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審決分類 審判 査定不服 4項3号特許請求の範囲における誤記の訂正 特許、登録しない。 G11B
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 G11B
管理番号 1183661
審判番号 不服2006-8148  
総通号数 106 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2008-10-31 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2006-04-27 
確定日 2008-08-28 
事件の表示 平成 9年特許願第265445号「垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成11年 4月13日出願公開、特開平11-102510〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は、平成9年9月30日の出願であって、平成16年8月27日付けで手続補正がなされたが、平成18年3月27日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成18年4月27日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。

第2 平成18年4月27日付け手続補正(以下「本件補正」という。)について
[補正却下の決定の結論]
平成18年4月27日付け手続補正を却下する。
[理由]
1.本件補正
本件補正は、特許請求の範囲の請求項1について、補正前の、
(a) 「【請求項1】 基板上に形成した磁性膜の磁化容易軸が基板面に垂直方向に配向した磁気記録媒体であって、
該磁性膜が少なくとも2層以上の磁性膜で構成されており、
該磁性膜の膜面垂直方向の磁気異方性定数が異なる磁性膜で構成されており、
基板面に近い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kuaに比べて、基板から遠い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kubが大きく、
前記Kubは、5×10^(6)erg/ccより大きく、
上記該磁性膜の基板面に近い側の磁性膜の膜厚(t1)が、基板から遠い側の磁性膜の膜厚(t2)に比べて大きい(t1>t2)ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。」を、
(b) 「【請求項1】 基板上に形成した磁性膜の磁化容易軸が基板面に垂直方向に配向した磁気記録媒体であって、
該磁性膜が少なくとも2層以上の磁性膜で構成されており、
該磁性膜の膜面垂直方向の磁気異方性定数が異なる磁性膜で構成されており、
基板面に近い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kuaに比べて、基板から遠い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kubが大きく、
前記Kubは、5×10^(6)erg/cc以上であり、
上記該磁性膜の基板面に近い側の磁性膜の膜厚(t1)が、基板から遠い側の磁性膜の膜厚(t2)に比べて大きい(t1>t2)ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。」
と補正するものである。
本件補正は、補正前の「前記Kubは、5×10^(6)erg/ccより大きく」を「前記Kubは、5×10^(6)erg/cc以上であり」に補正するものであって、請求人は、誤記の訂正にあたるとしている。
そこで、誤記の訂正に当たるかどうかについて検討する。明細書に、「一方第2磁性膜の磁気異方性定数Kubは5×10^(6)erg/ccから1×10^(7)erg/ccの範囲であった」(段落16)及び「第2磁性膜 5×10^(6)-1×10^(7)」(表1の媒体A及びBのKu(erg/cc)欄)という記載があり「5×10^(6)erg/cc」に等しい場合を含むとも解される記載があるものの、一方出願当初から特許請求の範囲(例えば、当初明細書の請求項5参照)には、「Kubは、5×10^(6)erg/ccより大きいことを特徴とする」と記載されているように、「5×10^(6)erg/cc」に等しい場合を含んでいない。請求の範囲が明細書の記載より狭く記載されていても特に誤記ではないから、補正前の請求項1の「前記Kubは、5×10^(6)erg/ccより大きく」が誤記であったとはいえないので、本件補正は誤記の訂正であるとすることはできない。
そして、補正前の「5×10^(6)erg/ccより大きく」を「5×10^(6)erg/cc以上」とする補正は、数値の範囲を拡張するものであり、特許請求の範囲の減縮に当たらない。
よって、本件補正は、平成18年改正前特許法第17条の2第4項の各号のいずれにも該当しないので、特許法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。

第3 本願発明について
平成18年4月27日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項1乃至7に係る発明は、平成16年8月27日付け手続補正の特許請求の範囲の請求項1乃至7に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項1に記載された発明(以下「本願発明」という。)は上記「第2の1の(a)」のとおりである。

1.引用例
(1)原査定の拒絶の理由に引用された特開平7-176027号公報(以下「引用例1」という。)には、「磁気記録媒体及び磁気記録再生装置」に関し、次の事項が記載されている。(なお、下線は当審で付与したものである。)
(ア)「【請求項1】磁性膜の構造制御用の下地層の上に少なくとも2層からなる磁性膜を非磁性中間層を介して積層した構造を有する磁気記録媒体であって、
磁気記録媒体の磁化容易方向の磁化-磁界曲線において、飽和磁化(Ms)と反磁界補正を加えない残留磁化(Mr)がMr/Ms≧0.8の関係を有し、磁界の強さを保磁力で規格化し、磁化を飽和磁化で規格化した磁化-磁界曲線において、磁化ゼロの点を通過する曲線の接線と規格化磁界軸のなす角(θ)が35°≦θ≦90°の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項5】基板面に対して垂直、もしくは基板面の法線に対して0?45度の方向に実効的な磁化容易軸を有することを特徴とする請求項1?4のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
【請求項6】基板に近い側の磁性膜aの磁気異方性定数Ku_(a)と基板から遠い側の磁性膜bの磁気異方性定数Ku_(b)とがKu_(b)≧Ku_(a)の関係を有することを特徴とする請求項1?5のいずれか1項記載の磁気記録媒体。」(特許請求の範囲の請求項1、5、6)
(イ)「【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、基板上に形成する垂直磁化膜としてのCo基合金薄膜の結晶配向や磁気異方性、あるいは磁性粒子間の相互作用を制御することによって、磁気記録したときの微細な磁区構造を制御し、優れた低ノイズ特性を有し超高密度磁気記録に好適な垂直磁気記録媒体を提供することにある。」
(ウ)「【0015】基板に近い側の磁性膜aのa軸の長さ(a_(1))及び磁気異方性定数(Ku_(a))と、基板から遠い側の磁性膜bのa軸の長さ(a_(2))及び磁気異方性定数(Ku_(b))の間には、下記(1)及び(2)の関係が成立するようにする。ただし、a_(1)及びa_(2)は、hcp構造結晶の六角形の底面の一辺の長さである。
a_(2) ≧a_(1) (1)
Ku_(b) ≧Ku_(a) (2)
【0016】組成の異なる2種以上の磁性薄膜を互いに界面を接して積層した積層磁性薄膜の上層と下層の積層膜厚比は目的により任意に設定でき、積層膜厚比1:3?3:1の範囲で保磁力2000Oe以上を得ることができる。また、非磁性層を介して形成する積層磁性薄膜は、上層と下層でその膜厚を変化することも可能であり、下層に比べて上層の保磁力を大きく設定したり、あるいは飽和磁化の値を大きく設定することができる。」
(エ)「【0024】磁性膜を非磁性中間層を介して多層に構成することにより、磁性膜の膜厚方向においての磁気的な相互作用の強さを制御でき、垂直記録したときの逆磁区(記録磁化の向きと逆方向に形成される磁区)の発生を抑制する効果があり、再生ノイズを低減できる。(略)前記(1)及び(2)の関係を満たすことにより、多層化による保磁力と異方性磁界の低下を防止でき、また磁気記録したとき記録ビット内部に形成される逆磁区による再生ノイズを低減でき、高密度磁気記録に好適な磁気記録媒体が得られる。
【0025】すなわち、本発明の多層磁性膜において、膜面垂直方向の垂直磁気異方性はCo基磁性膜の結晶磁気異方性と磁性粒子の形態からくる形状磁気異方性、及び格子定数の異なる磁性膜を積層することにより界面に発生するストレスに起因する磁気異方性からなる。膜面から磁気ヘッドにより磁気記録を行う場合、ヘッド端面に近いほど強い磁束が発生し、良好な垂直記録を実現するには上層の磁性層の磁気異方性を大きくするのが有効である。(略)」
(オ)「【0028】すなわち、垂直記録における再生ノイズの主たる原因は、記録ビット内部に形成される逆磁区の発生である。一般に用いられるCoCr系の垂直磁化膜のM-H曲線では、Mr/Ms<0.3である。これは磁性膜に発生する反磁界の影響が原因であり、これにより磁気記録したときに記録ビット内部に逆磁区が形成される。逆磁区の発生を防止するには、膜面垂直方向の磁気異方性を強くし、Mr/Msの値を大きくすることが有効である。(略)」
(カ)「【0032】この上に引き続き同一真空中で厚さ50nmの第1磁性膜3、非磁性中間層4、厚さ50nmの第2磁性膜5を順次形成して図1(a)に示すごとく構成した多層膜媒体A6を作製した。(略)
【0033】(略)
【0034】(略)第1磁性膜3の膜厚(δ_(a))と第2磁性膜の膜厚(δ_(b))は任意に選択できる。」(実施例1の項)
(キ)「【0042】(略)さらに、この構成の多層磁性膜媒体において第1磁性膜3の磁気異方性定数(Ku_(a))と第2磁性膜5の磁気異方性定数(Ku_(b))の間は、Ku_(b)≧Ku_(a)の関係を与えることが磁気記録の際の逆磁区の発生を抑止する効果があり、高密度垂直磁気記録に好適である。本実施例の場合、Ku_(a)=1.5×10^(6)erg/cc、Ku_(b)=3×10^(6)erg/ccであった。」(実施例1の項)
(ク)「【0045】一方、本発明の多層膜垂直磁気記録媒体では、Mr^(*)/Ms^(*)の比が0.8≦Mr^(*)/Ms^(*)≦1と大きい試料が作製でき、また磁気異方性(Ku)も上記の単層膜垂直磁気記録媒体に較べて数倍以上大きくできる。(略)本発明の多層膜垂直磁気記録媒体は、Mr^(*)やKuが大きいため、比較的薄い記録膜でも高い記録磁化が得られ、高い再生出力を得ることができる。またKuを大きくできるため、磁気記録したときに逆磁区の発生領域を減少でき、その結果再生ノイズも低下できる。さらには記録磁区の境界が鋭く形成でき、高密度の磁気記録が可能である。」
(ケ)「【0046】〔実施例2〕第1磁性膜3と第2磁性膜5の膜厚をδ_(a)=δ_(b)=50nmに設定し、第1磁性膜3としてCo-17at%Cr-4at%Ta、第2磁性膜としてCo-10at%Cr-15at%Pt系磁性膜、非磁性中間層としてPtを用い、図1(a)の構成の多層膜を形成した。
【0047】本実施例の多層膜の場合、(a_(2)-a_(1))/a_(1)=0.025、Ku_(a)=0.9×10^(6)erg/cc、Ku_(b)=3×10^(6)erg/cc、Mr^(*)/Ms^(*)=0.9、θ=85°、第1の磁性膜の飽和磁化と第2の磁性膜の飽和磁化の比Ms_(a)/Ms_(b)=0.65であった。非磁性中間層の膜厚t_(m)を変化させて、再生ノイズ及び再生出力を測定した結果、図2と同様の傾向が得られた。本実施例では、δ_(a)とδ_(b)を同じに設定したが、δ_(a):δ_(b)を1:3?3:1の間で変化させても同じ効果が得られた。」

2.対比判断
(1)対比
本願発明と引用例1に記載された発明とを対比する。
上記1で摘示した記載事項、特に(ア)(イ)(ウ)(ケ)(下線部参照)によれば、引用例1には、
「磁性膜の構造制御用の下地層の上に少なくとも2層からなる磁性膜を非磁性中間層を介して積層した構造を有する磁気記録媒体であって、
磁気記録媒体の磁化容易方向の磁化-磁界曲線において、飽和磁化(Ms)と反磁界補正を加えない残留磁化(Mr)がMr/Ms≧0.8の関係を有し、磁界の強さを保磁力で規格化し、磁化を飽和磁化で規格化した磁化-磁界曲線において、磁化ゼロの点を通過する曲線の接線と規格化磁界軸のなす角(θ)が35°≦θ≦90°の範囲にあり、
基板面に対して垂直の方向に実効的な磁化容易軸を有し、
基板に近い側の磁性膜aの磁気異方性定数Ku_(a)と基板から遠い側の磁性膜bの磁気異方性定数Ku_(b)とがKu_(b)≧Ku_(a)の関係を有し、
上記磁性膜aと上記磁性膜bの膜厚比が1:3?3:1である、垂直磁気記録媒体。」
の発明が記載されている。

引用例1に記載された発明の「基板に近い側の磁性膜a」「基板から遠い側の磁性膜b」は、それぞれ本願発明の「基板面に近い側の磁性膜」「基板から遠い側の磁性膜」に相当し、引用例1に記載された発明の「基板に近い側の磁性膜aの磁気異方性定数Ku_(a)」「基板から遠い側の磁性膜bの磁気異方性定数Ku_(b)」は、それぞれ「基板面に近い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kua」「基板から遠い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kub」に相当している。
引用例1に記載された発明は、「基板に近い側の磁性膜aの磁気異方性定数Ku_(a)と基板から遠い側の磁性膜bの磁気異方性定数Ku_(b)とがKu_(b)≧Ku_(a)の関係を有し」ていて、「Ku_(b)≧Ku_(a)の関係」とは「Ku_(b)>Ku_(a)の関係」を含んでいるから、本願発明の「磁性膜の膜面垂直方向の磁気異方性定数が異なる磁性膜で構成されており、基板面に近い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kuaに比べて、基板から遠い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kubが大きく」に相当する構成を備えている。
引用例1に記載された発明は、「下地層の上に少なくとも2層からなる磁性膜を非磁性中間層を介して積層した構造を有する磁気記録媒体」であるところ、本願発明も、その具体例として「基板面に近い側の磁性膜と基板から遠い側の磁性膜の間に非磁性層を形成してなること」(本願の請求項3)を含むものであり、引用例1に記載された発明と本願発明とは、「磁性膜が少なくとも2層以上の磁性膜で構成されて」いる点で共通している。
そうすると、本願発明と引用例1に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
(一致点) 「基板上に形成した磁性膜の磁化容易軸が基板面に垂直方向に配向した磁気記録媒体であって、
該磁性膜が少なくとも2層以上の磁性膜で構成されており、
該磁性膜の膜面垂直方向の磁気異方性定数が異なる磁性膜で構成されており、
基板面に近い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kuaに比べて、基板から遠い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kubが大きい、垂直磁気記録媒体。」
(相違点1) 「基板面に近い側の磁性膜」と「基板から遠い側の磁性膜」について、本願発明は、「Kubは、5×10^(6)erg/ccより大きく」、「基板面に近い側の磁性膜の膜厚(t1)が、基板から遠い側の磁性膜の膜厚(t2)に比べて大きい(t1>t2)こと」と特定しているのに対して、引用例1に記載された発明は、そのように特定していない点。

(2)相違点1についての判断
「基板面に近い側の磁性膜」と「基板から遠い側の磁性膜」の膜厚について、引用例1に記載された発明では、膜厚比が1:3?3:1が示され、また具体例として、同じ膜厚の場合に加えて「1:3?3:1の間で変化させても同じ効果が得られた。」(上記(ケ)参照)と記載されている。してみれば、本願発明の「基板面に近い側の磁性膜の膜厚(t1)が、基板から遠い側の磁性膜の膜厚(t2)に比べて大きい(t1>t2)こと」は、引用例1に記載された発明の一例として示されているのであるから、本願発明と引用例1に記載された発明とは、2つの磁性膜の膜厚の大小関係において格別相違しないものである。
また、引用例1に記載された発明において、基板から遠い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kubを、基板面に近い側の磁性膜の垂直磁気異方性定数Kuaに比べて大きくすることにより、逆磁区の発生を抑止する作用効果があることが示され(上記(エ)(キ)参照)、かつ、引用例1には、垂直磁気記録媒体でKuを大きくすると、磁気記録したときに逆磁区の発生領域を減少でき、その結果再生ノイズも低下でき、記録磁区の境界が鋭く形成でき、高密度の磁気記録が可能であることが記載されている(上記(ク)参照)のであるから、引用例1においてKubをより大きくすれば良いという傾向が示されているといえる。そうすると、引用例1におけるKubの例示のKu_(b)=3×10^(6)erg/cc(上記(キ)(ケ)、実施例1及び2参照)よりさらに大きいKubの磁性膜を用いることは当業者が必要に応じ適宜なし得ることであり、また「5×10^(6)erg/ccより大きく」と下限を限定することに格別の臨界的意義があるものでもない。
そして、上記相違点1を総合的に検討しても、本願発明の効果は、引用例1に記載された発明から予測される範囲内であるので、上記相違点1に格別の困難性を要したものではない。

第4 補正後の発明についての検討
なお、平成18年4月27日付け手続補正が、誤記の訂正を目的とするものに仮に該当しているとするとき、補正後における特許請求の範囲の請求項1に記載されている事項により特定される発明(以下「補正後の発明」という。)が特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下検討する。

1.補正後の発明
補正後の発明は、上記「第2の1の(b)」のとおりである。

2.引用例
引用例1には、上記「第3の1(1)」のとおりの事項が記載されている。

3.対比判断
補正後の発明は、「5×10^(6)erg/cc以上」と特定するもので、上記「第3の2」で既に検討した本願発明の「5×10^(6)erg/ccより大き」い場合と、「5×10^(6)erg/cc」と等しい場合を含むものである。
そうすると、本願発明が、上記「第3の2」に記載したとおり、引用例1に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正後の発明も、同様の理由により、引用例1に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
よって、補正後の発明も、特許を受けることができないものである。

第5 むすび
以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例1に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
よって、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2008-06-23 
結審通知日 2008-06-24 
審決日 2008-07-10 
出願番号 特願平9-265445
審決分類 P 1 8・ 121- Z (G11B)
P 1 8・ 573- Z (G11B)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 蔵野 雅昭  
特許庁審判長 小林 秀美
特許庁審判官 横尾 俊一
漆原 孝治
発明の名称 垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記録装置  
代理人 井上 学  
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