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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L 審判 査定不服 1項3号刊行物記載 特許、登録しない。 H01L 審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1149616 |
| 審判番号 | 不服2004-24448 |
| 総通号数 | 86 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 1999-07-02 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2004-11-30 |
| 確定日 | 2007-01-04 |
| 事件の表示 | 平成 9年特許願第341516号「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成11年 7月 2日出願公開、特開平11-177020〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
I.手続の経緯 本願は、平成9年12月11日の出願であって、原審において平成16年1月19日付で拒絶理由がなされ、これに対し、同年3月29日付で意見書及び手続補正書が提出されたところ、同年6月28日付で拒絶理由通知がなされ、これに対し、同年9月6日付で意見書及び手続補正書が提出されたところ、同年10月25日付で同年9月6日付手続補正書でした補正の却下がなされるとともに拒絶査定がなされ、これに対し、同年11月30日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年12月27日付で手続補正書が提出されたものである。 II.平成16年12月27日付の手続補正についての補正却下の決定 [補正却下の決定の結論] 平成16年12月27日付の手続補正を却下する。 [理由] 1.補正後の本願発明 本件補正により特許請求の範囲の請求項10は次のとおりに補正された。 「【請求項10】上面、及び当該上面と対向する下面、前記上面に設けられている開口部、前記上面から前記下面に貫通しているスルーホール、前記上面のうち前記開口部が設けられていない領域に設けられている第1の配線部、前記下面に設けられている第2の配線部、前記スルーホールに設けられていて、前記第1及び第2の配線部を接続している第3の配線部、及び前記第2の配線部に接続されている外部電極を有する基板と、 第2導電性バンプにより、前記第1の配線部に接続されて前記基板に搭載されている第1の半導体素子と、 第1導電性バンプにより、前記第1の半導体素子に搭載されていて、かつ前記基板の前記開口部内に配置されている第2の半導体素子とを具え、 前記スルーホールは前記第2導電性バンプとは離間して、当該第2導電性バンプの外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。」 上記補正は、補正前の請求項11において、基板の上面から下面に貫通しているスルーホールが「第2導電性バンプとは離間して、当該第2導電性バンプの外側に設けられていること」と補正することを含むものである。 そこで、上記補正を検討すると、スルーホールの位置関係を具体的に限定したものであって、特許法第17条の2第4項第2号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。 次に、補正後の請求項10に係る発明(以下、「本願補正発明10」という。)が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。 2.引用刊行物とその記載事項 原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された特開平5-129516号公報(以下、「刊行物1」という。)には、次の事項が記載されている。 (1)刊行物1(特開平5-129516号公報) (1a)「【0008】 本発明の目的は、ベース基板の実装面上に半導体ペレットが実装される半導体装置において、実装密度を高めることが可能な技術を提供することにある。」 (1b)「【0016】 【作用】 上述した手段(1)によれば、第1半導体ペレット、第2半導体ペレットのうち、いずれか一方の占有面積内に他方を配置したので、この他方の占有面積に相当する分、半導体装置の実装密度を向上できる。」 (1c)「【0025】 前記半導体ペレット1は、例えば単結晶珪素からなる半導体基板を主体に構成され、その素子形成面(図1中下面)に例えば論理回路システムを塔載している。・・・半導体ペレット1の素子形成面側には外部端子(ボンディングパッド)2が複数個配列される。この外部端子2は、前記論理回路システムを構成するバイポーラトランジスタ間を接続する配線層のうち最上層の配線層で形成され、例えばアルミニウム合金膜で形成される。・・・ 【0026】 前記半導体ペレット3は、例えば単結晶珪素からなる半導体基板を主体に構成され、その素子形成面(図1中上面)に例えば記憶回路システムを塔載している。・・・半導体ペレット3の素子形成面側には外部端子(ボンディングパッド)4が複数個配列される。この外部端子4は、前記記憶回路システムを構成する相補型MISFET間を接続する配線層のうち最上層の配線層で形成され、例えばアルミニウム合金膜で形成される。・・・ 【0027】 前記ベース基板5は、例えばムライトで形成され、図示していないが多層配線構造で構成される。ベース基板5のペレット塔載面の中央部には凹部7が形成され、この凹部7内には前記半導体ペレット3が配置される。つまり、凹部7の開口サイズは半導体ペレット3の平面形状に比べてひとまわり大きなサイズで形成され、凹部7の底面の位置はベース基板5のペレット塔載面の位置よりも低く構成される。ベース基板5のペレット塔載面上には凹部7の周囲の領域において電極6が複数個配列され、ベース基板5のペレット塔載面と対向する裏面には電極9が複数個配列される。この電極6、電極9の夫々は前記多層配線構造の配線を介して電気的に接続される。・・・ 【0028】 前記ベース基板5の電極6、半導体ペレット1の外部端子2の夫々の間にはバンプ電極(CCB電極、突起電極)10が介在される。つまり、ベース基板5、半導体ペレット1の夫々は、バンプ電極10を介在して電気的及び機械的に接続され、フェースダウン方式で接続される。半導体ペレット1はバンプ電極10を介在してベース基板5のペレット塔載面上に実装される。・・・ 【0029】 前記半導体ペレット1の外部端子2、半導体ペレット3の外部端子4の夫々の間にはバンプ電極10が介在される。つまり、半導体ペレット1、半導体ペレット3の夫々は、バンプ電極10を介在して電気的及び機械的に接続され、フェースダウン方式で接続される。半導体ペレット3は、その素子形成面が半導体ペレット1の素子形成面と対向する状態でベース基板5のペレット塔載面側に塔載され、半導体ペレット1の素子形成面上に塔載される。・・・」 (1d)「【0033】 図2(図1に示す半導体装置の要部拡大断面図)に示すように、前記半導体ペレット1の外部端子2のうち、外部端子2Aは、バンプ電極10、ベース基板5の電極6の夫々を介在してベース基板5の多層配線構造の配線8Aの一方に電気的に接続される。配線8Aの他方はベース基板5の電極9に接続される。この電極9には電源が印加され、配線8A、電極6、バンプ電極10及び外部端子2Aを通して半導体ペレット1の論理回路システムに供給される。」 (1e)「【0035】このように構成される半導体装置は、図3(システム構成図)に示すように、フェースダウン方式で冷却システム20の実装基板(モジュール基板又はPCB基板)23の実装面上に1個或は複数個実装される。つまり、半導体装置は、そのベース基板5の電極9にバンプ電極25を介在して実装基板23の電極24に電気的及び機械的に接続することにより実装基板23に実装される。・・・」 (1f)図1及び図2には、電極6がベース基板のペレット搭載面のうち凹部7が設けられていない領域に設けられていること、ベース基板5と半導体ペレット1との間のバンプ電極10により、半導体ペレット1がベース基板5に搭載されていること、及び、半導体ペレット1と半導体ペレット3との間のバンプ電極10により、半導体ペレット3が半導体ペレット1に搭載されていることが示されている。 3.対比・判断 刊行物1には、摘記事項(1d)によれば、ベース基板5の内部の多層配線構造の配線8Aが、電極6を介して、半導体ペレット1とベース基板5の間のバンプ電極10と接続されていることが記載され、摘記事項(1e)によれば、ベース基板5の内部の多層配線構造の配線8Aが、電極9を介して、バンプ電極25と接続されていることが記載されている。 よって、摘記事項(1a)?(1f)を総合すると、刊行物1には、「ペレット塔載面、前記ペレット塔載面と対向する裏面、前記ペレット塔載面に設けられている凹部7、前記ペレット搭載面のうち前記凹部7が設けられていない領域に設けられている電極6、前記裏面に設けられている電極9、前記電極6及び前記電極9を接続する配線8A、前記電極9に接続されているバンプ電極25を有するベース基板5と、 ベース基板5と半導体ペレット1との間のバンプ電極10により、前記電極6に接続されて前記ベース基板5に搭載されている半導体ペレット1と、 半導体ペレット1と半導体ペレット3との間のバンプ電極10により、前記半導体ペレット1に搭載されて、かつ前記ベース基板5の凹部7に配置されている半導体ペレット3とを具えた半導体装置」の発明(以下、「刊行物1発明」という。)が記載されていることになる。 そこで、本願補正発明10と刊行物1発明とを対比する。 刊行物1発明の「ペレット搭載面」、「裏面」、「凹部7」、「配線8A」、「バンプ電極25」、「ベース基板5」、「半導体ペレット1」、「半導体ペレット3」、「ベース基板5と半導体ペレット1との間のバンプ電極10」、及び、「半導体ペレット1と半導体ペレット3との間のバンプ電極10」は、本願補正発明10の「上面」、「下面」、「開口部」、「第3の配線部」、「外部電極」、「基板」、「第1の半導体素子」、「第2の半導体素子」、「第2導電性バンプ」、及び、「第1導電性バンプ」にそれぞれ相当しているから、両者は、「上面、及び当該上面と対向する下面、前記上面に設けられている開口部、第3の配線部、及び外部電極を有する基板と、 第2導電性バンプにより、前記基板に搭載されている第1の半導体素子と、第1導電性バンプにより、前記第1の半導体素子に搭載されていて、かつ前記基板の前記開口部内に配置されている第2の半導体素子とを具えた半導体装置」の点で一致するものの、本願補正発明10と刊行物1発明との相違点は、基板の上面から下面に貫通しているスルーホールに関する点と、基板の上面と下面に設けられた配線部に関する点とに別けられるため、次の2点からなる相違点に整理することができる。 相違点1:本願補正発明10が、基板に、上面から下面に貫通しているスルーホールを設け、当該スルーホールにより第1及び第2の配線部を接続し、かつ、前記スルーホールは、第2導電性バンプとは離間して、当該第2導電性バンプの外側に設けられているのに対して、刊行物1発明では、基板に上面から下面に貫通しているスルーホールに関する構成がない点。 相違点2:本願補正発明10が、基板の上面のうち開口部が設けられていない領域に設けられている第1の配線部、基板の下面に設けられている第2の配線部を有し、これらの配線部と、外部電極との接続、第2導電性バンプを介した第1の半導体素子との接続、及び、第3の配線部との接続がなされているのに対し、刊行物1発明では、基板の上面のうち開口部が設けられていない領域に設けられている電極及び基板の下面に設けられた電極により、上記接続がなされている点。 そこで、上記相違点について検討する。 [相違点1について] 一般に、基板に上面から下面に貫通しているスルーホールを設け、当該スルーホールに設けられていて上下の配線部を接続している配線部を設け、かつ、当該スルーホールを、チップと基板を接続する導電性バンプとは離間して、当該導電性バンプの外側に設けている構成は、例えば、特開平9-115956号公報(第1、3?7図のスルーホール2、基板電極3、【0009】?【0013】参照)、特開平7-226455号公報(第2、3図のスルホール10、接続パッド7a、外部接続用端子9、【0017】?【0020】参照)、特開平9-129777号公報(第16図のスルーホール54、配線53、【0077】参照)に記載されるように周知のことである。 更に、一般に、複数の半導体素子が搭載された半導体装置の基板において、低コストで生産できるように、スルーホールが形成され、かつ、上面と下面に配線部を有する印刷基板の如き基板を用いることも、例えば、特開平9-181256号公報(第2図の外部接続端子支持基板20、【0003】、【0014】参照)、特開平8-250653号公報(第12図の印刷回路ボード(PWボード)125、貫通孔128、【0004】、【0014】?【0016】参照)を参酌するまでもなく周知のことである。 そして、刊行物1発明では、基板が、ムライト等のセラミック多層配線構造で構成されたもの(摘記事項(1c))であるが、そもそも刊行物1発明は、実装密度を高める目的(摘記事項(1a))のために、第1の半導体素子と第2の半導体素子のうち、いずれか一方の占有面積内に他方を配置したことによって、この他方の占有面積に相当する分、半導体装置の実装密度を向上させているものであり(摘記事項(1b))、よって、刊行物1発明は本質的には基板に依らず適用可能なものであるということができる。したがって、刊行物1発明の基板において、上記のとおり周知の、スルーホールが形成され、かつ、上面と下面に配線部を有する基板を採用し、かつ、前記スルーホールを、第2導電性バンプとは離間して、当該第2導電性バンプの外側に設けている構成を採用して、上記相違点1なる構成とすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。 [相違点2について] 一般に、基板の上面及び下面に形成された導電層を、目的に応じて、電極又は配線部として様々な接続に用いることは、例えば、前述の特開平9-115956号公報(第1、3?7図の基板電極3、【0009】?【0013】参照)、特開平9-181256号公報(特開平9-181256号公報(第2図の配線パターン20a、【0014】参照))に記載されているように周知のことであるから、刊行物1発明において、基板の上面及び下面に設けられた電極を配線部に代え、上記相違点2なる構成とすることは、当業者にとって格別な困難性を有するものではない。 そして、本願補正発明10による効果も刊行物1の記載、及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。 したがって、本願補正発明10は、刊行物1に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 4.むすび 以上のとおり、本件補正は、特許法第17条の2第5項で準用する同法第126条第5項の規定に違反するものであり、同法第159条第1項において読み替えて準用する特許法第53条第1項の規定により却下されるべきものである。 III.本願発明について 1.本願発明1 平成16年12月27日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項1に係る発明(以下、「本願発明1」という。)は、平成16年3月29日付手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項1?16に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項1については次のとおりのものである。 「【請求項1】 第1の面と該第1の面と対向する第2の面とを備え、該第2の面上に複数の外部電極が設けられた基板と、 複数の第1の電極が形成された第1の主表面を備えた第1の半導体素子と、 複数の第2の電極が形成された第2の主表面を備えた第2の半導体素子とを有し、 前記基板の前記第1の面側には前記第2の半導体素子が収納される開口部が設けられ、 前記第1の半導体素子は、前記第1の主表面が前記基板の前記第1の面と対向し、かつ前記開口部を覆うように前記基板に搭載され、 前記第2の半導体素子は、前記第2の主表面が前記第1の半導体素子の前記第1の主表面と対向するように前記第1の半導体素子に搭載され、かつ前記開口部に収納されている半導体装置。」 2.引用刊行物とその記載事項 原査定の拒絶理由に引用した刊行物1及びその記載事項は、上記「II.2.引用刊行物とその記載事項」欄に記載されたとおりである。 3.対比・判断 上記摘記事項(1a)?(1f)を総合すると、刊行物1には、「ペレット塔載面と前記ペレット塔載面と対向する裏面とを備え、前記裏面上に複数の電極9が設けられたベース基板5と、 複数の外部端子2が形成された素子形成面を備えた半導体ペレット1と、 複数の外部端子4が形成された素子形成面を備えた半導体ペレット3とを有し、 前記ベース基板5の前記ペレット搭載面には前記半導体ペレット3が収納される凹部7が設けられ、 前記半導体ペレット1は、素子形成面が前記ベース基板5の前記ペレット搭載面と対向し、かつ、前記凹部7を覆うように前記ベース基板に搭載され、 前記半導体ペレット3は、素子形成面が前記半導体ペレット1の素子形成面と対向するように前記半導体ペレット1に搭載され、かつ前記凹部7に収納されている半導体装置」の発明(以下、「刊行物1記載発明」という。)が記載されていることになる。 そこで、本願発明1と刊行物1記載発明とを対比する。 刊行物1記載発明の「ペレット搭載面」、「裏面」、「電極9」、「ベース基板5」、「外部端子2」、「(半導体ペレット1の)素子形成面」、「半導体ペレット1」、「外部端子4」、「(半導体ペレット3)素子形成面」、「半導体ペレット3」、及び、「凹部7」は、本願発明1の「第1の面」、「第2の面」、「外部電極」、「基板」、「第1の電極」、「第1の主表面」、「第1の半導体素子」、「第2の電極」、「第2の主表面」、「第2の半導体素子」、及び、「開口部」にそれぞれ相当しているから、両者は、「第1の面と該第1の面と対向する第2の面とを備え、該第2の面上に複数の外部電極が設けられた基板と、 複数の第1の電極が形成された第1の主表面を備えた第1の半導体素子と、 複数の第2の電極が形成された第2の主表面を備えた第2の半導体素子とを有し、 前記基板の前記第1の面側には前記第2の半導体素子が収納される開口部が設けられ、 前記第1の半導体素子は、前記第1の主表面が前記基板の前記第1の面と対向し、かつ前記開口部を覆うように前記基板に搭載され、 前記第2の半導体素子は、前記第2の主表面が前記第1の半導体素子の前記第1の主表面と対向するように前記第1の半導体素子に搭載され、かつ前記開口部に収納されている半導体装置。」の点で一致し、構成において異なる点がない。 したがって、本願発明1は、刊行物1に記載された発明である。 4.むすび 以上のとおり、本願の請求項1に係る発明は、刊行物1に記載された発明であるから、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものである。したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2006-11-01 |
| 結審通知日 | 2006-11-07 |
| 審決日 | 2006-11-21 |
| 出願番号 | 特願平9-341516 |
| 審決分類 |
P
1
8・
113-
Z
(H01L)
P 1 8・ 121- Z (H01L) P 1 8・ 575- Z (H01L) |
| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 今井 拓也 |
| 特許庁審判長 |
城所 宏 |
| 特許庁審判官 |
正山 旭 池田 正人 |
| 発明の名称 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 代理人 | 大垣 孝 |