより小さい結晶を生することを認めた。」(第556頁右欄第5〜7行) (4-キ)「これらスペクトルの温度依存性を説明する。図8(C)は、-77℃でのコロイドの新鮮な物或いは数日間熟成したものを+23℃に加温した場合のスペクトルを示す。260nmにピークがあり、図4の最初の+23℃スペクトルに似ている。この変化は不可逆的で、続いて-77℃に冷却しても8(A)又は8(B)を再生しない。続いての冷却は単に、図7に例証した様に260nmにゆるやかなピークを生ずるだけである。」(第556頁右欄第24行〜第557頁左欄第7行) [II]対比、判断 甲第1号証の記載事項1-イ、エ、オ及びカからみて、甲第1号証に記載された方法は、通常用いられる安定化剤を用いることなくハライド又はチオシアナートアニオンのCdS粒子上への吸着により凝集を阻害しながらCdSコロイドを調製する方法であると云え、[I]で摘記した甲第1号証の記載事項からみて、甲第1号証には、アセトニトリル中でCd(SCN)2とH2Sを直接反応させることにより安定なCdSコロイドが調製されること、及び、その際異なる反応温度で調整されたCdSコロイドの粒子サイズは反応温度に依存したことが記載されている。 しかし、上記のとおり甲第1号証に記載された方法は安定化剤を用いないものであって、甲第1号証に記載された方法におけるハライド又はチオシアナートアニオンはCdS粒子の凝集を阻害する作用を有するとはいえ安定化剤と云えるものではないから、甲第1号証には「カルコゲン化物半導体超微粒子の安定化剤を共存させ、反応温度を制御することによって、製造されるカルコゲン化物半導体超微粒子の粒径の粒径分布を任意に制御する」という本件発明1の構成要件は記載されているとは云えず、かかる事項を示唆する記載もない。 また、甲第2号証には、II-VI結晶の合成手法としてホスフィン類及びホスフィンオキシド類の混合物中での微結晶の高温での加熱還流があり、キャップされたCdSeの場合、粒径分布は特に狭く、良く分離された光学スペクトルを示すことが観察されたことが記載されているが、反応温度を制御することにより製造されるカルコゲン化物半導体超微粒子の粒径の粒径分布を任意に制御することについては何等記載も示唆もない。 また、甲第3号証には、安定化剤であるスチレン/無水マレイン酸共重合体の存在の下、アセトニトリル中でCdSコロイドを製造することが記載されているが、反応温度と製造されたCdSの粒径分布との関係については何等記載も示唆もない。 さらに、甲第4号証には、メタノール中でCd(ClO4)2とNa2Sを反応させることにより安定なCdSコロイドが調製されること、その際異なる反応温度で調整されたCdSコロイドの粒子サイズは反応温度に依存したことが記載されている。しかし、甲第4号証に記載された方法は安定化剤を用いないものであって、甲第4号証にも、カルコゲン化物半導体超微粒子の安定化剤を共存させたときの反応温度と製造されるカルコゲン化物半導体超微粒子の粒径の粒径分布の関係は記載されていない。 してみると、甲第1号証乃至甲第4号証のいづれにも、本件発明1の構成要件である「カルコゲン化物半導体超微粒子の安定化剤を共存させ、反応温度を制御することによって、製造されるカルコゲン化物半導体超微粒子の粒径の粒径分布を任意に制御する」ことは記載も示唆もされていない。 そして、本件発明1は、上記の構成要件によりカルコゲン化物超微粒子の粒径分布を実用上制御できるという本件明細書に記載された効果を奏するものである。 よって、本件発明1は、甲第1号証乃至甲第4号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。 2-3-2.特許法第36条違反について 本件の出願が特許法第36条第4項及び第5項に違反するという異議申立人の主張の根拠は、請求項1には「粒径分布を任意に制御する」という記載があるが、「粒径分布」とは参考資料からも明らかなとおり「どのような粒径の粒子をどのような量的割合で含んでいるかを示すもの」であるところ、本件明細書及び図面には所定の平均粒子径を有する微細粒子を製造したことが示されているに過ぎず、分布幅が示されていないから、請求項1の「粒径分布を任意に制御する」という記載は不明確であって、本件明細書の請求項1には本件発明1の構成要件が記載されておらず、また、本件明細書の発明の詳細な説明には当業者が容易に実施し得る程度に本件発明1が記載されていないというものである。 しかし、本件明細書【0025】段落の「半導体超微粒子は、粒径が小さいと、その「閉じ込め」効果により光吸収末端は短波長にあり、その成長とともに長波長側に移動してくることから、製造される粒径分布を知ることができる。」との記載のとおり、光吸収スペクトルは半導体微粒子の粒径分布を反映するものであると云え、図2及び図4には複数の反応温度により製造された半導体微粒子の吸収スペクトルにおいて、異なる波長にピークを持つ吸収が所定の幅をもって図示されているところであり、本件明細書及び図面には、製造されるカルコゲン化物半導体超微粒子の平均粒子径と共に粒径の分布幅が記載されていると云えるから、異議申立人の主張は根拠のないものであり、本件の出願は特許法第36条に規定する要件を満たしていると云える。 2-4.本件発明3について 当審で通知した取消理由通知に対して提出された意見書中で、特許権者は、請求項1に関する取消理由にのみ反論し、請求項3に関する取消理由には反論しないことを明言している。 そして、上記請求項3に関する取消理由は妥当なものと認められるので、本件発明3についての特許は、この取消理由によって取り消すべきものである。 2-5.むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠方法によっては本件発明1についての特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明1についての特許を取り消すべき理由を発見しない。 したがって、本件発明1についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。 また、本件発明3についての特許は、上記のとおり取り消すべきものである。 よって、特許法等の一部を改正する法律(平成6年法律第116号)附則第14条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令(平成7年政令第205号)第4条第2項の規定により、結論のとおり決定する。 |
| 異議決定日 | 2004-01-26 |
| 出願番号 | 特願平3-181157 |
| 審決分類 |
P
1
652・
532-
ZC
(C01G)
P 1 652・ 121- ZC (C01G) P 1 652・ 531- ZC (C01G) |
| 最終処分 | 一部取消 |
| 前審関与審査官 | 大工原 大二 |
| 特許庁審判長 |
石井 良夫 |
| 特許庁審判官 |
岡田 和加子 野田 直人 |
| 登録日 | 2001-09-07 |
| 登録番号 | 特許第3229620号(P3229620) |
| 権利者 | 三井化学株式会社 |
| 発明の名称 | 半導体超微粒子の製造方法および組成物 |
| 代理人 | 金田 暢之 |
| 代理人 | 伊藤 克博 |
| 代理人 | 石橋 政幸 |