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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L
管理番号 1140578
審判番号 不服2004-7680  
総通号数 81 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 1998-05-29 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2004-04-15 
確定日 2006-07-27 
事件の表示 平成 8年特許願第296453号「基板処理システム」拒絶査定不服審判事件〔平成10年 5月29日出願公開、特開平10-144757〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本件出願は、平成8年11月8日の特許出願であって、同15年1月22日付で拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同15年3月31日に意見書と共に明細書を補正する手続補正書が提出されたが、同16年3月10日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、同16年4月15日に本件審判の請求がされ、その後、同16年4月26日に明細書を補正する手続補正書が提出されたものである。

第2 平成16年4月26日付の補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成16年4月26日付の補正を却下する。

[理由]
1 補正の内容の概要
平成16年4月26日付の明細書についてする補正(以下「本件補正」という。)は、特許請求の範囲について補正をすると共にそれに関連して発明の詳細な説明の段落【0007】【課題を解決するための手段】の項について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項1について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。

(1)補正前
「基板の搬送を行う搬送部の周囲に複数の処理部を備え、前記搬送部によって基板を前記処理部へ搬送し、前記処理部で基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、
前記複数の処理部は、ドライ雰囲気で基板の処理を行う第1処理部と、
ウエット雰囲気での基板の処理を含む複数種の基板の処理を行う第2処理部と、
を含み、
前記搬送部と前記第2処理部との間にバッファ部を配置し、
前記第2処理部と前記バッファ部との間において雰囲気を遮断する第1遮断手段と、
前記バッファ部と前記搬送部との間において雰囲気を遮断する第2遮断手段と、
前記第2処理部および前記バッファ部のうち少なくとも1つの内部の気圧を制御する制御手段と、
を備え、
少なくとも前記第1遮蔽手段を開ける前に、前記バッファ部の内部の気圧を前記第2の処理部の内部の気圧より高い状態にすることを特徴とする基板処理システム。」

(2)補正後
「基板の搬送を行う搬送部の周囲に複数の処理部を備え、前記搬送部によって基板を前記処理部へ搬送し、前記処理部で基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、
前記複数の処理部は、ドライ雰囲気で基板の処理を行う第1処理部と、
ウエット雰囲気での基板の処理を含む複数種の基板の処理を行う第2処理部と、
を含み、
前記搬送部と前記第2処理部との間にバッファ部を配置し、
前記第2処理部と前記バッファ部との間において雰囲気を遮断する第1遮断手段と、
前記バッファ部と前記搬送部との間において雰囲気を遮断する第2遮断手段と、
前記第2処理部と前記バッファ部と前記搬送部との内部の気圧を気体供給により制御する制御手段と、
を備え、
前記第1遮蔽手段を開ける前に、前記バッファ部の内部の気圧を前記第2の処理部の内部の気圧より高い状態とし、 前記第2遮断手段を開ける前に、前記搬送部内の気圧を前記バッファ部内の気圧より高い状態にすることを特徴とする基板処理システム。」

2 補正の適否
本件補正のうち特許請求の範囲の請求項1についてする補正は、制御手段が気圧を制御する箇所を、「前記第2処理部および前記バッファ部のうち少なくとも1つ」から「前記第2処理部と前記バッファ部と前記搬送部」に付加限定すると共に制御手段が「気体供給により」制御するという事項を付加し、さらに、「前記第2遮断手段を開ける前に、前記搬送部内の気圧を前記バッファ部内の気圧より高い状態にする」という事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認めれられるので、さらに、補正後の特許請求の範囲の請求項1に係る発明(以下「補正発明」という。)が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。

(1)補正発明
補正発明は、本件補正により補正された明細書及び願書に最初に添付した図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項1に記載された事項により特定される、上記1(2)に示すとおりの「基板処理システム」であると認める。

(2)引用例
これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平3-44058号公報(以下「引用例1」という。)、特開平7-94571号公報(以下「引用例2」という。)及び特開平7-211761号公報(以下「引用例3」という。)には、以下のように記載されている。

ア 引用例1
引用例1には「半導体装置の製造方法および製造装置」に関連して以下の事項が記載されている。
(ア)第2頁左上欄第6〜9行
「本発明は、半導体装置技術に関し、特に、半導体装置のウェハ処理工程における薄膜形成技術やエツチング技術などに適用して有効な技術に関する。」、
(イ)第3頁右上欄第17行〜第4頁左上欄第7行
「本実施例における半導体装置の製造装置は枚葉式とされ、第1図に示すように真空排気が可能な真空ロード・アンロードチャンバ1を備えている。
真空ロード・アンロードチャンバ1内には、仕切りバルブ2の開閉動作を通じて出し入れされるウェハカセット3が設けられ、このウェハカセット3にウェハ4が収納されるようになっている。
真空ロード・アンロードチャンバ1は、仕切りバルブ5を介して真空搬送室6(搬送機構)に隣接している。
真空排気が可能な真空搬送室6内には、ロボットアームなどからなる搬送手段7が設置されている。
真空搬送室6の周囲には、真空ロードロック室8(搬送機構)、エツチングチャンバ9(ドライ処理機構)、スパッタチャンバ10(ドライ処理機構)が配設され、これらの真空ロードロック室8、エツチングチャンバ9、スパッタチャンバ10は仕切りバルブ11,12,13を夫々介して真空搬送室6に隣接している。
そして、真空ロード・アンロードチャンバ1と真空搬送室6間、真空搬送室6と真空ロードロック室8間、真空搬送室6とエツチングチャンバ9間、真空搬送室6とスパッタチャンバ10間において、ウェハ4が搬送手段7により仕切りバルブ5,11,12,13を夫々通じて任意のシーケンスで搬送される構造とされている。
前記真空ロードロック室8は、真空排気およびArなどの不活性ガスの導入が可能とされている。
また、真空ロードロック室8内には、ヒータなどの加熱手段14が設けられ、この加熱手段14によりウェハ4に吸着した水分が真空ベーク法によって除去されるようになっている。
真空ロードロック室8には、ウェット処理室15(ウェット処理機構)が仕切りバルブ16を介して隣接され、この真空ロードロック室8とウェット処理室15間においてウェハ4が所定の搬送手段によって搬送されるようになっている。
ウェット処理室15内には、スピンナ洗浄を行う洗浄部15Aおよびスピンドライヤを行う乾燥部15Bが配設されている。
また、ウェット処理室15内は、N2などの不活性ガスの導入によるパージが可能とされている。
そして、ウェット処理室15内が大気圧ないし大気圧より陽圧状態にN2などの不活性ガスでパージされることにより、ウェット処理室15内のウェハ4が外部大気に接することなく、洗浄部15Aによって洗浄されて自然酸化膜などが除去された後に、乾燥部15Bのスピンナの回転による遠心力によってその洗浄時の付着水分が除去される構造とされている。」、
(ウ)第4頁左上欄第8〜17行
「このようにして、ウェット処理室15において洗浄・乾燥されたウェハ4は、真空状態とされた真空ロードロック室8においてその残存水分が加熱手段14を用いた真空ベーク法によって完全に除去された後に、搬送手段7により真空状態の真空搬送室6を経てスパッタチャンバ10に搬送され、該スパッタチャンバ10において、たとえばAl-Si合金膜などからなる所定の金属薄膜がスパッタリングによってSiなどのウェハ基板上に形成される構造とされている。」、
(エ)第4頁左上欄第18行〜右上欄第9行
「その後に、スパッタチャンバ10内のウェハ4が、搬送手段7により仕切りバルブ13を通じて真空状態の真空搬送室6を経た後に、仕切りバルブ5を通じて真空ロード・アンロードチャンバlに搬送されそのウェハカセット3に収納されて一連の処理が終了する構造とされている。
次に、前記エツチングチャンバ9には、真空ロード・アンロードチャンバ1内のウェハカセット3に収納されたウェハ4が搬送手段7により仕切りバルブ5を通じて真空状態の真空搬送室6を経た後に、仕切りバルブ12を通じて搬送されるようになっている。」、
(オ)第4頁左下欄第6〜18行
「また、エツチングチャンバ9は、そのウェハ4のドライエッチングおよびその塩素系反応ガスの強制排気後において、たとえばフレオン(登録商標)+02などの混合ガスが導入されてプラズマ放電されることにより、ウェハ4のホトレジスト膜21がアッシング法によって除去される構造とされている。
そして、このようにしてエッチングチャンバ9において、ホトレジスト膜21が除去されたウェハ4が、外部大気と遮断されている真空搬送室6および真空ロードロック室8を経てウェット処理室15に搬送された後に、洗浄処理などがなされる構造とされている。」。

また、上記記載において、ウェット処理室15、真空ロードロック室8、真空搬送室6(搬送機構)は、それぞれ、真空状態とされるか、または、不活性ガスが導入されるものであり、そのために、内部の気圧を制御する制御手段を備える必要のあることは技術常識からして明らかである。

以上の記載事項を補正発明に照らして整理すると引用例1には以下の発明が記載されていると認める。
「ウェハ4の搬送を行う真空搬送室6(搬送機構)の周囲に複数の処理機構を備え、前記真空搬送室6(搬送機構)によってウェハ4を前記処理機構へ搬送し、前記処理機構でウェハ4に所定の処理を行う半導体装置の製造装置であって、
前記複数の処理機構は、エツチングチャンバ9、スパッタチャンバ10等のドライ処理機構と、
洗浄及び乾燥を行うウェット処理室15であるウェット処理機構と、
を含み、
前記真空搬送室6(搬送機構)と前記ウェット処理機構との間に真空排気およびArなどの不活性ガスの導入が可能な真空ロードロック室8を配置し、
前記ウェット処理機構と前記真空ロードロック室8との間において雰囲気を遮断する仕切りバルブ16と、
前記真空ロードロック室8と前記真空搬送室6(搬送機構)との間において雰囲気を遮断する仕切りバルブ11と、
前記ウェット処理機構と前記真空ロードロック室8と前記真空搬送室6(搬送機構)との内部の気圧を制御する制御手段と、
を備えた半導体装置の製造装置。」

イ 引用例2
引用例2には以下の事項が記載されている。
(ア)「【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば化学気相成長(chemical vapor deposition:CVD)法を適用して成長させた半導体層の表面を例えば走査型トンネル顕微鏡(scanning tunneling microscope:STM)などを用いて観察し、その結果を例えば成長条件決定にフィード・バックさせるようにする為の半導体プロセス装置及びその使用方法に関する。」、
(イ)「【0009】
【従来の技術】図3は半導体層の成長及び評価を離隔した領域で行うようにした従来の技術を解説する為の半導体プロセス装置を表す要部平面図である。尚、図3は従来の技術に於ける基本的な事項を説明する為のものであるので省略がある。
【0010】図に於いて、1はウエハ導入室、1Aはウエハ・ホルダ、2はウエハ交換室、2Aは回転台、3は成長室、4は評価室、5A,5B,5Cはバルブ、6はトランスファ・ロッド、10はウエハをそれぞれ示している。尚、図示のプロセス装置では、成長室3に於いて分子ビーム・エピタキシャル成長(molecular beam epitaxy:MBE)が行われるものとする。
【0011】図示のプロセス装置に於いては、ウエハ交換室2を中心とし、大気中からウエハを導入する為のウエハ導入室1、成長室3、評価室4のそれぞれがバルブ5A乃至5Cを介して導通及び遮断自在に設置されている。尚、トランスファ・ロッド6はウエハを搬送する役割を果たす。」、
(ウ)「【0026】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理を解説する為の半導体プロセス装置を表す要部平面図である。尚、図3に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【0027】図に於いて、3Aは原料ガス供給管、5Dはバルブ、11は中間室、11Aはガス供給管、21はウエハ導入室1の排気装置、22はウエハ交換室2の排気装置、23は中間室11の排気装置、24は成長室3の排気装置、25は評価室4の排気装置、31は加熱装置をそれぞれ示している。尚、ガス供給管11Aは流量を精密に制御したガスを供給する為のものである。尚、図示のプロセス装置では、成長室3に於いてMOVPEなどCVDに依る成長が行われるものとする。
【0028】図示のプロセス装置が、図3について説明したプロセス装置と相違する点は、ウエハ交換室2と成長室3との間に中間室11を設置したことである。
【0029】従って、成長室3と評価室4との間には、独立した排気装置をもった二つの真空室、即ち、排気装置22をもつウエハ交換室2及び排気装置23をもつ中間室11が介在している。
【0030】このプロセス装置では、中間室5内の圧力を成長室3に比較して高く維持できるようにしてある。
【0031】また、成長が終了した後の成長室3からの排気は、RPである排気装置24からオイルが逆拡散することを防止できるような過程を経て行うようにする。即ち、成長室3が排気装置24と接続されている場合には、オイルの逆拡散が起こらない程度に気体の平均自由行程が小さくなるよう圧力を所定値、例えば、1〔Torr〕以上に維持する。」、
(エ)「【0049】
【実施例】図2は本発明一実施例を解説する為の半導体プロセス装置を表す要部平面図であり、本実施例は、有機金属化学気相堆積(metalorganic chemical vapour deposition:MOCVD)法を適用して成長させた半導体層の表面を評価する場合を対象にしている。尚、図1に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【0050】図に於いて、22Aはターボ分子ポンプ(TMP)、22Bはイオン・ポンプ(IP)、24AはRP、24BはTMP、32,33,34,35,36はバルブ、41,42は真空計、43は制御器、44はリーク・バルブをそれぞれ示している。」、
(オ)「【0052】成長室3には原料ガス供給管3Aを介して原料ガスが送入されるようになっていて、RP24Aからのオイルの逆拡散を防ぐには、成長室3に原料ガス供給管3Aを介し、微量であっても、常に水素或いは窒素を流しておくことが効果的である。尚、TMP及びIPは本質的にオイル・フリーであるから、そのまま排気しても清浄な真空を生成させることができる。」、
(カ)「【0064】(8) 予め、TMPまたはIPからなる排気装置23で排気しておいた中間室11にリーク・バルブ44及びガス供給管11Aを介して窒素を供給して常に成長室3よりも若干高い圧力を維持する。リーク・バルブ44の制御は制御器43に依って行う。・・・。
【0065】(9) バルブ5Cを開き、ウエハを中間室11に移送してから、バルブ5Cを閉じる。ここでガス供給管11Aからの窒素の供給も停止する。」、
(キ)「【0068】前記のような工程を経ることで、MOCVD法に依る半導体層の成長を行う成長室3から原料ガスが拡散することを防ぎ且つウエハが汚染されることを防ぎつつ、ウエハを超高真空室、即ち、評価室4まで容易に移送することができる。」。

これらの記載事項から引用例2には以下の事項が記載されていると認める。
「ウエハの搬送を行うウエハ交換室2とウエハの処理を行う成長室3との間にそれぞれバルブ5D,5Cを介して中間室11を配置した半導体プロセス装置において、
成長室3から原料ガスが拡散することを防ぎ且つウエハが汚染されることを防ぐために、成長室3と中間室11との内部の気圧を気体の供給ないし排気により制御する制御手段を備え、成長室3と中間室11との間のバルブ5Cを開ける前に、中間室11の内部の気圧を成長室3の内部の気圧より高い状態にする」こと。

ウ 引用例3
引用例3には以下の事項が記載されている。
(ア)「【0011】図1は本発明方法を実施するための処理装置を示す概略断面図、図2は図1に示す処理装置を示す平面図、図3は本発明方法を実施するためのタイミングチャートである。
【0012】まず、本発明方法を実施するための処理装置を説明する。この処理装置は、同一或いは異種の処理を被処理体である半導体ウエハWに施すために複数、図示例にあっては3個の処理室2A、2B、2Cを集合させて結合し、いわゆるクラスタツール化されている。これらの処理室の種類としてはプラズマエッチング処理室、スパッタリング処理室、CVD処理室等を挙げることができる。尚、この処理室の数は、3個に限定されず、2個或いは4個以上設けるようにしてもよい。
【0013】この各処理室2A、2B、2Cは、内部に多関節式の搬送アーム4を有する共通搬送室6に、それぞれゲートバルブG1、G2、G3を介して連通可能に連結されている。また、この共通搬送室6には、複数、図示例にあっては2個のロードロック室8A、8BがそれぞれゲートバルブG4、G5を介して連通可能に連結されている。各ロードロック室8A、8B内には、例えば25枚のウエハWを収容し得るカセット10が設置可能になされており、このカセット10は、この装置外との間を開閉するゲートドアG6、G7を開いて装置外との間で搬出入されるようになっている。各ロードロック室8A、8Bには、これにArやN2 等の不活性ガスを供給するロードロック室不活性ガス供給系12が接続されると共にこの供給系には質量流量を制御する流量制御弁として例えばマスフローコントローラ14及び開閉弁16が順次介設されている。
【0014】また、このロードロック室8A、8Bの底部には、ロードロック室真空排気系18が接続されると共にこの排気系18には開閉弁20及び真空ポンプとしての例えばドライポンプ22が順に介設されている。各ロードロック室8A、8B内の圧力は、それぞれに設けられたロードロック室圧力計24により検出するようになっている。上記各処理室2A、2B、2Cには、これに処理ガスを供給する処理ガス供給系24の他に、N2 やAr等の不活性ガスを供給する処理室不活性ガス供給系26が接続されており、この供給系26には質量流量を制御する例えばマスフローコントローラ28及び開閉弁30が順次介設されている。
【0015】また、各処理室2A、2B、2Cの底部には、第1の開閉弁32の介設された処理室主真空排気系34が接続されると共に、第2の開閉弁36、ターボ分子ポンプ38及び第3の開閉弁40が順次介設された処理室補助真空排気系42が接続されている。そして、これら2つの真空排気系34、42の下流は合流されて真空ポンプとしての例えばドライポンプ44に接続されている。また、各処理室2A、2B、2Cには処理室圧力計46が設けられており、内部圧力を検出するようになっている。上記共通搬送室6には、これにArやN2 等の不活性ガスを供給する搬送室不活性ガス供給系48が接続されると共にこの供給系には質量流量を制御する流量制御弁として例えばマスフローコントローラ50及び開閉弁52が順次介設されている。
【0016】また、この共通搬送室6の底部には、第1の開閉弁54が介設された搬送室主真空排気系56が接続されると共に、第2の開閉弁58、ターボ分子ポンプ60及び第3の開閉弁62が順次介設された搬送室補助真空排気系64が接続されている。そして、これら2つの真空排気系56、64の下流は合流されて真空ポンプとして例えばドライポンプ66に接続されている。特に、上記搬送室主真空排気系56の上流側排気口56Aは、略全体がケーシングにより被われた搬送アーム4内に臨ませて設けられており、アーム稼働時にこのアームにて発生するパーティクルを効果的に吸引排除し得るようになっている。
【0017】また、この共通搬送室6には、搬送室圧力計68が設けられており、この内部圧力を検出するようになっている。上記各圧力計24、46、68の出力値は、フィードバック信号として例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御部70へ入力され、各不活性ガス供給系12、26、48に介設したマスフローコントローラ14、28、50を制御することにより各室内を所望する圧力に制御維持するようになっている。・・・。」、
(イ)「【0019】本実施例としては、処理室2AとしてウエハWに対してエッチング処理を施すエッチャーを例にとって説明する。このエッチングを行なう場合の処理圧力は300mTorr程度であり、この処理圧力に関しては処理内容にもよるが、例えば数10mTorr〜数100mTorr程度の範囲内で変動する。また、共通搬送室6内は搬送室主真空排気系56または搬送室補助真空排気系64を例えば選択的に作動させることにより常時真空引きされており、同時に、この共通搬送室6内へは搬送系不活性ガス供給系48から、不活性ガス例えばN2ガスが間欠的或いは連続的に供給されている。この場合、この搬送室6内の圧力は搬送室圧力計68により検出されてフィードバック信号として制御部70へ供給されており、この制御部70が搬送室不活性ガス供給系48のマスフローコントローラ50を制御することにより搬送室6内は常時一定の圧力、例えば本実施例では100mTorrを維持するようになっている。尚、共通搬送室6内の設定圧力は、例えば10mTorr〜300mTorr程度の範囲内で任意の値に設定できる。」、
(ウ)「【0021】まず、初期状態においては、全てのポンプは稼働されて、処理室補助真空排気系42及び搬送室補助真空排気系64のそれぞれの第3の開閉弁40、62を開状態とする外、他の全ての開閉弁が閉じられると共に全ての室が大気圧状態すなわち760Torrになされている。この状態でカセット10を収容するためにロードロック室8AのゲートドアG6を開き、この外部に予め設定されているカセット10を図示しないカセットアームによりロードロック室8A内に移載し、このゲートドアG6を閉じる。
【0022】次に、ロードロック室真空排気系18の開閉弁20を開にし、搬送室補助真空排気系64の第3の開閉弁62及び処理室補助真空排気系42の第3の開閉弁40を共に閉にすると共に搬送室主真空排気系56の第1の開閉弁54及び処理室主真空排気系34の第1の開閉弁32を共に開にし、各室内の真空粗引きを行なう。そして、ロードロック室8A、共通搬送室6及び処理室8A内の圧力をそれぞれ50mTorr、10mTorr、10mTorrにする。尚、ロードロック室8A内の圧力は、この50mTorrにて維持される。このように粗引きが終了したならば、次に、搬送室主真空排気系56の第1の開閉弁54を閉にすると共に搬送室補助真空排気系64の第2の開閉弁58及び第3の開閉弁62を共に開にし、この搬送室6内を主排気して内部雰囲気を1mTorr程度のベースプレッシャに設定する。
【0023】処理室2Aに関しても同様に行なう。すなわち粗引きが終了したならば、処理室主真空排気系34の第1の開閉弁32を閉にすると共に処理室補助真空排気系42の第2の開閉弁36及び第3の開閉弁40を共に開にし、この処理室2A内を主排気して内部雰囲気を1mTorr程度のベースプレッシャに設定する。このように主排気を行なってベースプレッシャに到達することにより室内壁等に付着する不純物ガスを略確実に排除する。尚、処理室2A内の圧力は、プロセスが開始されるまで、この1mTorrが維持される。
【0024】次に、共通搬送室6内の主排気が終了したならば、搬送室補助真空排気系56の第2の開閉弁58及び第3の開閉弁62を閉にすると共に搬送室主真空排気系56の第1の開閉弁54を開にして真空引きを続行し、更に搬送室不活性ガス供給系48の開閉弁52を開にし、搬送室6内にN2ガスを供給する。この後、搬送室6内へのN2ガスの供給とこの室内の真空排気は、連続的或いは間欠的に行なわれ、前述したようにこの内部雰囲気の圧力は常に100mTorr程度に維持され、圧力調整が行なわれる。」、
(エ)「【0026】次に、共通搬送室6から処理室2A内へウエハWを移載するために、まず、これら両室を仕切るゲートバルブG1を開にしてこれら両室を連通させ、搬送アーム4に保持しているウエハWを開状態になったゲートバルブG1を介して処理室2A内へ移載する。そして、移載が完了したならばこのゲートバルブG1を閉にする。この際、ゲートバルブG1を開く直前は、処理室2A内の圧力が1mTorrであるのに対して搬送室6内の圧力はそれよりも高い100mTorrであるので、ゲートバルブG2を開いて両室を連通した時に、気体は圧力の高い搬送室6から処理室2A内に向けて流れる。この時、処理室2A内の圧力は、搬送室6内と同圧の100mTorrに一時的になり、また、搬送室6内にはN2ガスが供給され続けているのでN2ガスが搬送室6内から処理室2Aに向けて連続的に流れることになる。従って、例えばゲートバルブG1を開いた時に、処理室2A内に残留していた処理ガスや腐食性ガスが搬送室内に流入することがない。
【0027】また、上述したようにゲートバルブG1を開いた時には両室の圧力差は99mTorr程度であるが、この程度の圧力差であるならばバルブG1を開いた時の気体の流れもそれ程多くなく、パーティクルの巻き上げがほとんど生ずることもない。このようにしてウエハの処理室2A内への移載が完了すると処理室2A内は再度ベース圧力である1mTorrまで真空引きされ、その後、処理ガス供給系24の開閉弁80を開にして流量制御しつつ処理ガスを導入し、処理圧力例えば300mTorrの基で所定の処理、例えばエッチングをウエハに施す。これ以降の処理室と搬送室の圧力関係及び各弁の開閉動作を図3に示すタイミングチャートも参照しつつ説明する。尚、上記タイミングチャートにあっては搬送室と処理室との間を開閉可能に連通するバイパス路78の開閉動作も含めて記載されている。
【0028】まず、処理室2A内におけるウエハ処理が終了すると、ポイントT1にて処理ガス供給系24の開閉弁80を閉じて処理ガスの供給を停止し、処理室2A内の真空排気は継続して行なう。すると処理室2A内の圧力は、ベースプレッシャ(1mTorr)に向けて次第に低下し、この圧力がポイントT3にてベースプレッシャ1mTorrに到達すると両室を仕切るゲートバルブG1が開となり、共通搬送室6内の搬送アーム4により処理済みのウエハWが搬出され、また、未処理のウエハWが処理室2A内に搬入されることになる。この場合、処理室2A内の圧力より搬送室6内の圧力の方が高く設定されているので、前述と同様に搬送室6より処理室2Aに向けて気体が流れ、且つ搬送室6内にはN2ガスが供給されているのでこのガス流が連続的に流れ、処理室2A中の残留処理ガス等が搬送室6内に逆流して流入することはない。また、前述と同様にゲートバルブG1を開く直前には両室の圧力差は99mTorr程度であり、従って、この程度の圧力差であるならばバルブG1を開いた時の気体の流れもそれ程多くなく、パーティクルの巻き上げもほとんど生ずることがない。尚、このウエハ交換のために両室が連通されると処理室2A内の圧力は一時的に100mTorrになる。
【0029】このようにウエハの交換がポイントT4にて完了してゲートバルブG1を閉じると、処理室2A内の圧力は再度ベースプレッシャ1mTorrに向けて減少し、ベースプレッシャに到達したならばポイントT5にて処理ガスが流されて処理室2A内の圧力が300mTorrに復帰し、プロセスが再開されることになる。・・・。」、
(オ)「【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理装置内の被処理体の搬送方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。共通搬送室と他の室とを連通する直前に、他の室の圧力を共通搬送室内の圧力と同圧或いはこれより僅かに低くなるように設定したので、共通搬送室内にロードロック室を介して外部のパーティクルや処理室内に残留する処理ガス等が侵入することを防止することができる。従って、処理室間同士の汚染、すなわちクロスコンタミネーションを防止できるのみならず、処理室内に外部のパーティクルが侵入するのを防止でき、歩留まりを向上させることができる。・・・。」。

これらの記載事項から引用例3には以下の事項が記載されていると認める。
「半導体ウエハWの搬送を行う共通搬送室6の周囲に複数の処理室2A,2B,2Cを備え、前記共通搬送室6によって半導体ウエハWを前記処理室2A,2B,2Cへ搬送し、前記処理室2A,2B,2Cで半導体ウエハWに所定の処理を行う半導体ウエハ処理システムにおいて、処理室間同士の汚染、すなわちクロスコンタミネーションを防止するために、処理室2A,2B,2C及び共通搬送室6の内部の気圧を気体供給により制御する制御部70を備え、処理室2A,2B,2Cと共通搬送室6との間のゲートバルブG1,G2,G3を開ける前に、前記共通搬送室6内の気圧を前記処理室2A,2B,2C内の気圧より高い状態にする」こと。

(3)対比
補正発明と引用例1記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
引用例1記載の発明の「ウェハ4」は、補正発明の「基板」に相当し、以下同様に「真空搬送室6(搬送機構)」が「搬送部」に、「処理機構」が「処理部」に、「エツチングチャンバ9、スパッタチャンバ10等のドライ処理機構」が「ドライ雰囲気で基板の処理を行う第1処理部」に、「洗浄及び乾燥を行うウェット処理室15であるウェット処理機構」が「ウエット雰囲気での基板の処理を含む複数種の基板の処理を行う第2処理部」に、「真空ロードロック室8」が「バッファ部」に、「仕切りバルブ16」が「第1遮断手段」に、「仕切りバルブ11」が「第2遮断手段」に、それぞれその機能、構造からみて相当する。
また、引用例1記載の発明は「半導体装置の製造装置」として表現されているが、補正発明と同様「基板処理システム」としても表現できることが明らかである。
したがって、補正発明と引用例1記載の発明とは、以下の点で一致している。
基板の搬送を行う搬送部の周囲に複数の処理部を備え、前記搬送部によって基板を前記処理部へ搬送し、前記処理部で基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、
前記複数の処理部は、ドライ雰囲気で基板の処理を行う第1処理部と、
ウエット雰囲気での基板の処理を含む複数種の基板の処理を行う第2処理部と、
を含み、
前記搬送部と前記第2処理部との間にバッファ部を配置し、
前記第2処理部と前記バッファ部との間において雰囲気を遮断する第1遮断手段と、
前記バッファ部と前記搬送部との間において雰囲気を遮断する第2遮断手段と、
前記第2処理部と前記バッファ部と前記搬送部との内部の気圧を制御する制御手段と、
を備えた基板処理システム。
そして、補正発明と引用例1記載の発明とは、以下の点で相違している。
補正発明では、制御手段が、前記第2処理部と前記バッファ部と前記搬送部との内部の気圧を気体供給により制御するものであり、制御の態様が、前記第1遮蔽手段を開ける前に、前記バッファ部の内部の気圧を前記第2の処理部の内部の気圧より高い状態とし、前記第2遮断手段を開ける前に、前記搬送部内の気圧を前記バッファ部内の気圧より高い状態にするのに対して、引用例1記載の発明では、制御手段、制御の態様が、そのようなものではない点。

(4)相違点の検討
引用例1記載の発明の前提構成である「基板の搬送を行う搬送部の周囲に複数の処理部を備え、前記搬送部によって基板を前記処理部へ搬送し、前記処理部で基板に所定の処理を行う基板処理システム」、すなわち、いわゆるクラスタツール装置においては、解決すべき課題の一つとして処理部間同士の汚染、すなわち、クロスコンタミネーションを防止することがあることは夙に知られているところであり、処理部としてウエット雰囲気での処理を行う第2処理部を備える引用例1記載の発明にあっては、第2処理部のウエット雰囲気が第1処理部のドライ雰囲気に影響を及ぼさないように構成する必要があることは、基板処理を支障なく行うために当然望まれる事項である。
ちなみに、上記引用例1においても、真空ロードロック室8(バッファ部)においてウェハ4から残存水分を完全に除去した後、ウェハ4を真空搬送室6(搬送部)を経てスパッタチャンバ10(ドライ処理機構)へ搬送している。
そして、上記(2)イで認定したように引用例2には「ウエハの搬送を行うウエハ交換室2とウエハの処理を行う成長室3との間にそれぞれバルブ5D,5Cを介して中間室11を配置した半導体プロセス装置において、成長室3から原料ガスが拡散することを防ぎ且つウエハが汚染されることを防ぐために、成長室3と中間室11との内部の気圧を気体の供給ないし排気により制御する制御手段を備え、成長室3と中間室11との間のバルブ5Cを開ける前に、中間室11の内部の気圧を成長室3の内部の気圧より高い状態にすること。」が記載されており、成長室3と中間室11との関係は、引用例1記載の発明の第2処理部とバッファ部との関係に対応するものである。
また、上記(2)ウで認定したように引用例3には「半導体ウエハWの搬送を行う共通搬送室6の周囲に複数の処理室2A,2B,2Cを備え、前記共通搬送室6によって半導体ウエハWを前記処理室2A,2B,2Cへ搬送し、前記処理室2A,2B,2Cで半導体ウエハWに所定の処理を行う半導体ウエハ処理システムにおいて、処理室間同士の汚染、すなわちクロスコンタミネーションを防止するために、処理室2A,2B,2C及び共通搬送室6の内部の気圧を気体供給により制御する制御部70を備え、処理室2A,2B,2Cと共通搬送室6との間のゲートバルブG1,G2,G3を開ける前に、前記共通搬送室6内の気圧を前記処理室2A,2B,2C内の気圧より高い状態にすること。」が記載されており、共通搬送室6と処理室2A,2B,2Cとの関係は、引用例1記載の発明の搬送部とそれに直接隣接するバッファ部との関係に対応するものである。
そして、引用例2、引用例3記載の事項は、いずれも、基板の汚染を防止するための技術であるから、引用例1記載の発明における基板の汚染防止に適用できるものであることは明らかである。
そうしてみると、引用例2記載の事項を引用例1記載の発明に適用して、引用例1記載の発明の第2処理部のウエット雰囲気がバッファ部に侵入しないように、第1遮蔽手段を開ける前に、バッファ部の内部の気圧を第2の処理部の内部の気圧より高い状態とすると共に、この構成にも拘わらずウエット雰囲気がバッファ部に侵入したとしても当該バッファ部から搬送部に侵入することを確実に阻止するために、引用例3記載の事項を引用例1記載の発明に適用して、第2遮断手段を開ける前に、搬送部内の気圧をバッファ部内の気圧より高い状態にすることは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
また、室内部の気圧を気体供給により制御することは、引用例3にも記載されているように従来周知であり、第2処理部とバッファ部と搬送部との内部の気圧を気体供給により制御する制御手段を備えることは、引用例2及び引用例3記載の事項を引用例1記載の発明に適用するに当たって適宜なし得る設計的事項にすぎない。
さらに、補正発明によってもたらされる効果も、引用例1記載の発明、引用例2及び引用例3記載の事項並びに上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
したがって、補正発明は、引用例1記載の発明、引用例2及び引用例3記載の事項並びに従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

3 むすび
以上のとおり、本件補正は、特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に違反するものであるから、同法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。

第3 本件発明について
1 本件発明
平成16年4月26日付の補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成15年3月31日付手続補正書により補正された明細書及び願書に最初に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1ないし請求項5に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項1に係る発明(以下「本件発明」という。)は、上記第2の1(1)に示したとおりの「基板処理システム」である。

2 引用例
これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載内容は、上記第2の2(2)に示したとおりである。

3 対比・検討
本件発明は、上記第2の2で検討した補正発明から、制御手段が気圧を制御する箇所である「搬送部」を削除すると共に「気体供給により」制御するという事項及び「前記第2遮断手段を開ける前に、前記搬送部内の気圧を前記バッファ部内の気圧より高い状態にする」という事項を削除したものである。
そうすると、本件発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加する補正発明が上記第2の2(4)で示したとおり、引用例1記載の発明、引用例2及び引用例3記載の事項並びに従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。

4 むすび
したがって、本件発明は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
よって、本件出願の請求項2ないし請求項5に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2006-05-24 
結審通知日 2006-05-30 
審決日 2006-06-13 
出願番号 特願平8-296453
審決分類 P 1 8・ 121- Z (H01L)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 中島 昭浩  
特許庁審判長 梅田 幸秀
特許庁審判官 佐々木 正章
豊原 邦雄
発明の名称 基板処理システム  
代理人 吉竹 英俊  
代理人 吉田 茂明  
代理人 有田 貴弘  
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