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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) C30B
審判 査定不服 特36条4項詳細な説明の記載不備 取り消して特許、登録(定型) C30B
管理番号 1194553
審判番号 不服2005-22919  
総通号数 113 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2009-05-29 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2005-11-28 
確定日 2009-04-07 
事件の表示 特願2002-303232「低欠陥密度の空孔優勢シリコン」拒絶査定不服審判事件〔平成15年 7月 9日出願公開、特開2003-192492、請求項の数(33)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 本願は、平成14年10月17日(遡及出願平成10年 4月 9日パリ条約による優先権主張 1997年 4月 9日 (US)アメリカ合衆国)の出願であって、その請求項1?33に係る発明は、平成20年 5月20日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1?33に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
審決日 2009-03-26 
出願番号 特願2002-303232(P2002-303232)
審決分類 P 1 8・ 121- WYF (C30B)
P 1 8・ 536- WYF (C30B)
最終処分 成立  
前審関与審査官 横山 敏志田中 則充  
特許庁審判長 板橋 一隆
特許庁審判官 斉藤 信人
大工原 大二
発明の名称 低欠陥密度の空孔優勢シリコン  
代理人 青山 葆  
復代理人 新免 勝利  
代理人 柴田 康夫  
復代理人 鮫島 睦  

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