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| 審決分類 |
審判 査定不服 特17条の2、3項新規事項追加の補正 特許、登録しない。 G11B 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 G11B 審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 G11B 審判 査定不服 4号2号請求項の限定的減縮 特許、登録しない。 G11B |
|---|---|
| 管理番号 | 1151409 |
| 審判番号 | 不服2004-1067 |
| 総通号数 | 87 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2001-11-30 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2004-01-15 |
| 確定日 | 2007-02-08 |
| 事件の表示 | 特願2000-134611「磁気記録媒体の磁化パターン形成方法及び製造方法、磁気記録媒体、並びに磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成13年11月30日出願公開、特開2001-331902〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
第1 手続の経緯 本願は、平成12年5月8日の出願(優先権主張平成12年2月25日、平成12年3月17日)であって、平成15年8月18日付けで手続補正がなされ、その後平成15年12月9日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成16年1月15日に審判が請求されるとともに、平成16年2月9日付けで手続補正がなされたものである。 第2 平成16年2月9日付け手続補正(以下「本件補正」という。)について [補正却下の決定の結論] 平成16年2月9日付け手続補正を却下する。 [理由] 1.本件補正 本件補正は、特許請求の範囲の請求項1について、補正前の (a) 「【請求項1】基板上に少なくとも1層の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体に対し、マスク手段を通して該媒体にエネルギー線を照射し該磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、該磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターンの形成方法であって、 少なくとも該媒体の磁化パターン形成領域では、該マスク手段と該媒体とのあいだに1μm以上、1mm以下の間隙を設けることを特徴とする磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。」を、 (b) 「【請求項1】基板上に少なくとも1層の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体に対し、フォトマスクを通して前記媒体にエネルギー線を照射し前記磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、前記磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターンの形成方法であって、 少なくとも前記媒体の磁化パターン形成領域では、前記フォトマスクと前記媒体とのあいだに1μm以上、10mm以下の間隙を設け、 前記保護層の厚さを0.1nm以上50nm以下、 前記潤滑層の厚さを1nm以上10nm以下とすることを特徴とする磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。」 と補正するものである。 本件補正は、補正前の請求項1に記載された発明の「マスク手段」について、「フォトマスク」と限定し、「保護層」について、「前記保護層の厚さを0.1nm以上50nm以下」との限定を付加し、「潤滑層」について、「前記潤滑層の厚さを1nm以上10nm以下とする」との限定を付加するものである。 ところで、本件補正の、「少なくとも前記媒体の磁化パターン形成領域では、前記フォトマスクと前記媒体とのあいだに1μm以上、10mm以下の間隙を設け」について検討すると、補正前の「1mm以下の間隙」を「10mm以下の間隙」と補正するものであり、数値限定の範囲を広げるものであるから、特許請求の範囲の拡張に該当し、特許請求の範囲の減縮に当たらないから、特許法第17条の2第4項第2号に該当しない。 また、本件補正の、「少なくとも前記媒体の磁化パターン形成領域では、前記フォトマスクと前記媒体とのあいだに1μm以上、10mm以下の間隙を設け」という構成、特に「間隙」の上限が「10mm」であることは、願書に最初に添付した明細書又は図面(以下、「当初明細書等」という。)に記載されていない。「間隙」に関する明細書の記載(段落59)によれば、「1mm以下」との記載があるのみである。よって、上記構成は当初明細書等に記載した事項の範囲内であるということはできない。 したがって、本件補正は、特許法第17条の2第3項の規定に違反するものであり、また特許法第17条の2第4項第2号に該当しないので、特許法第159条第1項で準用する特許法第53条第1項の規定により却下すべきものである。 2. なお、本件補正の「10mm以下の間隙」が、仮に「1mm以下の間隙」の誤記であるとして、特許法第17条の2第4項第2号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものとしたとき、補正後における特許請求の範囲の請求項1に記載されている事項により特定される発明(以下「補正後の発明」という。)が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下検討する。 (1)引用例 原査定の拒絶の理由に引用された特開平4-34744号公報(以下「引用例1」という。)には、「光磁気または磁気ディスクの製造方法」に関し、次の事項が記載されている。(なお、下線は当審で付与したものである。) (ア) 「記録層に垂直方向に第1の外部磁場を印加することにより上記記録層の磁化の方向を上記第1の外部磁場の方向にそろえた後、上記記録層に上記第1の外部磁場と逆方向の第2の外部磁場を印加した状態で記録すべき信号に対応した開口が形成されたマスクを用いて上記記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の上記記録層の磁化を反転させることにより信号を記録するようにした光磁気または磁気ディスクの製造方法。」(特許請求の範囲の項) (イ) 「第1図A?Dは本発明の一実施例による光磁気または磁気ディスクの製造方法を工程順に示す断面図であり、第2図A?Dはそれぞれ第1図A?Dに対応する平面図である。 第1図A及び第2図Aに示すように、まず基板1上に垂直磁化膜から成る記録層2が形成された光磁気または磁気ディスクに垂直方向に初期化用の外部磁場Hiを印加する。この場合、記録層2の保磁力をHcとすると、Hi＞Hcである。ただし、この初期化時に後述のようにレーザ光5を照射することにより熱アシストを行う場合には、Hi＜Hcでもよい。なお、記録層2中の矢印は磁化を示す(以下同様)。 次に、第1図B及び第2図Bに示すように、記録すべき信号に対応した多数の開口3aが形成されたマスク3(第3図参照)を記録層2上に載せる。ここで、このマスク3は、後述のレーザ光5が透過しない材料により形成され、例えばこのレーザ光5が透過しない材料の膜をリソグラフィー及びエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。 次に、第1図C及び第2図Cに示すように、例えば半導体レーザチップ(図示せず)を複数個ライン状に並べた半導体レーザアレイ4によりディスク径よりも幅の大きいライン状のレーザ光5を形成し、記録層2上にマスク3が載せられた上述の光磁気または磁気ディスクをこの半導体レーザアレイ4の下側を例えばレーザ光5の長手方向に垂直方向に移動させることにより、マスク3の全面にレーザ光5を照射する。ここで、このレーザ光5の照射は、外部磁場Hiと逆方向の外部磁場Hｗを記録層2に印加した状態で行う。この場合には、レーザ光5の照射により熱アシストが行われることから、Hｗ≪Hcでよい。このようにしてマスク3の全面にレーザ光5を照射することにより、このマスク3の開口3aを通過したレーザ光5により照射された部分の記録層2が選択的に加熱されてこの部分の温度が上昇する。そして、外部磁場Hiと逆方向に印加された外部磁場Hｗにより、この温度が上昇した部分の記録層2の磁化が反転し、これによって信号が記録される(第4図参照)。 このようにして、第1図D及び第2図Dに示すように、信号が記録された光磁気または磁気ディスクが製造される。」(公報2頁左下欄下から5行?3頁左上欄末行、[実施例]の項) (ウ)「以上述べたように、本発明によれば、記録層に第1の外部磁場と逆方向の第2の外部磁場を印加した状態で記録すべき信号に対応した開口が形成されたマスクを用いて記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の記録層の磁化を反転させることにより信号を記録するようにしているので、信号が記録された光磁気または磁気ディスクを容易に製造することができ、これによって再生専用の光磁気または磁気ディスクを大量複製することができる。」(公報3頁右下欄下から10行?末行、[発明の効果]の項) (エ) レーザ光照射時の記録層及びマスクの一部分の拡大断面図である第4図には、基板1の上に記録層2が形成され、その上に間隔をあけてマスク3が図示され、マスクの開口3aを通してレーザ光5が照射されることが、図示されている。 (2)対比 補正後の発明と引用例1に記載された発明とを対比する。 上記(1)で摘示した記載事項、特に(ア)(イ)(下線部参照)によれば、引用例1には、 「記録層に垂直方向に第1の外部磁場を印加することにより上記記録層の磁化の方向を上記第1の外部磁場の方向にそろえた後、上記記録層に上記第1の外部磁場と逆方向の第2の外部磁場を印加した状態で記録すべき信号に対応した開口が形成されたマスクを用いて上記記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の上記記録層の磁化を反転させることにより信号を記録するようにした磁気ディスクの製造方法であって、 磁気ディスクは、基板上に垂直磁化膜から成る記録層が形成されたものであり、 マスクの全面にレーザ光を照射することにより、このマスクの開口を通過したレーザ光により照射された部分の記録層が選択的に加熱されてこの部分の温度が上昇し、第2の外部磁場により、この温度が上昇した部分の記録層の磁化を反転させるものである、方法。」 の発明が記載されている。 引用例1に記載された発明の「記録層」「磁気ディスク」「レーザ光」は、それぞれ補正後の発明の「磁性薄膜」「磁気記録媒体」「エネルギー線」に相当している。 引用例1に記載された発明の「マスク」は、レーザ光を選択的に照射するためのマスクであるから、補正後の発明の「フォトマスク」に相当している。 引用例1に記載された発明は、マスクを用いてレーザ光を選択的に照射してこの照射部の磁化を反転させることにより信号を記録するのであるから、引用例1に記載された発明の「磁気ディスクの製造方法」は、補正後の発明の「磁気記録媒体の磁化パターン形成方法」に実質的に相当している。 引用例1に記載された発明は、「マスクの全面にレーザ光を照射することにより、このマスクの開口を通過したレーザ光により照射された部分の記録層が選択的に加熱されてこの部分の温度が上昇」するので、補正後の発明の「基板上に少なくとも1層の磁性薄膜を有してなる磁気記録媒体に対し、フォトマスクを通して前記媒体にエネルギー線を照射し前記磁性薄膜を局所的に加熱する工程」に相当する構成を備えている。 引用例1に記載された発明は、「記録すべき信号に対応した開口が形成されたマスクを用いて上記記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の上記記録層の磁化を反転させることにより信号を記録する」ものであり、上記(イ)(ウ)(第1図、第4図参照)から、「少なくとも前記媒体の磁化パターン形成領域では、前記フォトマスクと前記媒体とを設ける」構成を備えているといえる。 よって、補正後の発明と引用例1に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。 (一致点) 「基板上に少なくとも1層の磁性薄膜を有してなる磁気記録媒体に対し、フォトマスクを通して前記媒体にエネルギー線を照射し前記磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、前記磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターンの形成方法であって、少なくとも前記媒体の磁化パターン形成領域では、前記フォトマスクと前記媒体とを設ける、磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。」 (相違点1) 「磁気記録媒体」について、補正後の発明は、「基板上に少なくとも1層の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有してなる」と特定し、「前記保護層の厚さを0.1nm以上50nm以下、前記潤滑層の厚さを1nm以上10nm以下」と特定しているのに対して、引用例1に記載された発明は、そのように特定していない点。 (相違点2) 補正後の発明は、「少なくとも前記媒体の磁化パターン形成領域では、前記フォトマスクと前記媒体とのあいだに1μm以上、1mm以下の間隙を設け」と特定しているのに対して、引用例1に記載された発明は、間隙について特定していない点。 (3)判断 (相違点1について) 引用例1には、磁気ディスクの記録層以外の層について詳細な記載がないが、磁気ディスクは、記録層である磁性薄膜の上に、保護層と潤滑層を順次有しているものであることが周知の事項であって、その保護層の厚さとして0.1nm以上50nm以下、潤滑層の厚さとして1nm以上10nm以下程度は、周知の厚さであって、例えば、特開平4-283418号公報(磁気ディスクは、記録層の表面に10?30nmのスパッタカーボン膜からなる保護膜と3?6nmの潤滑膜とを順に積層した構成である旨の、従来技術の記載(段落3)参照)、特開平8-77544号公報(10nmの保護層及び2nmの潤滑層である旨の従来技術の記載(段落4)等参照)、特開平8-203059号公報(20nm程度の保護膜と5nm程度の潤滑層を順に積層した構成である旨の記載(段落2?4、15)等参照)に記載されている。 よって、上記相違点1は、当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎない。 (相違点2について) 引用例1には、マスクと磁気記録媒体との配置について、「第1図B及び第2図Bに示すように、記録すべき信号に対応した多数の開口3aが形成されたマスク3(第3図参照)を記録層2上に載せる」(上記(イ)参照)と記載され、また、レーザ光照射時の記録層及びマスクの一部分の拡大断面図である第4図には、基板1の上に記録層2が形成され、その上に間隔をあけてマスク3が図示されている(上記(エ)参照)。ただ、上記図示では、間隔が積極的にあけられているのか、模式図として示す必要性から間隔があいているのか明確ではない。 フォトマスクとエネルギー線を用いて、フォトマスクのパターンを被転写体に転写する技術に於いて、フォトマスクを被転写体に密着させるコンタクト方式とともに、接触させない程度(数μm?数10μm程度)に近接させるプロキシミティ方式が、周知の事項であって、プロキシミティ方式は、コンタクト方式の欠点であるマスクや被転写体の損傷を改良するものであることが、知られている。例えば、原審の拒絶査定において周知の根拠として示された特開平4-73766号公報には、「マスクと被転写体とを触れない程度の間隔をおいて配置し、露光用光をマスク全面に走査しこのマスクのパターンを被転写体に転写するプロキシミティ露光装置」が従来の技術(特許請求の範囲の請求項1の一部、公報2頁右上欄15行?左下欄7行等)として示され、触れない程度の間隔として10?50μmが例示され(公報4頁左上欄6?7行)、当該間隔を調整すれば、被転写体に曲がりなどの変形が生じてもマスクのパターンを正確に転写できる作用効果が記載されている(公報7頁左上欄17行?20行)。また、特開昭57-44150号公報には、マスクと基板を密着させないプロキシミティ法による露光は、マスクに損傷を生じたり、ごみが付着したりすることが少ないという利点がある旨(公報1頁左下欄9行?11行の従来技術の説明)、及び50μmの間隔の例示(公報1頁右下欄7行)が記載されている。また、特開昭57-34333号公報には、マスクと被露光物との位置関係は、合わせ精度と解像度に直接影響を与え、密着方式は解像度が良いものの、密着するのでマスクの表面に損傷や異物の付着があり、マスク寿命の低下をもたらしたりウエハ面にピンホールが発生したりする欠点があり、この欠点を改良する為に考えられたマスクとウエハを接触させないで露光させる方式(プロキシミティ法)が、マスクとウエハの間隔を数μm?数10μmに保っておき、非接触で露光を行う方法であることが記載されている(公報1頁右下欄5行?2頁左上欄4行)。また、特開昭54-141573号公報(公報1頁右下欄従来の技術の記載参照)にも同様の記載がある。 してみれば、引用例1に記載された発明の、レーザー光により媒体を選択的に照射する技術において、フォトマスクのパターンを被転写体である媒体に転写するための、フォトマスクと媒体との配置として、近接するが接触しない程度の間隙(数μm?数10μm程度)を設けるようにすることは、当業者であれば、上記フォトマスクに関する周知の事項を採用して容易に想到しうることである。また上記相違点2における数値範囲の「1μm以上、1mm以下」は、近接するが接触しない程度の間隙(数μm?数10μm程度)を含む範囲であり、上限下限の数値に格別意義があるといえない。なお、「1μm以上、10mm以下」の範囲であるとしても、同様に格別意義があるとはいえない。 そして、上記相違点1、2を総合的に検討しても、補正後の発明の効果は、引用例1に記載された発明及び周知の事項から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。 (4)むすび 以上のとおり、補正後の発明は、本願出願前に頒布された上記引用例1に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 したがって、本件補正は、特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に違反するから、特許法第159条第1項において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。 第3 本願発明について 平成16年2月9日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項1乃至21に係る発明は、平成15年8月18日付け手続補正書によって補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1乃至21に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項1に記載された発明(以下「本願発明」という。)は次のとおりである。 「【請求項1】上記「第2の1の(a)」のとおり。」 1.引用例 原審の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記「第2の2(1)」に記載されたとおりである。 2.対比判断 本願発明は、上記「第2の2」で検討した補正後の発明から、「マスク手段」についての限定事項である「フォトマスク」の「フォト」という構成を省き、「保護層」についての限定事項である「前記保護層の厚さを0.1nm以上50nm以下」という構成を省き、「潤滑層」についての限定事項である「前記潤滑層の厚さを1nm以上10nm以下とする」という構成を省いたものである。 そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第2の2(2)、(3)」に記載したとおり、引用例1に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例1に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 3.むすび 以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例1に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2006-11-28 |
| 結審通知日 | 2006-11-30 |
| 審決日 | 2006-12-19 |
| 出願番号 | 特願2000-134611(P2000-134611) |
| 審決分類 |
P
1
8・
575-
Z
(G11B)
P 1 8・ 561- Z (G11B) P 1 8・ 572- Z (G11B) P 1 8・ 121- Z (G11B) |
| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 岩井 健二 |
| 特許庁審判長 |
小林 秀美 |
| 特許庁審判官 |
小松 正 川上 美秀 |
| 発明の名称 | 磁気記録媒体の磁化パターン形成方法及び製造方法、磁気記録媒体、並びに磁気記録装置 |
| 代理人 | 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ |