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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由) G02F |
|---|---|
| 管理番号 | 1156545 |
| 審判番号 | 不服2004-17659 |
| 総通号数 | 90 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2007-06-29 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2004-08-26 |
| 確定日 | 2007-04-25 |
| 事件の表示 | 平成 8年特許願第319777号「磁気光学効果を利用した光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成10年 6月19日出願公開、特開平10-161076〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
1.手続の経緯・本願発明 本願は、平成8年11月29日の出願であって、平成16年7月16日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年8月26日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日付で特許法第17条の2第1項第3号の規定による手続補正がなされ、その後、前置審査において、同年11月18日付けの拒絶理由通知により拒絶の理由が通知され、平成17年1月31日付けで手続補正がなされたものである。そして、その請求項に係る発明は、平成17年1月31日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1?17に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項1に係る発明は次のものである。 「【請求項1】 入力ビームを反射させて反射ビームにするリフレクタと、 上記入力ビーム及び上記反射ビームが通過するように設けられる磁気光学結晶と、 第1の磁界を該入射ビームおよび該反射ビームに実質的に平行な第1の方向で上記磁気光学結晶に印加する第1および第2の永久磁石と、第2の磁界を上記第1の方向とは異なる第2の方向で上記磁気光学結晶に印加する電磁石を含む第1の手段と、 制御信号に基づき上記第2の磁界を変化させる第2の手段とを備え、 該リフレクタは、該第1の永久磁石と該磁気光学結晶の間に介在し、該第2の永久磁石は該入力ビームおよび該反射ビームが貫通する開口を有する 光デバイス。」 なお、請求項1には「該第2の永久磁石は該入力ビームおよび該反射ビームを貫通する開口を有する」と記載されているが、永久磁石の開口がビームを貫通するとの事項は技術的に理解することができず、かつ、本願明細書の段落0084には「開口を・・・ビーム・・が貫通する」と記載されているから、上記請求項1に記載の「該第2の永久磁石は該入力ビームおよび該反射ビームを貫通する開口を有する」は「該第2の永久磁石は該入力ビームおよび該反射ビームが貫通する開口を有する」の誤記であると認め、本願の請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)を上記のように認定した。 2.刊行物記載の発明 (1)引用例1 これに対して、前置審査における、平成16年11月18日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願の出願日前公知の刊行物である、特開平6-51255号公報(以下、「引用例1」という。)には、次の事項が記載されている。 「【特許請求の範囲】 【請求項1】 光の伝搬経路内に設けられた磁気光学結晶(1) と、 該磁気光学結晶(1) の上記光の伝搬方向下流側に設けられ、特定の偏光方向の光を通過させる偏光子(2) と、 互いに異なる方向の第1及び第2磁界を合成磁界の強さが所定値を超えるように上記磁気光学結晶(1) に対して印加する磁界印加手段(3) と、 上記第1及び第2磁界の強さの少なくとも一方を変化させる磁界調整手段(4)とを備えたことを特徴とする光アッテネータ。 【請求項2】 上記第1及び第2磁界は上記光の伝搬方向を含む平面内の互いに直交する方向に印加されることを特徴とする請求項1に記載の光アッテネータ。 【請求項3】 上記磁界印加手段(3) は上記第1及び第2磁界をそれぞれ印加する電磁石及び永久磁石であり、上記磁界調整手段(4) は上記電磁石を駆動する電流を調整することを特徴とする請求項2に記載の光アッテネータ。 【請求項4】 上記第2磁界は上記光の伝搬方向と平行に印加されることを特徴とする請求項3に記載の光アッテネータ。」、 「【0006】 【課題を解決するための手段】本発明の光アッテネータは、光の伝搬経路内に設けられた磁気光学結晶と、該磁気光学結晶の上記光の伝搬方向下流側に設けられ、特定の偏光方向の光を通過させる偏光子と、互いに異なる方向の第1及び第2磁界を合成磁界の強さが所定値を超えるように上記磁気光学結晶に対して印加する磁界印加手段と、上記第1及び第2磁界の強さの少なくとも一方を変化させる磁界調整手段とを備える。」、 「【0015】本発明によると、合成磁界の強さが所定値を超えるように磁界印加手段3が磁気光学結晶1に対して第1及び第2磁界を印加するようにしているので、磁気光学結晶1における磁化の強さを常に飽和させておくことができ、多数の磁区の存在による上記不都合を排除することができる。尚、磁気光学結晶において磁化の強さが飽和した状態は、磁区が一つになった状態として理解することができる。 【0016】また、本発明の構成によると、磁界調整手段4により第1磁界の強さ及び第2磁界の強さの少なくとも一方を変化させるようにしているので、これにより第1及び第2磁界の合成磁界の方向を変えることができる。合成磁界の方向が変わると、これに伴い磁気光学結晶1における磁化の方向も変わり、その結果、磁化の強さが飽和して一定であるにもかかわらず、磁化の強さの光伝搬方向の成分が変わり、結局磁気光学結晶1におけるファラデー回転角が変化するのである。」、 「【0021】永久磁石14により磁気光学結晶13に印加される磁界の方向は磁気光学結晶13における光ビーム17の透過方向と平行であり、電磁石15により磁気光学結晶13に印加される磁界の方向は磁気光学結晶13における永久磁石14による磁界印加方向及び光ビーム17の透過方向に垂直である。」、 「【0023】永久磁石14及び電磁石15による合成磁界の強さは、磁気光学結晶13における飽和磁界よりも常に大きくなるように設定される。その理由は前述した通りである。また、可変電流源16の可変範囲は、磁気光学結晶13から出射する光の偏光方向を、この光アッテネータの光出力の偏光方向に一致する方向と該方向に直交する方向の間で調整し得るような範囲に設定される。」、及び、 「【0034】本実施例によると、最大透過率から最小透過率の全範囲にわたって常に磁気光学結晶13には飽和磁界が印加されているので、磁気光学結晶13に多数の磁区が形成されることに起因する不都合が生じない。また、最大透過率から最小透過率までの全範囲について電気的な調整が可能であるので、応答性が良好で且つ信頼性の高い光アッテネータの提供が可能になる。」 上記記載から、引用例1には「光ビーム(17)の伝搬経路内に設けられた磁気光学結晶(1,13) と、互いに異なる方向の第1及び第2磁界を合成磁界の強さが所定値を超えるように上記磁気光学結晶に対して印加する電磁石(15)及び永久磁石(14)である磁界印加手段(3)と、上記電磁石を駆動する可変電流源(16)電流を調整して上記第1磁界の強さを変化させる磁界調整手段(4)とを備え、上記第2磁界は上記光ビームの伝搬方向と平行に印加される光アッテネータ」の発明(以下「引用例1発明」という。)が記載されているものと認められる。 (2)引用例2 同じく特開平4-191815号公報(以下、「引用例2」という。)には、次の事項が記載されている。 ア.「(1)板状であってその面に垂直な方向に磁化された磁石と、全反射ミラーと、ファラデー回転子と、偏光子を、直接或いは間接にこの順番で層状に積層して一体化するとともに、光の入射方向に対してその面を所定角度傾斜せしめて設置したことを特徴とする光アイソレータ。」(1頁下左欄5?10行)、 イ.「板状の磁石がファラデー回転子に飽和磁界を印加する。・・・・この光アイソレ-タの構造は簡単でその製造も容易である。・・・光アイソレータ1は、平板状の磁石2の一方の面上に全反射ミラー3を形成し、その上にファラデー回転子4を載せ、・・・・これらを一体に固定することによって構成されている。・・・・磁石2はその平面に垂直な方向、即ち磁石2の厚み方向に磁化されている。この実施例においては全反射ミラー3を設けた側の面をN極とし、反対側の面をS極としているが、どちらでもかまわない。。全反射ミラー3は、誘電体多層膜等によって構成されている。なおこの全反射ミラー3は磁石2上に形成する代わりに、ファラデー回転子4上に形成しても良い。」(2頁下左欄最下行?3頁上左欄7行)、 ウ.「そして該入射光はファラデー回転子4によってその偏波面が22.5°回転され、その後、全反射ミラー3によって全反射され、再びファラデー回転子4でその偏波面が22.5°回転される。」(3頁下左欄15?18行)及び、 エ.「各光学部品を積層するたけで構成できるので、小型化が図れ、アッセンブル等の調整が不要な為その製造も容易となる。」(6頁上右欄12?14行) (3)引用例3 また、同じく特開平7-199137号公報(以下、「引用例3」という。)には、次の事項が記載されている。 「【0041】4.マルチパス変調器 次に図4により、本発明によるファラデー回転子302を変調器400中に使う例を説明する。変調器400は、出力光ファイバ312に入る前に光信号322がファラデー回転子302を通る2つのパスをつくることを可能にする。図4において、光反射器402がファラデー回転子302の一方の側に置かれている。入力光ファイバ310および出力光ファイバ312は、ファラデー回転子302の他方の側に互いに近接させて配置される。入力光ファイバ310、光反射器402、および出力光ファイバ312は、互いに傾けられており、光軸306に対して傾けられていて、入力光ファイバ310から入力された光信号322はファラデー回転子302をある角度で通り、光反射器402に突き当たって、出力光ファイバ312に戻る。 【0042】光信号322は光反射器402で反射されて、ファラデー回転子302に反対方向に入る。従って、光信号322は、入力光ファイバ310から光反射器402へファラデー回転子302を通過するときに、第1の回転を経験する。そして、光信号322は、光反射器402から出力光ファイバ312へファラデー回転子302を通過するときに、第2の回転を経験する。ファラデー回転子302は非相反であるので、光信号が経験する第2の回転は第1の回転に累積的となる。従って、出力光ファイバ312に入る光信号は、図3の変調器300と比較して、光ファイバ出力における偏光回転は2倍になる。これは、特定の回転量に対して、半分のファラデー回転材料を必要とするか、または必要とする磁界が対応して小さくなる結果となる。 【0043】本発明の好ましい実施例においては、光反射器402は多層誘電体ミラー、または金のような反射材料からできたものとすることができる。しかし、光反射器402として、他のタイプの平面ミラーを使用することもできる。ファラデー回転子302の同じ側に入力光ファイバ310および出力光ファイバ312をともに置き、ファラデー回転子302の他方の側に光反射器402を置くようにしているので、この変調器400の構成はシングルエンド・デバイスと呼ばれている。」 3.対比 本願発明と引用例1発明とを対比する。 (1)引用例1発明における「光ビームの伝搬経路内に設けられた磁気光学結晶 」、「第2磁界を上記光ビームの伝搬方向と平行に上記磁気光学結晶に対して印加する永久磁石」、「第2磁界との合成磁界の強さが所定値を超えるように第2磁界と異なる方向の第1磁界を上記磁気光学結晶に対して印加する電磁石」、「磁界印加手段」及び「光アッテネータ」は、それぞれ、本願発明における「ビームが通過するように設けられる磁気光学結晶」、「第1の磁界をビームに実質的に平行な第1の方向で上記磁気光学結晶に印加する永久磁石」、「第2の磁界を上記第1の方向とは異なる第2の方向で上記磁気光学結晶に印加する電磁石」、「第1の手段」及び「光デバイス」に相当する。 (2)引用例1発明の磁界調整手段は、何らかの制御信号に基づき可変電流源電流を調整していることは当業者に自明であるから、引用例1発明における「上記電磁石を駆動する可変電流源電流を調整して上記第1磁界の強さを変化させる磁界調整手段」は、本願発明における「制御信号に基づき上記第2の磁界を変化させる第2の手段」に相当する。 (3)したがって、本願発明と引用例1発明とは、「ビームが通過するように設けられる磁気光学結晶と、第1の磁界を該ビームに実質的に平行な第1の方向で上記磁気光学結晶に印加する永久磁石と、第2の磁界を上記第1の方向とは異なる第2の方向で上記磁気光学結晶に印加する電磁石を含む第1の手段と、制御信号に基づき上記第2の磁界を変化させる第2の手段とを備える光デバイス」である点で一致し、次の2点で相違する。 [相違点1] 本願発明においては、上記光デバイスが「上記永久磁石と上記磁気光学結晶の間に介在し、入力ビームを反射させて反射ビームにするリフレクタ」を備え、上記磁気光学結晶を通過するビームが「上記入力ビーム及び上記反射ビーム」であるのに対して、引用例1発明においてはリフレクタを備えていない点。 [相違点2] 上記永久磁石が、本願発明においては「第1および第2」の2つの永久磁石からなっており、「該第2の永久磁石はビームが貫通する開口を有する」のに対して、引用例1発明においては、2つにはなっておらず、ビームが貫通する開口も有していない点。 4.判断 (1)上記相違点1について検討する。 ア.引用例2に記載の事項と本願発明とを対比すると、引用例2に記載の事項の「磁石」、「全反射ミラー」、「ファラデー回転子」、「光」及び「光アイソレータ」は、それぞれ、本願発明の「永久磁石」、「リフレクタ」、「磁気光学結晶」、「ビーム」及び「光デバイス」に相当する。 イ.引用例2には、磁石と、全反射ミラーと、ファラデー回転子を、この順番で層状に積層する事項(上記2.(2)ア.参照。)、即ち、永久磁石と、リフレクタと、磁気光学結晶を、この順番で層状に積層する事項、及び「入射光はファラデー回転子4によってその偏波面が22.5°回転され、その後、全反射ミラー3によって全反射され、再びファラデー回転子4でその偏波面が22.5°回転される。」(上記2.(2)ウ.参照。)が記載されているから、本願発明の「上記永久磁石と上記磁気光学結晶の間に介在し、入力ビームを反射させて反射ビームにするリフレクタ」を光デバイスに備える点は引用例2によって公知である。 ウ.引用例3には、「ファラデー回転子は非相反であるので、ファラデー回転子の同じ側に入力光ファイバおよび出力光ファイバをともに置き、ファラデー回転子の他方の側に光反射器を置くようにしている構成のシングルエンド・デバイスでは、入力光ファイバから入力された光はファラデー回転子を通り光反射器に突き当たって反射され、ファラデー回転子に反対方向から入り、出力光ファイバに戻ることにより、光信号が経験する偏光回転は2倍になる。これは、特定の回転量に対して、半分のファラデー回転材料を必要とするか、または必要とする磁界が対応して小さくなる結果となる。」旨記載されており(上記2.(3)参照。)、引用例2には、「各光学部品を積層するたけで構成できるので、小型化が図れ、アッセンブル等の調整が不要な為その製造も容易となる。」と記載されている(上記2.(2)エ.参照。)。 エ.したがって、ファラデー回転材料(磁気光学結晶材料)の必要量を少なくする、必要とする磁界を小さくする、製造を容易にする等の技術課題や、それらの解決のためにミラー等を採用することは引用例2、3の記載事項のとおり公知であるから、これらを動機として、引用例1発明に引用例2により公知である「上記永久磁石と上記磁気光学結晶の間に介在し、入力ビームを反射させて反射ビームにするリフレクタ」を設けることにより、入力ビームに加え反射ビームも磁気光学結晶を通過するシングルエンド・デバイスとすることは当業者が容易になし得たことである。 (2)上記相違点2について検討する。 ファラデー回転子(磁気光学結晶)に磁界を印加するための永久磁石を、ファラデー回転子を光ビームが通過する方向に関してファラデー回転子の前後に配置し、かつ、光ビームが永久磁石を通過できるように永久磁石の該当箇所に開口を設けたものは本願出願前に周知である(例.特開昭63-123014号公報(4頁上右欄1行?16行、第7図参照。)、特開平5-157990号公報(磁石4,5に注目。)、特開平8-29731号公報(2個の磁石15に注目。))。 そして、引用例1発明の第2磁界を磁気光学結晶に対して印加する永久磁石にこの周知技術を採用して、永久磁石を2つの永久磁石から構成し、磁気光学結晶を光ビームが通過する方向に関して磁気光学結晶の前後に配置し、光ビームが永久磁石を通過できるように永久磁石の該当箇所に開口を設けること、即ち、上記相違点2は、単なる周知技術の付加にすぎない。 (3)まとめ したがって、本願発明は、引用例1発明に引用例2に記載の公知技術及び上記周知技術を採用し、入力ビームに加え反射ビームも磁気光学結晶を通過するシングルエンド・デバイスとしたものであって、引用例1発明、引用例2、3に記載の事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易になし得たことである。 しかも、本願発明によってもたらされる効果は、引用例1発明、引用例2に記載の公知技術及び上記周知技術の奏する効果と、引用例2、3に記載の事項から当業者が予測し得る程度のものにすぎない。 なお、請求人は平成17年1月31日付意見書において「可変光減衰器を偏光無依存とするためには、・・・・光可変減衰器を反射構成とする場合は、入射ビームと反射ビームとを実質的に平行とする必要がある。本願発明は、・・・・磁気光学結晶を用いた可変光減衰器を偏光無依存と・・・・できる。」旨主張している。 しかし、本願の請求項1には、光デバイスが「可変光減衰器」であるとの特定はされていない。 また、本願明細書で、「磁気光学結晶を用いた可変光減衰器を偏光無依存とする」との事項に関する記載は、段落0081、0082において、図3の従来技術と対比して説明されている。ここで図3の従来技術と対比されている実施態様は本願明細書の段落0062?0079、図8及び図9に記載されている「偏光子として複屈折くさび板82を用いている点で特徴付けられる可変光アッテネータ」の実施態様である。一方、段落0061には、本願の図7の実施態様である可変光アッテネータは偏波依存性を有していると記載されている。すなわち、これらの記載からは、「磁気光学結晶を用いた可変光減衰器を偏光無依存とする」事項は、「偏光子として複屈折くさび板を用いている可変光アッテネータ」との発明特定事項を備えた発明において奏する作用効果であると解されるところ、本願の請求項1には「複屈折くさび板を用いている」との特定もされていない。 よって、請求人の上記主張は請求項1に係る発明の範囲外の主張というべきであって、これを斟酌することはできない。 5.むすび したがって、本願発明は、引用例1に記載された発明、引用例1?3に記載の事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条2項の規定により特許を受けることができない。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2007-02-08 |
| 結審通知日 | 2007-02-20 |
| 審決日 | 2007-03-05 |
| 出願番号 | 特願平8-319777 |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
WZ
(G02F)
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| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 植田 高盛、早川 貴之、東 治企 |
| 特許庁審判長 |
小牧 修 |
| 特許庁審判官 |
西村 直史 井上 博之 |
| 発明の名称 | 磁気光学効果を利用した光デバイス |
| 代理人 | 松本 昂 |