ポートフォリオ機能
| ポートフォリオを新規に作成して保存 |
|
|
| 既存のポートフォリオに追加保存 |
|
PDFをダウンロード
|
| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由) H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1201732 |
| 審判番号 | 不服2005-22508 |
| 総通号数 | 117 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2009-09-25 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2005-11-22 |
| 確定日 | 2009-08-06 |
| 事件の表示 | 特願2000-245497「相互接続を作製するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成13年 4月20日出願公開、特開2001-110900〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
第1 手続の経緯 本願は、平成12年8月14日の出願(パリ条約による優先権主張1999年8月30日、米国)であって、平成17年8月19日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年11月22日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年12月22日付けで手続補正がなされたものであり、その後、当審において、平成20年1月15日付けで審尋がなされ、同年7月16日に回答書が提出され、同年9月26日付けで、平成17年12月22日付けの手続補正が却下され、同年10月14日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内である平成21年2月16日に手続補正書と意見書が提出されたものである。 第2 本願発明 本願の請求項1ないし3に係る発明は、平成21年2月16日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項1ないし3に記載された事項により特定されるとおりのものであって、このうち、本願の請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は、次のとおりのものである。 「【請求項1】 (a)パターン形成された第一の開口を有する第一のレジストマスク層を用いて、第一の誘電層、ストップ層および第二の誘電層をこの順に積み重ねた構成を含むスタック層を貫通するビアを形成するステップ (b)パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層を用いて、前記ビアを露出しつつ第二のレジストマスク層中に第二の開口を形成し、及び前記第一のレジストマスク層を完全に除去する前に、前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第1の誘電層を貫通しない凹部を形成するステップとを有し、ここで、前記凹部は前記ビアより大きく (c)前記ビアと前記凹部に、相互接続を形成するために導電材料を形成するステップを有することを特徴とする相互接続の製造方法。」 第3 刊行物記載発明 刊行物1.特開平11-186391号公報 当審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平11-186391号公報(以下、「刊行物1」という。)には、図1、図2とともに、「半導体装置およびその製造方法」(発明の名称)に関して、以下の事項が記載されている。 「【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、配線構造、特にデュアルダマシンタイプの配線構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。」 「【0043】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態(以下、実施形態という)を説明する。 (第1の実施形態)図1、図2は、本発明の第1の実施形態に係るデュアルダマシン・プロセスを示す工程断面図である。 【0044】まず、図1(a)に示すように、SiO_(2 )からなる第1の層間絶縁膜1_(1) に第1の金属配線2を埋込み形成する。層間絶縁膜1_(1) は図示しないシリコン基板上に形成されたものである。金属配線2自身も以下に述べる本実施形態のデュアルダマシン・プロセスにより形成したものである。 【0045】次に図1(b)に示すように、全面に第1のエッチングストッパ膜3_(1 )を形成する。このエッチングストッパ膜3_(1 )は、エッチング条件によって、層間絶縁膜1_(1)よりも十分に遅いエッチング速度またはほぼ同じエッチング速度でエッチングできる絶縁膜である。本実施形態では、エッチングストッパ膜3_(1 )として、窒化シリコン膜を用いる。また、その厚さは、例えば、10?50nmの範囲である。 【0046】次に同図(b)に示すように、エッチングストッパ膜3_(1 )上にSiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )を形成する。層間絶縁膜1_(2 )の膜厚は、その膜厚とエッチングストッパ膜3_(1 )の膜厚との合計がヴィアホールの深さの設計値と等しくなるように選ばれている。 【0047】次に図1(c)に示すように、層間絶縁膜1_(2 )上に第2のエッチングストッパ膜3_(2 )を形成する。このエッチングストッパ膜3_(2 )も、エッチングストッパ膜3_(1 )と同様に、エッチング条件によって、層間絶縁膜1_(1) よりも十分に遅いエッチング速度またはほぼ同じエッチング速度でエッチングできる絶縁膜である。 【0048】本実施形態では、エッチングストッパ膜3_(2 )として、窒化シリコン膜を用い、その厚さは、例えば、10?50nmの範囲である。なお、エッチングストッパ膜3_(2 )とエッチングストッパ膜3_(1 )は同じ材料の絶縁膜である必要は無く、また同じ膜厚である必要もない。 【0049】次に同図(c)に示すように、エッチングストッパ膜3_(2 )上に第3の層間絶縁膜1_(3 )を形成する。この層間絶縁膜1_(3 )の厚さは、後で形成する第2の金属配線の厚さと同じである。また、層間絶縁膜1_(3 )は、層間絶縁膜1_(2 )と同じ種類の絶縁膜であり、ここではSiO_(2 )膜である。 【0050】次に図1(d)に示すように、ヴィアホール形成用のフォトレジストパターン4を層間絶縁膜1_(3 )上に形成する。次に同図(d)に示すように、エッチングストッパ膜3_(2 )と層間絶縁膜1_(3 )のエッチング速度がほぼ同じになるエッチング条件で、フォトレジストパターン4をマスクにして、エッチングストッパ膜3_(2 )と層間絶縁膜1_(3 )をRIE法にてエッチングする。上記エッチング条件は、例えばエッチングガスとしてCF_(4 )ガスとO_(2 )ガスとの混合ガスを用いることにより実現できる。 【0051】次に同図(d)に示すように、エッチングが層間絶縁膜1_(2 )に達したら、エッチングストッパ膜3_(1 )のほうが層間絶縁膜1_(2 )よりもエッチング速度が十分に遅くなるエッチング条件で、フォトレジストパターン4をマスクにして、層間絶縁膜12をRIE法にてエッチングする。上記エッチング条件は、例えばエッチングガスとしてC_(4 )F_(8 )ガスとCOガスとの混合ガスを用いることにより実現できる。 【0052】ここで、層間絶縁膜1_(2 )のエッチングは、層間絶縁膜1_(2 )のエッチング速度が面内でばらつきがあることから、オーバーエッチングとする。これにより、層間絶縁膜1_(2 )に貫通孔を確実に形成できる。 【0053】このとき、エッチング条件は、エッチングストッパ膜3_(1 )のほうが層間絶縁膜1_(2 )よりもエッチング速度が十分に遅くなるように選ばれているので、上記エッチングはエッチングストッパ膜3_(1 )で止まる。 【0054】したがって、フォトレジストパターン4に合わせずれが起きていても、層間絶縁膜1_(2 )の貫通孔下の層間絶縁膜1_(1) がエッチングされ、このエッチングされた部分が後で形成する金属膜8で埋め込まれないことによって、ボイドが形成されることを防止できる。 【0055】次に図2(e)に示すように、エッチング条件を変えて、フォトレジストパターン4をマスクにして、層間絶縁膜1_(2 )の貫通孔の底部のエッチングストッパ膜3_(1 )をRIE法にてエッチングして除去する。この結果、金属配線2に達するヴィアホール5が形成される。この後、フォトレジストパターン4を剥離する。 【0056】ここで、エッチングストッパ膜3_(1 )は薄いので、短時間のエッチングで除去できる。したがって、層間絶縁膜1_(1) がエッチングされて、ボイドが形成されることはない。また、上記エッチング条件は、エッチングストッパ膜3_(1 )のほうが層間絶縁膜1_(3 )よりもエッチング速度が十分に速くなるように選んだほうが好ましいが、必ずしもその必要ない。 【0057】次に図2(f)に示すように、配線溝形成用のフォトレジストパターン6を層間絶縁膜1_(3 )上に形成する。次に同図(f)に示すように、エッチングストッパ膜3_(2 )のほうが層間絶縁膜1_(3 )よりもエッチング速度が十分に遅くなるエッチング条件で、フォトレジストパターン6をマスクにして、層間絶縁膜1_(3 )をRIE法にてエッチングし、ヴィアホール5を介して配線層2に達する配線溝7を形成する。 【0058】ここで、層間絶縁膜1_(3 )のエッチングは、層間絶縁膜1_(3 )のエッチング速度が面内でばらつきがあることから、オーバーエッチングとする。これにより、層間絶縁膜1_(3 )に深さのばらつきのない配線溝7を確実に形成できる。 【0059】このとき、エッチング条件は、エッチングストッパ膜3_(2 )のほうが層間絶縁膜1_(3 )よりもエッチング速度が十分に遅くなるように選ばれているので、上記エッチングはエッチングストッパ膜3_(2 )で止まる。 【0060】次に図2(g)に示すように、ヴィアホール5および配線溝7の内部を完全に埋め込むように、全面に金属膜8を形成する。この金属膜8は、例えばCVD法またはPVD法を用いて堆積形成する。また、金属膜8の材料としては、例えばタングステン、アルミニウム、銅、アルミニウムと銅の合金などを用いることができる。 【0061】ここで、金属膜8の堆積の促進や金属膜8の構成金属の層間絶縁膜1_(2 ),1_(3)への拡散を防止するために、金属膜8を形成する前に、ヴィアホール5および配線溝7の表面に窒化チタン、タングステン窒化シリコン、ニオブ、タンタル等の金属や合金からなる薄膜や積層薄膜を形成しても良い。 【0062】次に図2(h)に示すように、ヴィアホール5および配線溝7の外の不要な金属膜8を例えばCMPにより除去することにより、金属膜8からなる第2の金属配線および接続プラグ電極がそれぞれ配線溝8およびヴィアホール5内に同時に形成される。」 以上の記載から、刊行物1には、以下の発明(以下、「刊行物発明」いう。)が記載されている。 「窒化シリコン膜からなる第1のエッチングストッパ膜3_(1 )を形成し、前記エッチングストッパ膜3_(1 )上にSiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )、窒化シリコン膜からなる第2のエッチングストッパ膜3_(2 )、及びSiO_(2 )からなる第3の層間絶縁膜1_(3 )を順次形成する工程と、 前記層間絶縁膜1_(3 )上に形成したヴィアホール形成用のフォトレジストパターン4をマスクにして、前記層間絶縁膜1_(3 )、前記エッチングストッパ膜3_(2 )及び前記層間絶縁膜1_(2)をRIE法にてエッチングして、貫通孔を形成する工程と、 前記フォトレジストパターン4をマスクにして、前記エッチングストッパ膜3_(1 )をRIE法にてエッチング除去してヴィアホール5を形成する工程と、 前記フォトレジストパターン4を剥離し、配線溝形成用のフォトレジストパターン6を層間絶縁膜1_(3 )上に形成し、前記フォトレジストパターン6をマスクにして、前記層間絶縁膜1_(3 )をRIE法にてエッチングして配線溝7を形成する工程と、 前記ヴィアホール5および前記配線溝7の内部を金属膜8により完全に埋め込む工程を備えることを特徴とするデュアルダマシンタイプの配線構造を有する半導体装置の製造方法。」 刊行物2.特開平9-69561号公報 当審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平9-69561号公報(以下、「刊行物2」という。)には、図3、図4とともに、「半導体装置の製造方法」(発明の名称)に関して、以下の事項が記載されている。 「【0027】次に、本発明の実施の形態を第2の製造方法で説明する。図3および図4はこの実施形態の第2の製造方法を示す製造工程順の断面図である。 【0028】図3(a)に示すように、第1の実施例と同様にシリコン基板1の表面に拡散層2が形成される。次に、膜厚が800nm程度の第1層間絶縁膜3aが形成される。この第1層間絶縁膜3aは、CVD法によるシリコン酸化膜の成膜とCMP法によるこのシリコン酸化膜の平坦化とを通して形成される。 【0029】次に、膜厚が100nm程度のエッチングストッパ膜15が形成される。ここで、このエッチングストッパ膜15はシリコン窒化膜で構成される。 【0030】次に、このエッチングストッパ膜15上に第2層間絶縁膜3bが形成される。ここで、この層間絶縁膜はCVD法で堆積されるシリコン酸化膜で構成される。そして、その膜厚は700nm程度に設定される。 【0031】次に、第1レジストマスク4がこの層間絶縁膜3上に設けられる。この第1レジストマスク4は、第1の製造方法の場合より膜厚は厚くなるように設定され、膜厚100nmのフォトレジストとなる。そして、コンタクト孔パターン5が形成されている。 【0032】次に、図3(b)に示すように、第2レジストマスク6が第1レジストマスク4上に設けられる。ここで、この第2レジストマスク6もフォトリソグラフィ技術で形成されその膜厚は1000nmである。そして、配線パターン7が形成されている。 【0033】次に、この第1レジストマスク4と第2レジストマスク6をエッチングのマスクにして、第2層間絶縁膜3bがドライエッチングされる。ここで、このドライエッチングは異方性のエッチングであり、反応ガスにはCH_(2 )F_(2 )とCF_(4 )の混合ガスが用いられる。この場合の第2層間絶縁膜3bとエッチングストッパ膜15とのエッチング選択比は30程度になる。すなわち、エッチングストッパ膜15のドライエッチング速度が第2層間絶縁膜3bのドライエッチング速度の1/30程度になる。このようにして、図3(c)に示すように、第2層間絶縁膜3bにコンタクト孔用溝8が形成される。 【0034】次に、ドライエッチングの反応ガスをNF_(3 )とO_(2 )の混合ガスに変えてエッチングストッパ膜15の露出した部分をエッチングする。その後、再びエッチングガスをCH_(2 )F_(2 )とCF_(4 )の混合ガスにし第2層間絶縁膜3bと第1層間絶縁膜3aをドライエッチングする。そして、図4(a)に示すように、第2レジストマスク6をエッチングマスクにして第2層間絶縁膜3bに配線用溝9が形成される。そして、拡散層2上にコンタクト孔10が形成されるようになる。ここで、配線用溝9の深さは第2層間絶縁膜3bの膜厚分であり700nmである。また、コンタクト孔10の深さは、ほぼ第1層間絶縁膜3aの膜厚分となり800nm程度になる。 【0035】次に、第1レジストマスク4および第2レジストマスク6は公知の方法で除去される。そして、図4(b)に示すように、第1層間絶縁膜3a、エッチングストッパ膜15および第2層間絶縁膜3bを被覆するバリア膜11が形成される。ここで、このバリア膜11はチタン膜と窒化チタン膜との複合金属膜である。さらに、このバリア膜11を被覆するアルミ合金膜12が堆積される。ここで、これらの金属材料は公知のスパッタ法で堆積される。 【0036】次に、バリア膜11およびアルミ合金膜12はCMP法で研磨される。このようにして、図4(c)に示すように、シリコン基板1の表面の拡散層2に接続されるバリア層13と溝配線14が、第1層間絶縁膜3a、エッチングストッパ膜15および第2層間絶縁膜3bに象眼されるようにして形成される。 【0037】この実施例では、配線用溝およびコンタクト孔の深さが正確に制御できる。すなわち、第2層間絶縁膜の膜厚が配線用溝の深さに、第1層間絶縁膜とエッチングストッパ膜の膜厚がコンタクト孔の深さになるように設定される。 【0038】以上、本発明の実施の形態では、シリコン基板表面の拡散層と接続する溝配線を形成する場合について説明された。しかし、本発明は、多層配線において下層の配線に接続する溝配線を形成する場合にも同様に適用されるものである。この場合は、シリコン基板の表面に形成した拡散層に代えてシリコン基板上の絶縁膜上に形成する下層の配線とすれば、先述した実施の形態と同様になる。」 第4 対比 以下において、本願発明と刊行物発明とを対比する。 (a)刊行物発明の「ヴィアホール形成用のフォトレジストパターン4」、「SiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )」、「窒化シリコン膜からなる第2のエッチングストッパ膜3_(2 )」、「SiO_(2 )からなる第3の層間絶縁膜1_(3 )」、「ヴィアホール5」、「配線溝形成用のフォトレジストパターン6」及び「金属膜8」は、それぞれ、本願発明の「第1のレジストマスク層」、「第一の誘電層」、「ストップ層」、「第二の誘電層」、「貫通するビア」、「第2のレジストマスク層」及び「導電材料」に相当する。 (b)刊行物発明の「ヴィアホール形成用のフォトレジストパターン4」は、「SiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )」、「窒化シリコン膜からなる第2のエッチングストッパ膜3_(2 )」及び「SiO_(2 )からなる第3の層間絶縁膜1_(3 )」をエッチングするための開口を備え、且つパターン形成されたことは明らかであるから、「前記層間絶縁膜1_(3)上に形成したヴィアホール形成用のフォトレジストパターン4」は、本願発明の「パターン形成された第一の開口を有する第一のレジストマスク層」に相当する。 (c)刊行物発明の「SiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )、窒化シリコン膜からなる第2のエッチングストッパ膜3_(2 )、及びSiO_(2 )からなる第3の層間絶縁膜1_(3 )を順次形成」した構成は、本願発明の「第一の誘電層、ストップ層および第二の誘電層をこの順に積み重ねた構成を含むスタック層」に相当するから、刊行物発明の「前記層間絶縁膜1_(3)上に形成したヴィアホール形成用のフォトレジストパターン4をマスクにして、前記層間絶縁膜1_(3 )、前記エッチングストッパ膜3_(2 )及び前記層間絶縁膜1_(2)をRIE法にてエッチングして、貫通孔を形成する工程と、 前記フォトレジストパターン4をマスクにして」、「ヴィアホール5を形成する工程と」は、本願発明の「パターン形成された第一の開口を有する第一のレジストマスク層を用いて、第一の誘電層、ストップ層および第二の誘電層をこの順に積み重ねた構成を含むスタック層を貫通するビアを形成するステップ」に相当する。 (d)「前記フォトレジストパターン6をマスクにして、前記層間絶縁膜1_(3)をRIE法にてエッチングして配線溝7を形成する」のであるから、刊行物発明の「配線溝形成用のフォトレジストパターン6」は、パターン形成され、且つ開口を備えていることは明らかであって、本願発明の「パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層」に相当する。 (e)刊行物発明において、「配線溝7」を形成するために、「SiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )、窒化シリコン膜からなる第2のエッチングストッパ膜3_(2 )、及びSiO_(2 )からなる第3の層間絶縁膜1_(3 )を順次形成」した構成の内の、「前記層間絶縁膜1_(3 )」のみを「RIE法にてエッチングして」除去しており、一方、本願発明においては、「前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが」スタック層の一番下の層である「前記第1の誘電層」は「貫通しない」ように「凹部」を形成しているのであるから、刊行物発明の「前記層間絶縁膜1_(3 )をRIE法にてエッチングして」形成した「配線溝7」は、本願発明の「前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第1の誘電層を貫通しない凹部」に相当する。 (f)刊行物発明の「配線溝7」が、刊行物1発明の「ヴィアホール5」よりも幅が大きいことは、刊行物1の図2の記載から明らかであるので、刊行物発明の「配線溝形成用のフォトレジストパターン6を層間絶縁膜1_(3 )上に形成し、前記フォトレジストパターン6をマスクにして、前記層間絶縁膜1_(3 )をRIE法にてエッチングして配線溝7を形成する工程」は、本願発明の「(b)パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層を用いて」、「前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第1の誘電層を貫通しない凹部を形成するステップとを有し、ここで、前記凹部は前記ビアより大き」いことに相当する。 (g)刊行物発明において、「前記ヴィアホール5および前記配線溝7の内部を金属膜8により完全に埋め込む」こと、言い換えると、ヴィアホール5及び配線溝7に埋め込まれた金属膜8により、その上下に配置された導電材料から形成された構成要素を相互に導電接続できることは明らかであるから、刊行物発明の「前記ヴィアホール5および前記配線溝7の内部を金属膜8により完全に埋め込む工程」は、本願発明の「(c)前記ビアと前記凹部に、相互接続を形成するために導電材料を形成するステップ」に相当する。 (h)刊行物発明の「デュアルダマシンタイプの配線構造を有する半導体装置の製造方法」は、本願発明の「相互接続の製造方法」に相当する。 すると、本願発明1と刊行物1発明とは、 「(a)パターン形成された第一の開口を有する第一のレジストマスク層を用いて、第一の誘電層、ストップ層および第二の誘電層をこの順に積み重ねた構成を含むスタック層を貫通するビアを形成するステップ (b)パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層を用いて、前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第1の誘電層を貫通しない凹部を形成するステップとを有し、ここで、前記凹部は前記ビアより大きく (c)前記ビアと前記凹部に、相互接続を形成するために導電材料を形成するステップを有することを特徴とする相互接続の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。 相違点1 本願発明は、「(b)パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層を用いて、前記ビアを露出しつつ第二のレジストマスク層中に第二の開口を形成し、及び前記第一のレジストマスク層を完全に除去する前に、前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第1の誘電層を貫通しない凹部を形成するステップ」を備えるのに対して、 刊行物発明は、「前記フォトレジストパターン4をマスクにして、前記エッチングストッパ膜3_(1 )をRIE法にてエッチング除去してヴィアホール5を形成する工程と、 前記フォトレジストパターン4を剥離し、配線溝形成用のフォトレジストパターン6を層間絶縁膜1_(3 )上に形成し、前記フォトレジストパターン6をマスクにして、前記層間絶縁膜1_(3)をRIE法にてエッチングして配線溝7を形成する工程」を備え、「配線溝形成用のフォトレジストパターン6」の形成を、「前記フォトレジストパターン4を剥離」した後に行っている点。 相違点2 刊行物発明は、「窒化シリコン膜からなる第1のエッチングストッパ膜3_(1 )を形成し、前記エッチングストッパ膜3_(1 )上にSiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )、窒化シリコン膜からなる第2のエッチングストッパ膜3_(2 )、及びSiO_(2 )からなる第3の層間絶縁膜1_(3 )を順次形成する工程」言い換えると、「SiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )」を形成する前に「窒化シリコン膜からなる第1のエッチングストッパ膜3_(1 )を形成」する工程、及び、「前記フォトレジストパターン4をマスクにして」、「ヴィアホール5を形成する工程」において、「前記エッチングストッパ膜3_(1 )をRIE法にてエッチング除去」する工程を備えるのに対して、 本願発明は、上記工程を備えていない点。 第5 当審の判断 以下において、各相違点について検討する。 相違点1について (a)刊行物2には、本願発明及び刊行物発明と同様な、「二重ダマシン構造」に相当する構造の製造方法に係り、「次に、膜厚が800nm程度の第1層間絶縁膜3aが形成される。」こと(【0028】段落)、「次に、膜厚が100nm程度のエッチングストッパ膜15が形成される。」こと(【0029】段落)、「次に、このエッチングストッパ膜15上に第2層間絶縁膜3bが形成される。」こと(【0030】段落)、「第1レジストマスク4がこの層間絶縁膜3上に設けられる。」「そして、コンタクト孔パターン5が形成されている。」(【0031】段落)こと、「次に、図3(b)に示すように、第2レジストマスク6が第1レジストマスク4上に設けられる。」「そして、配線パターン7が形成されている。」(【0032】段落)こと、「次に、この第1レジストマスク4と第2レジストマスク6をエッチングのマスクにして、第2層間絶縁膜3bがドライエッチングされる。」(【0033】段落)こと、「そして、図4(a)に示すように、第2レジストマスク6をエッチングマスクにして第2層間絶縁膜3bに配線用溝9が形成される。そして、拡散層2上にコンタクト孔10が形成されるようになる。」(【0034】段落)ことが記載されている。 また、刊行物2の図3及び図4から、配線用溝9がコンタクト孔パターン5(コンタクト孔)より幅が広いこと及び、「第2レジストマスク6」を用いて、積層体の内の第2層間絶縁膜3bに、コンタクト孔パターンより幅が広い配線用溝9を形成する前に、「第1のレジストマスク4」は、「配線パターン7」に露出する部分のみが除去されていることは明らかである。 したがって、刊行物2には、「第1層間絶縁膜3a」、「エッチングストッパ膜15」及び「第2層間絶縁膜3b」からなる積層体の上に形成された「第1のレジストマスク4」にコンタクト孔を形成するための「コンタクト孔パターニン5」を形成し、その後、「第1のレジストマスク4」上に、「第1のレジストマスク4」を除去することなく、配線用溝9を形成するための「配線パターン7」を備えた「第2レジストマスク6」を形成し、「第1のレジストマスク4」の「配線パターン7」に露出する部分のみを除去し、「第2レジストマスク6」を用いて、積層体の内の第2層間絶縁膜3bに、コンタクト孔パターンより幅が広い配線用溝9を形成することが記載されている。 (b)刊行物2に記載される「第1層間絶縁膜3a」、「エッチングストッパ膜15」、「第2層間絶縁膜3b」、「コンタクト孔パターニン5」を備えた「第1のレジストマスク4」、「配線パターン7」を備えた「第2レジストマスク6」、「コンタクト孔」及び「配線用溝9」は、それぞれ、刊行物発明の「SiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )」、「窒化シリコン膜からなる第2のエッチングストッパ膜3_(2 )」、「SiO_(2 )からなる第3の層間絶縁膜1_(3 )」、「ヴィアホール形成用のフォトレジストパターン4」、「配線溝形成用のフォトレジストパターン6」、「ヴィアホール5」及び「配線用溝7」に相当し、また、それぞれ、本願発明の「第一の誘電層」、「ストップ層」、「第二の誘電層」、「パターン形成された第一の開口を有する第1のレジストマスク層」、「パターン形成された第二の開口を有する第2のレジストマスク層」、「貫通するビア」及び「凹部」に相当する。 (c)刊行物発明においては、「配線溝形成用のフォトレジストパターン6を層間絶縁膜1_(3 )上に形成」する前に、「前記フォトレジストパターン4を剥離し」ているが、その後の、「前記層間絶縁膜1_(3 )をRIE法にてエッチングして配線溝7を形成する工程」において、「前記層間絶縁膜1_(3)」上の「フォトレジストパターン4」が除去されているか否かにより、「前記層間絶縁膜1_(3)」のエッチング条件等に、差異があるとは認められない。 また、刊行物2に記載される、「第1のレジストマスク4」の「配線パターン7」に露出する部分のみを除去する際に、「配線パターン7」を備えた「第2レジストマスク6」の下に位置する「第1のレジストマスク4」が残存することは明らかであり、「第1のレジストマスク4」を「完全に除去する前」であることも明らかである。 したがって、刊行物発明に、刊行物2に記載される、「第1層間絶縁膜3a」、「エッチングストッパ膜15」及び「第2層間絶縁膜3b」からなる積層体の上に形成された「第1のレジストマスク4」にコンタクト孔を形成するための「コンタクト孔パターニン5」を形成し、その後、「第1のレジストマスク4」上に、「第1のレジストマスク4」を除去することなく、配線用溝9を形成するための「配線パターン7」を備えた「第2レジストマスク6」を形成し、「第1のレジストマスク4」の「配線パターン7」に露出する部分のみを除去し、「第2レジストマスク6」を用いて、積層体の内の第2層間絶縁膜3bに、コンタクト孔パターンより幅が広い配線用溝9を形成する工程を適用することにより、刊行物発明において、「前記フォトレジストパターン4をマスクにして、前記エッチングストッパ膜3_(1 )をRIE法にてエッチング除去してヴィアホール5を形成する工程」の後、「前記フォトレジストパターン4を剥離」することなく、「配線溝形成用のフォトレジストパターン6」を、「前記フォトレジストパターン4」上に「形成し、前記フォトレジストパターン6をマスクにして、前記層間絶縁膜1_(3 )をRIE法にてエッチングして配線溝7を形成する工程」を備えたものとすること、言い換えると、刊行物発明が、本願発明の如く、「パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層を用いて、前記ビアを露出しつつ第二のレジストマスク層中に第二の開口を形成し、及び前記第一のレジストマスク層を完全に除去する前に、前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第1の誘電層を貫通しない凹部を形成するステップ」を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たものである。 相違点2について 刊行物1の図1,図2及び【0043】ないし【0062】に記載される実施例においては、ヴィアホール5及び配線溝からなるデュアルダマシン構造が、金属配線を埋め込んだ第1の層間絶縁膜1_(1)上に形成されるために、「SiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )、窒化シリコン膜からなる第2のエッチングストッパ膜3_(2 )、及びSiO_(2 )からなる第3の層間絶縁膜1_(3)」からなる積層体と、第1の層間絶縁膜1_(1)との間に「窒化シリコン膜からなる第1のエッチングストッパ膜3_(1 )」を備えているのであって、刊行物発明の上記「SiO_(2 )からなる第2の層間絶縁膜1_(2 )、窒化シリコン膜からなる第2のエッチングストッパ膜3_(2 )、及びSiO_(2 )からなる第3の層間絶縁膜1_(3 )」からなる積層体を、例えば、半導体基板上に形成するのであれば、「窒化シリコン膜からなる第1のエッチングストッパ膜3_(1 )を形成」することが必要でないことは、当業者にとって明らかである。 したがって、刊行物発明において、「窒化シリコン膜からなる第1のエッチングストッパ膜3_(1)を形成し」ないようにすること、それに派生する工程である、「前記エッチングストッパ膜3_(1 )をRIE法にてエッチング除去」する工程を備えないようにすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。 したがって、本願発明は、刊行物1及び2に記載に記載される発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第6 むすび 以上のとおり、本願の請求項1に係る発明は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであるので、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2009-03-11 |
| 結審通知日 | 2009-03-16 |
| 審決日 | 2009-03-27 |
| 出願番号 | 特願2000-245497(P2000-245497) |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
WZ
(H01L)
|
| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | ▲辻▼ 弘輔、綿引 隆 |
| 特許庁審判長 |
河合 章 |
| 特許庁審判官 |
棚田 一也 近藤 幸浩 |
| 発明の名称 | 相互接続を作製するための方法 |
| 代理人 | 越智 隆夫 |
| 代理人 | 臼井 伸一 |
| 代理人 | 加藤 伸晃 |
| 代理人 | 本宮 照久 |
| 代理人 | 岡部 正夫 |
| 代理人 | 朝日 伸光 |